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对比文件列表
2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx
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2002-03-12_US6355946B_发明授权_US06355946B1 Semiconductor device with reflector_+++E_G_H_P_Q_i_j+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
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2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2005-02-10_JP2005038939A_发明专利_JP2005038939A Semiconductor device, motor driving device, and motor-driven power steering device_+++A_C_E+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
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2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
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2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
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2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
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2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx

对比文件名称:2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method

目标专利名称:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

本次调用的模型名称:GPT-4

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括金属片《未公开》对比文件未公开独立的金属片结构。对比文件公开的是基板,基材表面形成铜箔导电图案,没有独立的金属片。目标专利的金属片是用于散热和安装芯片的独立薄片(厚度25~75μm),对比文件无此结构,故未公开。
技术特征B:表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片《未公开》对比文件公开芯片安装在LED用パッド(铜箔焊盘)上,并非安装在金属片上。由于对比文件没有金属片,芯片直接固定在铜箔焊盘上,而非目标专利的金属片,故未公开。
技术特征C:在所述金属片上的绝缘层《未公开》对比文件没有金属片,绝缘层是基材,位于铜箔之下,不是金属片上的绝缘层。目标专利的绝缘层在金属片上方,对比文件的绝缘层(基材)在导电图案下方,且无金属片,故未公开。
技术特征D:所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离《直接公开》对比文件公开:基板包括玻璃环氧基材(绝缘层),表面形成铜箔焊盘,芯片固定在焊盘上(“チップ配置用パッド22aにLEDチップ31を…接着固定する”)。基材(绝缘层)与芯片之间通过铜箔焊盘隔离,不直接接触,这与目标专利中绝缘层通过金属片与芯片隔离的作用相同,均为通过金属层实现隔离。本领域技术人员可直接得出该特征。
技术特征E:在所述绝缘层上的引线框《直接公开》对比文件公开:基材表面形成导电图案(配线パターン23),作为引线框(“複数のLED用パッド22とこれらを接続する配線パターン23を導電パターンとして備えて構成される”)。导电图案直接形成在基材(绝缘层)上,相当于引线框,用于电连接,作用相同。因此直接公开。
技术特征F:在所述引线框上的反射涂层《直接公开》对比文件公开:在基板表面形成白色系レジスト膜25,覆盖大部分区域,包括导电图案(引线框)(“残りの大部分を絶縁性を有する白色系のレジスト膜25によって被覆する”)。白色系レジスト膜是反射涂层,形成在引线框上,用于提高光反射性,与目标专利作用相同。直接公开。
技术特征G:模塑材料《直接公开》对比文件公开:透光性樹脂33用于模制LED芯片。透光性树脂即是模塑材料,直接公开。
技术特征H:该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片《直接公开》对比文件公开:撥油性被膜26限制流動状態の樹脂33の形状,使其保持一定形状(“撥油性被膜26によって、流動状態の樹脂33の形状を互いに独立した一定の形状に保つことができる”)。树脂被限制成预定形状(透镜状),以模制芯片,直接公开。
技术特征I:其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间《未公开》对比文件未公开反射涂层内部有空间。白色レジスト膜是覆盖层,没有形成内部空间。目标专利的反射涂层围成第一空间,对比文件的反射涂层为覆盖层,无内部空间,故未公开。
技术特征J:所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部《未公开》依赖于I,对比文件未公开第一空间,故未公开。同上。
技术特征K:和设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中《未公开》对比文件未公开由绝缘层和引线框包围的第二空间。模塑材料设置在拨油性被膜围成的区域,非绝缘层和引线框包围。目标专利的第二空间由绝缘层和引线框包围,对比文件无此结构,故未公开。
技术特征L:其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上《未公开》依赖于I,对比文件未公开第一空间,故未公开。同上。
技术特征M:其中所述金属片具有25μm~75μm的厚度《未公开》对比文件无金属片,未公开厚度。目标专利的金属片厚度特定,对比文件未公开,故未公开。
技术特征N:其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成《直接公开》对比文件公开:基材21由ガラスエポキシ等(玻璃环氧等)形成(“ガラスエポキシ等の長尺基材21”)。绝缘层(基材)由玻璃环氧基材料形成,直接公开。
技术特征O:其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成《隐含公开》对比文件公开基材为玻璃环氧等,未明确指定FR-4。本领域技术人员知道FR-4是常用的玻璃环氧基阻燃剂型号,玻璃环氧材料通常包括FR-4,因此可合理推断基材可以是FR-4树脂,故隐含公开。
技术特征P:其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分《隐含公开》对比文件公开白色系レジスト膜,未公开具体成分。白色树脂通常以氧化钛为白色颜料,本领域技术人员可合理推断白色系レジスト膜包含氧化钛和树脂作为主组分,故隐含公开。
技术特征Q:其中所述反射涂层由白色树脂制成《直接公开》对比文件公开:白色系レジスト膜(白色系的抗蚀剂膜)。白色系レジスト膜即白色树脂,直接公开。
技术特征R:所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成《未公开》对比文件未公开白色树脂的混合成分。目标专利限定了白色树脂中混合有特定填料,对比文件未提及,故未公开。
技术特征S:其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上《未公开》对比文件公开白色レジスト膜覆盖基板大部分区域,包括绝缘层和引线框,并非仅形成在引线框上。目标专利的反射涂层仅形成在引线框的部分区域,对比文件的反射涂层覆盖整个基板表面(除焊盘外),故未公开。

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