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对比文件列表
2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx
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2002-03-12_US6355946B_发明授权_US06355946B1 Semiconductor device with reflector_+++E_G_H_P_Q_i_j+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
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2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2005-02-10_JP2005038939A_发明专利_JP2005038939A Semiconductor device, motor driving device, and motor-driven power steering device_+++A_C_E+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
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2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx

对比文件名称:2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME

目标专利名称:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

本次调用的模型名称:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译)公开性论述
A: 包括金属片 《直接公开》[0021] “底部热沉30由导热材料制成,耦合到引线框20的底部侧面26……可以使用介电层实现电隔离。” 底部热沉为金属片。对比文件明确公开了底部热沉30,其为金属片,用于散热,与目标专利中金属片(作为散热及支撑结构)具有相同结构,因此直接公开。
B: 表面安装在金属片上的发光二极管芯片 《未公开》[0023] “LED组件50包括至少一个发光器件,安装在安装垫28上。” 安装垫属于引线框的一部分,并非金属片(底部热沉)。对比文件未公开LED芯片直接安装在金属片(底部热沉)上,而是安装在引线框的安装垫上,因此未公开。
C: 在金属片上的绝缘层 《直接公开》[0021] “可以使用介电层实现电隔离,例如填充陶瓷颗粒的粘合剂,位于引线框和底部热沉之间。”对比文件公开了介电层位于底部热沉(金属片)上,即绝缘层在金属片上,直接公开。
D: 绝缘层与发光二极管芯片隔离 《直接公开》[0021] 介电层在底部热沉上;[0023] LED芯片安装在引线框上,引线框位于介电层上方。介电层位于底部热沉与引线框之间,LED芯片安装在引线框上,因此介电层与LED芯片被引线框隔开,实现隔离,直接公开。
E: 在绝缘层上的引线框 《直接公开》[0021] “引线框20具有顶部侧面24和底部侧面26……底部热沉30耦合到引线框的底部侧面,介电层位于两者之间。”引线框位于介电层之上,即绝缘层上的引线框,直接公开。
F: 在引线框上的反射涂层 《未公开》[0024] “反射器60耦合到顶部热沉40,围绕安装垫28。” 反射器并非形成在引线框上。对比文件未公开反射涂层直接形成在引线框上,而是独立反射器或集成于顶部热沉,因此未公开。
G: 模塑材料 《直接公开》[0026] “封闭腔体44填充有透明封装剂,例如硅树脂。”对比文件公开了封装剂(模塑材料),用于填充腔体并包围LED芯片,直接公开。
H: 该模塑材料以预定形状模制发光二极管芯片 《直接公开》[0026] 封装剂填充由引线框、顶部热沉开口和透镜界定的腔体,形成预定形状。封装剂在腔体内固化,形成由周围部件限定的预定形状,从而模制LED芯片,直接公开。
I: 反射涂层包括在其内部的第一空间 《隐含公开》[0022] “顶部热沉40限定开口42,开口42大体围绕安装垫28。” 反射器60耦合到顶部热沉,也围绕开口,形成内部空间。对比文件公开了反射器内部有开口(第一空间),虽然反射器并非涂层,但该结构功能与反射涂层内部空间类似,本领域技术人员可能认为其等同,因此隐含公开。
J: 模塑材料设置在反射涂层的第一空间的内部 《隐含公开》[0026] 封装剂填充在腔体44内,即反射器60所围绕的开口内部空间。封装剂设置在反射器内部空间,对应于反射涂层内部的第一空间,隐含公开。
K: 设置在由绝缘层和引线框所包围的第二空间中 《未公开》对比文件未公开绝缘层和引线框共同包围的第二空间;封装剂仅位于顶部腔体,不在绝缘层与引线框之间。对比文件没有任何关于绝缘层与引线框围成第二空间的描述,因此未公开。
L: 模塑材料部分形成在高于反射涂层内部的第一空间的垂直位置上 《隐含公开》[0026] 封装剂填充腔体,透镜70覆盖开口42,透镜位于反射器上方,因此封装剂在反射器内部空间及透镜下方均有分布,部分高于反射器内部空间。对比文件显示出封装剂填充至透镜下方,透镜高于反射器,因此部分封装剂位于反射器内部空间垂直上方,隐含公开。
M: 金属片具有25μm~75μm的厚度 《未公开》[0029] “底部热沉30的厚度可处于1.5mm至3mm之间。”对比文件公开的底部热沉厚度远大于25~75μm,且未提及该范围,因此未公开。
N: 绝缘层由玻璃环氧基材料形成 《未公开》[0021] 介电层为“填充陶瓷颗粒的粘合剂”,并非玻璃环氧基材料。对比文件未公开玻璃环氧基材料作为绝缘层,因此未公开。
O: 绝缘层由阻燃剂-4树脂形成 《未公开》对比文件未提及FR-4树脂。未公开。
P: 反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分 《未公开》对比文件未提及反射涂层成分。未公开。
Q: 反射涂层由白色树脂制成 《未公开》对比文件未提及白色树脂。未公开。
R: 白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成 《未公开》对比文件未提及相关成分混合。未公开。
S: 反射涂层仅形成在引线框的部分区域上 《未公开》对比文件未提及反射涂层在引线框上的部分区域形成。未公开。

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