对比文件名称：2006-06-22_JP2006166443A_发明专利_JP2006166443A Large-area transducer array
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：第一支撑构件** <br>《直接公开》 | “[2] 如图1所示，换能器阵列10被示意性地示出为包括基材12。基材12具有前面14和背面16。” | 对比文件明确公开了基材12，其作为支撑换能器阵列的基板，功能与目标专利中用于支撑发光器件阵列的第一支撑构件（基底片）实质性相同，均起到承载和固定后续元件的作用。本领域技术人员能够毫无疑义地确定其即为第一支撑构件的等同结构。 |
| **技术特征B：至少两个结合层** <br>未公开 | 对比文件全文未提及“结合层”或具有类似结合功能的层状结构。 | 对比文件仅描述了基材12上直接布置换能器18，或通过介在层（interposer）30实现电气连接，但介在层主要用于电气互连而非机械结合，且未公开将第二支撑构件结合到第一支撑构件的具体层结构。因此，未公开该特征。 |
| **技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上** <br>未公开 | 同特征B，无相关引用。 | 由于特征B未被公开，结合层布置在第一支撑构件上的内容自然也无从公开。 |
| **技术特征D：第二支撑构件** <br>未公开 | 对比文件未公开任何相当于第二支撑构件（导电支撑基板）的独立结构。 | 目标专利的第二支撑构件是用于支撑发光结构的导电基板，而对比文件中的换能器18直接布置在基材12上，或通过介在层连接电子装置，不存在单独的支撑发光结构的第二支撑构件。 |
| **技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上** <br>未公开 | 同上，无相关引用。 | 由于特征B和D均未公开，该特征自然未公开。 |
| **技术特征F：发光结构** <br>未公开 | 对比文件提及换能器18可包括“光电二极管、背面照射型光电二极管、声学传感器、温度传感器或电磁辐射传感器”，但未具体描述发光结构。 | 目标专利的发光结构特指包含第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层的发光二极管叠层，用于发射光。对比文件虽列举了多种传感器，但未公开任何发光二极管的具体结构，也未涉及有源层发光机制。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该发光结构。 |
| **技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上** <br>未公开 | 同上，无相关引用。 | 由于特征D和F均未公开，该特征未公开。 |
| **技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层** <br>未公开 | 对比文件未公开任何半导体层的导电类型或具体材料。 | 目标专利明确要求第一导电类型半导体层（如n型GaN），对比文件未提及任何半导体层掺杂类型或结构，无法直接或隐含公开。 |
| **技术特征I：第二导电类型半导体层** <br>未公开 | 同特征H。 | 对比文件未公开第二导电类型半导体层，未公开。 |
| **技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层** <br>未公开 | 同特征H。 | 对比文件未公开有源层（发光层）结构，未公开。 |
| **技术特征K：第一电极** <br>未公开 | 对比文件未公开任何位于发光结构上的电极结构。 | 目标专利的第一电极是用于与发光结构第一导电类型半导体层电连接的电极，对比文件未提及类似电极，未公开。 |
| **技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上** <br>未公开 | 同上，无相关引用。 | 由于特征F和K均未公开，该特征未公开。 |
| **技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接** <br>未公开 | 对比文件虽提及换能器元件之间可“水平方向及垂直方向相互电气结合”，但未涉及金属层连接相邻第二支撑构件。 | 目标专利的金属层160a用于连接分离后的导电支撑基板，对比文件无第二支撑构件概念，且换能器间的电气结合方式不同，未公开该特征。 |
| **技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米** <br>未公开 | 对比文件未公开结合层，更未公开其边缘位置尺寸。 | 无相关公开内容。 |
| **技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构** <br>未公开 | 对比文件未公开结合层，也未提及凹凸结构。 | 无相关公开内容。 |
| **技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上** <br>未公开 | 对比文件未公开第一支撑构件表面的凹凸结构。 | 无相关公开内容。 |
| **技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同** <br>未公开 | 对比文件未公开金属层及其组成关系。 | 无相关公开内容。 |
| **技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同** <br>未公开 | 对比文件未公开金属层及结合层，更无组成关系。 | 无相关公开内容。 |
| **技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同** <br>未公开 | 对比文件未公开金属层及发光结构组成关系。 | 无相关公开内容。 |
| **技术特征T：进一步包括** <br>《直接公开》 | “[2] 换能器阵列10包括基材12。” 以及全文多处使用“含む”“含んでいてよい”等表述。 | 对比文件通篇采用“包括”“包含”等开放式措辞来描述元件组合，本领域技术人员能够直接确定其公开了“进一步包括”这一技术特征，即允许在所列元件之外附加其他元件。 |
| **技术特征U：欧姆层** <br>未公开 | 对比文件未提及任何欧姆接触层或类似层。 | 目标专利的欧姆层用于降低第二导电类型半导体层与第二支撑构件之间的接触电阻，对比文件无相关公开。 |
| **技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间** <br>未公开 | 同特征U，无相关引用。 | 由于特征U未被公开，其位置关系更无从谈起。 |
| **技术特征W：进一步包括** <br>《直接公开》 | 同特征T的引用。 | 对比文件同样公开了“包括”的概念，适用于特征W。 |
| **技术特征X：反射层** <br>未公开 | 对比文件未提及任何反射层。 | 目标专利的反射层用于提高光提取效率，对比文件无相关公开。 |
| **技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间** <br>未公开 | 同特征X，无相关引用。 | 由于特征X和U均未公开，该位置关系未公开。 |
### 结论
根据上述特征比对，对比文件JP2006166443A直接公开了技术特征A（第一支撑构件）、技术特征T（进一步包括）和技术特征W（进一步包括）。其余技术特征未被直接公开或隐含公开。
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