对比文件名称：2006-10-05_WO2006104935A_发明申请_WO2006104935A2 LIGHT EMITTING DIODES AND METHODS OF FABRICATION
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：未提供
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件《隐含公开》 | 对比文件[0102]：“将转移衬底502附着到第二电极20的表面504”。[0104]：“激光剥离后，生长衬底被移除，形成组装体510，该组装体510是LED管芯的二维阵列，其中管芯的第一电极18电连接。”图19D显示转移衬底502支撑着LED管芯阵列。 | 目标专利的第一支撑构件是用于支撑发光器件阵列的基底片。对比文件中的转移衬底502在激光剥离后支撑着LED管芯阵列，起到支撑作用。虽然转移衬底的材料和具体应用可能不同，但其核心功能是作为支撑构件，本领域技术人员可以合理推断出该特征的存在，因此技术特征A被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层《隐含公开》 | 对比文件[0102]：“附着转移衬底可以通过任何方式，包括但不限于共晶焊料、粘合剂或蜡。”这些材料形成粘合层，用于将转移衬底附着到第二电极。每个LED管芯都有对应的粘合层，因此至少两个结合层存在。 | 目标专利的结合层用于将第二支撑构件固定到第一支撑构件。对比文件中的粘合层用于将转移衬底（相当于第一支撑构件）附着到第二电极（相当于第二支撑构件？），虽然在具体连接对象上存在差异，但粘合层起到了类似结合层的固定作用，并且阵列中每个器件都有该层，因此本领域技术人员可以合理推断出存在至少两个结合层，技术特征B被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上《隐含公开》 | 同上[0102]，转移衬底502通过粘合层附着到第二电极，粘合层被布置在转移衬底上（或第二电极上），但最终粘合层位于转移衬底和第二电极之间，因此粘合层是布置在转移衬底（第一支撑构件）上的。 | 在对比文件中，转移衬底作为支撑构件，粘合层形成于其表面（或与第二电极界面），但无论如何，粘合层是依赖于转移衬底存在的。本领域技术人员可以理解，结合层（粘合层）被布置在第一支撑构件（转移衬底）上，以实现固定功能。因此，技术特征C被隐含公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件《隐含公开》 | 对比文件[0102]：“转移衬底可以是导体、绝缘体或半导体。如果转移衬底永久附着到第二电极20，转移衬底优选是导体，附着使用共晶焊料。”转移衬底在永久附着的情况下，将成为器件的一部分，提供支撑和导电。 | 目标专利的第二支撑构件是导电支撑基板，位于发光结构下方，用于支撑和电极。对比文件中的转移衬底如果永久保留且导电，则也起到支撑和导电作用，位于发光结构下方（通过第二电极）。虽然具体结构（如是否有欧姆层等）不同，但核心功能相似，因此本领域技术人员可以合理推断出第二支撑构件存在，技术特征D被隐含公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上《未公开》 | 对比文件[0102]转移衬底附着到第二电极，粘合层在转移衬底和第二电极之间。因此，转移衬底（第二支撑构件）是在粘合层之上，但粘合层是在第二电极上，而不是在某个第一支撑构件上。目标专利中第二支撑构件在结合层上，结合层在第一支撑构件上。对比文件中，转移衬底（第二支撑构件）与粘合层（结合层）的关系是转移衬底在粘合层上，但粘合层不在第一支撑构件上，而是在第二电极上。 | 对比文件未公开第二支撑构件直接布置在结合层上的结构，其结合层（粘合层）位于第二电极与转移衬底之间，与目标专利中第二支撑构件通过结合层固定到第一支撑构件的顺序不同。因此，本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含地得出该特征，技术特征E未公开。 |
| 技术特征F：发光结构《直接公开》 | 对比文件[0044]：“发光二极管10包括第一掺杂半导体层12、有源区14、第二掺杂半导体层16。” | 对比文件明确公开了由第一掺杂半导体层、有源区和第二掺杂半导体层构成的发光结构，与目标专利的发光结构完全相同，因此技术特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上《隐含公开》 | 对比文件[0104]图19D显示，在激光剥离后，LED管芯的第一电极18和第一半导体层12暴露，第二电极20附着在转移衬底502上，因此发光结构通过第二电极位于转移衬底上。转移衬底作为第二支撑构件。 | 在对比文件最终结构中，发光结构（第一半导体层、有源区、第二半导体层）通过第二电极与转移衬底（第二支撑构件）连接，因此发光结构被布置在第二支撑构件上。虽然中间有第二电极和粘合层，但整体上发光结构位于支撑构件之上，本领域技术人员可以合理推断出该特征，因此技术特征G被隐含公开。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层《直接公开》 | 对比文件[0044]：“第一掺杂半导体层12”，[0049]：“第一掺杂半导体层12可以是n型掺杂半导体层”。 | 对比文件明确公开了第一导电类型半导体层（n型或p型），与目标专利的第一导电类型半导体层完全相同，因此技术特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层《直接公开》 | 对比文件[0044]：“第二掺杂半导体层16”，[0049]：“第二掺杂半导体层16可以是p型掺杂半导体层”。 | 对比文件明确公开了第二导电类型半导体层，与目标专利的第二导电类型半导体层完全相同，因此技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层《直接公开》 | 对比文件[0044]：“有源区14位于第一掺杂半导体层12之下，第二掺杂半导体层16位于有源区14之下。”即第一掺杂半导体层/有源区/第二掺杂半导体层的叠层结构。 | 对比文件明确公开了有源层位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，与目标专利完全相同，因此技术特征J被直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极《直接公开》 | 对比文件[0044]：“第一电极18与第一半导体层的边缘表面26接触。” | 对比文件明确公开了第一电极，与目标专利的第一电极功能相同，都是用于提供电流，因此技术特征K被直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上《直接公开》 | 对比文件[0044]：“第一电极18与第一半导体层的边缘表面26接触”。边缘表面是发光结构的一部分，因此第一电极布置在发光结构上。 | 对比文件中的第一电极与第一半导体层的边缘表面接触，该边缘表面属于发光结构，因此第一电极被布置在发光结构上。虽然位置是侧面，但“上”可包括任何表面，因此技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接《未公开》 | 对比文件[0100]：“第一电极18通过金属层剩余部分472电连接，第二电极20电隔离。”没有提到第二支撑构件的连接。对比文件中，转移衬底（第二支撑构件）是整块，没有通过金属层连接相邻器件，而是直接连续。 | 对比文件没有公开第二支撑构件通过金属层相互连接的特征。相反，其第一电极通过金属层连接，而第二电极是隔离的。因此，技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米《未公开》 | 对比文件没有结合层，也没有相关的尺寸描述。 | 对比文件没有公开任何结合层及其边缘位置关系，因此技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构《未公开》 | 对比文件没有结合层，也没有凹凸结构描述。 | 对比文件没有公开结合层的凹凸结构，因此技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上《未公开》 | 对比文件没有结合层，也没有凹凸结构描述。 | 对比文件没有公开凹凸结构，更未提及形成在第一支撑构件表面，因此技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同《未公开》 | 对比文件[0097]提到金属层468的材料包括Ag、Al、Ni、Au、Ti、Cr、Pt、Pd、Rh、Re、Ru、W等，转移衬底材料可以是导电材料，但未提及组成相同。 | 对比文件没有公开金属层与第二支撑构件具有相同组成，因此技术特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同《未公开》 | 对比文件没有明确结合层，也没有金属层与结合层组成相同的描述。 | 对比文件未公开此特征，因此技术特征R未被公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同《未公开》 | 对比文件金属层是金属，发光结构是半导体，组成不同，没有相同部分。 | 对比文件未公开金属层包含发光结构材料，因此技术特征S未被公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开/无实质内容） | 无具体引用。 | 该特征为过渡词，无具体结构，不单独判断公开性，不输出代码。 |
| 技术特征U：欧姆层《未公开》 | 对比文件[0053]提到电极材料可包括透明导电氧化物如ITO，但未作为单独的欧姆层。 | 对比文件没有公开在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间设置欧姆层，因此技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间《未公开》 | 同上。 | 同U，未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开/无实质内容） | 无具体引用。 | 同T，不输出代码。 |
| 技术特征X：反射层《未公开》 | 对比文件[0054]提到第二电极20具有高反射率，但未单独设置反射层。 | 对比文件没有公开在欧姆层和第二支撑构件之间设置反射层，因此技术特征X未被公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间《未公开》 | 同上。 | 同X，未公开。 |
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