对比文件名称：1998-04-24_None_发明专利_JPH10107316A Semiconductor light-emitting device of iii group nitride
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：大语言模型推理（GPT-4风格）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：第一支撑构件（直接公开） | 段落[0011]：“发光二极管10c、10d具有同一蓝宝石基板1”。（原文：発光ダイオード１０ｃ、１０ｄは同一のサファイア基板１を有しており） | 对比文件明确公开了蓝宝石基板1作为支撑基板，用于支撑整个发光器件结构。该基板起到支撑作用，与目标专利中的第一支撑构件功能相同，均用于支撑发光器件阵列。虽然目标专利第一支撑构件优选为基底片，但权利要求中“第一支撑构件”未限定具体材料，蓝宝石基板1构成第一支撑构件。因此，本领域技术人员可以直接得出对比文件公开了第一支撑构件。 |
| 特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件全文未提及结合层。 | 对比文件通篇没有记载任何结合层结构，也没有公开任何用于将发光器件固定到支撑构件的粘合层或结合层。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| 特征C：至少两个结合层被布置在第一支撑构件上（未公开） | 对比文件全文未提及结合层布置在基板上。 | 由于对比文件未公开结合层，更未公开结合层布置在基板上，因此未公开。 |
| 特征D：第二支撑构件（未公开） | 对比文件全文未提及第二支撑构件。 | 对比文件中的发光结构直接形成在蓝宝石基板上，没有额外的导电支撑基板或其他第二支撑构件。因此，未公开。 |
| 特征E：第二支撑构件被布置在至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件全文未提及。 | 对比文件未公开结合层和第二支撑构件，因此未公开。 |
| 特征F：发光结构（直接公开） | 段落[0011]及[0010]描述了发光二极管10a-10d的结构，包括n层（高キャリア濃度ｎ+層3）、发光层（発光層5）、p层（ｐ層61、コンタクト層62、63）等，构成发光结构。 | 对比文件明确公开了多个发光二极管，每个发光二极管均包括发光结构（n层、发光层、p层等），与目标专利的发光结构相同。因此，直接公开。 |
| 特征G：发光结构被布置在第二支撑构件上（未公开） | 对比文件全文未公开第二支撑构件。 | 对比文件中发光结构直接布置在蓝宝石基板上，而不是第二支撑构件上。因此，未公开。 |
| 特征H：第一导电类型半导体层（直接公开） | 段落[0011]：“高キャリア濃度ｎ+層3”（高载流子浓度n+层3）等，为n型半导体层。 | 对比文件公开了n型半导体层（n层），属于第一导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 段落[0011]：“ｐ層61”、“第２コンタクト層62”、“第１コンタクト層63”，均为p型半导体层。 | 对比文件公开了p型半导体层，属于第二导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 特征J：有源层（直接公开） | 段落[0011]：“発光層5”（发光层5），为有源层。 | 对比文件公开了发光层，位于n层和p层之间，作为有源层，因此直接公开。 |
| 特征K：第一电极（直接公开） | 段落[0010]及[0012]：“ｎ電極8a、8b、8c、8d”（n电极8a-8d）。 | 对比文件公开了n电极，作为第一电极，因此直接公开。 |
| 特征L：第一电极被布置在发光结构上（直接公开） | 段落[0012]：“高キャリア濃度ｎ+層3の露出面に接続する電極8c、8d”（连接到高载流子浓度n+层3露出面的电极8c、8d）。 | 对比文件明确n电极形成在n层（发光结构）上，因此直接公开。 |
| 特征M：发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件全文未公开第二支撑构件及金属层连接。 | 对比文件没有第二支撑构件，也没有通过金属层连接相邻器件的支撑构件。其通过电极图案连接相邻器件，但并非连接支撑构件。因此，未公开。 |
| 特征N：结合层的边缘位于发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件全文未公开结合层。 | 对比文件未公开结合层，因此未公开该特征。 |
| 特征O：结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件全文未公开结合层。 | 对比文件未公开结合层，因此未公开。 |
| 特征P：凹凸结构形成在第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件全文未公开凹凸结构。 | 对比文件未公开任何凹凸结构形成在支撑构件表面，因此未公开。 |
| 特征Q：金属层的组成的至少预定部分与第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件全文未公开金属层连接第二支撑构件。 | 对比文件未公开第二支撑构件和相应的金属层，因此未公开。 |
| 特征R：金属层的组成的至少预定部分与结合层的组成相同（未公开） | 对比文件全文未公开结合层及金属层。 | 对比文件未公开结合层和相应的金属层，因此未公开。 |
| 特征S：金属层的组成的至少预定部分与发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件全文未公开金属层连接发光结构。 | 对比文件未公开连接发光结构的金属层（电极除外），因此未公开。 |
| 特征T：进一步包括（未公开/或结合U） | 对比文件全文未明确“进一步包括”的表述，但公开了透明电极（欧姆层）。 | 对比文件公开了透明电极（欧姆层），但“进一步包括”作为过渡，本身无技术内容，实质有欧姆层，但严格判断，未直接公开过渡特征。 |
| 特征U：欧姆层（直接公开） | 段落[0012]：“電極7c、7dは第１コンタクト層63上に一様に厚さ20Åに形成されたチタン(Ti)から成る層71と厚さ60Åに形成されたニッケル(Ni)から成る層72とを有しており、この2つの層71、72は透明電極として機能する。” | 对比文件公开了透明电极（Ti/Ni层），其作为欧姆接触层，起到欧姆层的作用，与目标专利的欧姆层实质相同。因此，直接公开。 |
| 特征V：欧姆层被布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件全文未公开第二支撑构件。 | 对比文件没有第二支撑构件，欧姆层（透明电极）直接布置在p型半导体层上，而不是在p型半导体层和第二支撑构件之间。因此，未公开。 |
| 特征W：进一步包括（未公开/或结合X） | 对比文件全文未公开反射层。 | 对比文件未公开反射层，因此未公开过渡特征。 |
| 特征X：反射层（未公开） | 对比文件全文未公开反射层。 | 对比文件未公开任何反射层结构，因此未公开。 |
| 特征Y：反射层被布置在欧姆层和第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件全文未公开反射层和第二支撑构件。 | 对比文件未公开反射层和第二支撑构件，因此未公开。 |
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