对比文件名称：2010-02-22_KR1020100020494A_发明公开_KR1020100020494A 발광 다이오드 및 그 제조 방법
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件《直接公开》 | 对比文件[63]：“在步骤(144)中，步骤(142)所提供的结构的支撑-保护侧(例如，Cu-Au侧)可以被安装在抓握带上，例如蓝色带或UV带上。” | 对比文件中的抓握带（蓝色带或UV带）作为支撑构件，用于支撑多个发光器件，与目标专利中第一支撑构件（基底片）的作用相同，均为支撑发光器件阵列。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层《隐含公开》 | 对比文件[63]：“可以被安装在抓握带上”，抓握带通常具有粘性层，且多个器件被安装，对应多个结合区域。 | 对比文件未明确提及“结合层”，但抓握带本身包含粘性层，该粘性层用于将器件固定到抓握带上，具有与目标专利的结合层类似的功能。由于至少两个器件被安装，相应存在至少两个结合区域，因此本领域技术人员能够合理推断出至少两个结合层的存在，故隐含公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上《隐含公开》 | 同上，粘性层布置在抓握带上。 | 基于对比文件[63]的“安装在抓握带上”，结合层（粘性层）必然位于抓握带（第一支撑构件）上，因此隐含公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件《直接公开》 | 对比文件[79]：“Cu支撑层(268)是50μm以上的厚度，由Cu形成。” [144]：“金属支撑层(325)包括硬Cu层(326)。” | 对比文件中的Cu支撑层（金属支撑层）作为导电支撑基板，提供结构支撑和电连接，与目标专利的第二支撑构件作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上《隐含公开》 | 结合特征B、D，从结构可知Cu支撑层通过Au保护层等与抓握带粘性层接触。 | 对比文件中，器件的Cu支撑层（第二支撑构件）的底面（通过Au保护层）直接接触抓握带的粘性层（结合层），且每个器件对应一个结合区域，因此第二支撑构件被布置在结合层上，隐含公开。 |
| 技术特征F：发光结构《直接公开》 | 对比文件[147]：“GaN层(331)包括p型GaN层(316)和n型GaN层(310)，以及p型AlGaN层(314)和多量子阱结构(312)。” | 对比文件公开了由p型GaN层、有源层、n型GaN层构成的发光结构，与目标专利的发光结构相同，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上《直接公开》 | 对比文件[68]和[146]显示p-金属接触在p型GaN层上，且通过粘附层、Au中间层与Cu支撑层连接。 | 发光结构（GaN层）通过p接触、粘附层、Au中间层等设置在Cu支撑层上，因此直接公开了发光结构布置在第二支撑构件上。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层《直接公开》 | 对比文件[147]的n型GaN层(310)。 | 直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层《直接公开》 | 对比文件[147]的p型GaN层(316)。 | 直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层《直接公开》 | 对比文件[147]的多量子阱结构(312)。 | 直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极《直接公开》 | 对比文件[119]：“n-接触(290)形成在n型ITO层上。” [150]：“LED(300)还包括布置在n型ITO(304)上的n接触（即n电极或阴极）。” | 对比文件中的n接触作为第一电极，直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上《直接公开》 | 同上，n接触布置在n型GaN层（通过n型ITO）上。 | 直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接《未公开》 | 对比文件在分离前Cu支撑层是连续的，但未形成额外的金属层连接相邻器件；分离后器件完全独立。 | 对比文件没有公开任何用于连接相邻第二支撑构件的金属层。在制造过程中，Cu支撑层本身是连续的，但不是通过金属层连接，而是同一层。因此，本技术特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米《未公开》 | 对比文件未涉及结合层边缘与发光结构边缘的位置关系。 | 对比文件没有描述结合层的尺寸或与发光结构边缘的关系，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构《未公开》 | 对比文件未描述结合层表面的凹凸结构。 | 对比文件没有提及结合层具有凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上《未公开》 | 对比文件未描述第一支撑构件表面的凹凸结构。 | 对比文件未公开任何凹凸结构形成在第一支撑构件表面上，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同《未公开》 | 对比文件没有金属层。 | 对比文件不存在用于连接第二支撑构件的金属层，因此无法比较组成，未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同《未公开》 | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同《未公开》 | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括《隐含公开》 | 对比文件[68]公开了p-金属接触（欧姆层）。 | 由于对比文件公开了欧姆层，因此隐含公开了“进一步包括”欧姆层这一特征。 |
| 技术特征U：欧姆层《直接公开》 | 对比文件[68]：“p-金属接触(258)形成在p型GaN层上。” | 对比文件中的p-金属接触作为欧姆层，用于降低接触电阻，与目标专利的欧姆层作用相同，直接公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间《直接公开》 | 对比文件[68] p-金属接触在p型GaN层上，且通过粘附层等与Cu支撑层连接。 | p-金属接触位于p型GaN层（第二导电类型半导体层）和Cu支撑层（第二支撑构件）之间，直接公开。 |
| 技术特征W：进一步包括《隐含公开》 | 对比文件[68]公开了p-金属接触包含Ag，可起反射作用。 | 由于对比文件隐含公开了反射层，因此隐含公开了“进一步包括”反射层这一特征。 |
| 技术特征X：反射层《隐含公开》 | 对比文件[68]：“p-金属接触(258)是Ni, Ag, Pt, Ni和/或Au层。”其中Ag为反射材料。 | 对比文件中的p-金属接触包含Ag，Ag具有反射作用，虽未明确称为反射层，但本领域技术人员可以合理推断其具有反射功能，因此隐含公开了反射层。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间《隐含公开》 | 同上，p-金属接触包含Ag，位于p型GaN层和Cu支撑层之间。 | 由于p-金属接触既作为欧姆层又包含反射材料，其位置位于欧姆层（p-金属接触本身）与第二支撑构件之间，但反射层与欧姆层可能部分重叠。但本领域技术人员可以理解，反射材料层位于欧姆层与支撑层之间，因此隐含公开。 |
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