**对比文件名称:** 1997-07-08_US5645948A_发明授权_US5645948A Blue organic electroluminescent devices
**目标专利名称:** 1842有机发光器件和制造该有机发光器件的方法 CN101675144B
**本次调用的模型名称:** 未指定
---
### 特征比对表格
| 第一栏:技术特征描述及公开性判断结果 | 第二栏:对比文件原文引用(翻译或原文) | 第三栏:公开性论述 |
| 技术特征A:该有机发光器件包括第一电极 **《直接公开》** | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS”部分记载:“Anode 104 is separated from cathode 106 by an organic EL medium 108”(阳极104与阴极106由有机EL介质108隔开)。实施例3步骤a)使用铟锡氧化物(ITO)涂覆的玻璃基底,形成阳极。 | 对比文件明确公开了有机发光器件中的第一电极(阳极),其功能与目标专利中第一电极的作用相同,均为注入空穴。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术特征已被直接公开。 |
| 技术特征B:第二电极 **《直接公开》** | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS”部分记载:“Anode 104 is separated from cathode 106 by an organic EL medium 108”。实施例3步骤f)沉积由Mg:Ag(10:1原子比)形成的阴极层(2000Å)。 | 对比文件明确公开了有机发光器件中的第二电极(阴极),其功能与目标专利中第二电极的作用相同,均为注入电子。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术特征已被直接公开。 |
| 技术特征C:和包括设置在所述电极之间的发光层的至少一个有机材料层 **《直接公开》** | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS”部分记载:“The organic EL medium 108, which, as shown, consists of two superimposed layers of organic thin films. Layer 110 ... forms a hole-transport layer ... Layer 112 ... forms an electron-transport layer.” 同时记载:“The region where the hole and electron recombine is known as the recombination zone.” 图2中明确标出发光层(Luminescent layer)212。实施例3步骤d)在空穴传输层上沉积发光层TPBI(200Å)。 | 对比文件公开了设置在阳极与阴极之间的有机EL介质包括至少一个发光层,该发光层位于电极之间,用于产生电致发光。与目标专利中发光层的作用完全相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术特征已被直接公开。 |
| 技术特征D:其中,所述有机材料层的至少一层包含掺杂有选自金属卤化物、金属氧化物和有机金属中的至少一种化合物的电子传输材料 | 对比文件全文未记载任何关于电子传输层或有机材料层掺杂有金属卤化物、金属氧化物或有机金属化合物的内容。对比文件中电子传输层采用Alq3(三(8-羟基喹啉)铝),且未进行掺杂。 | 对比文件既未公开在电子传输材料中掺杂所述化合物,也未公开任何层包含此类掺杂。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理地推导出该技术特征。因此,该技术特征未被对比文件直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征E:所述电子传输材料是含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基和喹啉基中的官能团的化合物 | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS”部分记载了苯并唑类化合物(benzazoles),其结构中含有咪唑基、噁唑基或噻唑基(例如通式I中的Z=O、NR、S,以及具体化合物TPBI(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯))。但对比文件将这些化合物用作发光层材料(如实施例3中TPBI作为发光层),而非电子传输材料。对比文件的电子传输层材料为Alq3(金属螯合oxinoid化合物),不含有上述官能团。 | 对比文件虽然公开了含有咪唑基、噁唑基、噻唑基的化合物,但未将其作为电子传输材料使用,也未公开该化合物具有电子传输功能。目标专利明确要求电子传输材料为含有这些官能团的化合物,而对比文件中的电子传输材料(Alq3)不满足该特征。因此,该技术特征未被对比文件直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征F:其中,所述含有选自咪唑基、噁唑基和噻唑基中的官能团的化合物为下列通式3的化合物 | 对比文件未公开通式3所示的化合物。对比文件公开的通式I为:`##STR2##` 其中n=3-8,Z=O、NR或S,R和R'为氢、烷基、芳基等,B为连接单元。该结构与目标专利的通式3不同。 | 对比文件没有公开通式3的具体结构,也没有公开与其完全相同的化合物。通式3是目标专利中特定的一类化合物,对比文件中未出现。因此,本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含地得到该技术特征。 |
| 技术特征G:[通式3] | 对比文件未包含通式3的化学结构式。 | 对比文件中没有该结构式,无法进行比对。该技术特征未被公开。 |
| 技术特征H:其中,R5至R7彼此相同或不同,各自独立地为氢原子、C1~C20脂肪族烃、芳环、芳杂环、或脂肪族或芳族稠环 | 对比文件未公开通式3,因此未公开R5至R7的定义。 | 由于对比文件未公开通式3,其相应的取代基定义自然未被公开。该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I:Ar为直接键合、芳环、芳杂环、或脂肪族或芳族稠环 | 对比文件未公开通式3,因此未公开Ar的定义。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J:X为O、S或NRa | 对比文件未公开通式3,因此未公开X的定义。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征K:Ra为氢原子、C1~C7脂肪族烃、芳环或芳杂环 | 对比文件未公开通式3,因此未公开Ra的定义。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征L:条件是R5和R6不能同时为氢;并且中,所述含有喹啉基的化合物选自下列通式5~11的化合物 | 对比文件未公开通式3,因此未提及R5和R6的限制条件。对比文件“DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS”部分在定义R和R'时提到“quinolinyl”作为杂芳基取代基的实例,但未公开通式5~11所示的喹啉基化合物。通式5~11是目标专利中特定的含有喹啉基的化合物结构,对比文件未给出这些具体结构。 | 对比文件既未公开R5和R6不能同时为氢的条件,也未公开通式5~11的喹啉基化合物。因此,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征M:[通式5] | 对比文件未包含通式5的化学结构式。 | 对比文件中没有该结构式,无法进行比对。该技术特征未被公开。 |
| 技术特征N:[通式6] | 对比文件未包含通式6的化学结构式。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征O:[通式7] | 对比文件未包含通式7的化学结构式。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征P:[通式8] | 对比文件未包含通式8的化学结构式。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征Q:[通式9] | 对比文件未包含通式9的化学结构式。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征R:[通式10] | 对比文件未包含通式10的化学结构式。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征S:[通式11] | 对比文件未包含通式11的化学结构式。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征T:其中,n为0~9范围内的整数 | 对比文件未公开通式5~11,因此未公开n的定义。 | 由于通式5~11未被公开,相关参数n自然未被公开。该技术特征未被公开。 |
| 技术特征U:m为2以上的整数 | 对比文件未公开通式5~11,因此未公开m的定义。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征V:R9为选自氢、烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、杂环基、卤素、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、氨基甲酰基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基和与相邻基团一起形成的环状结构中的一种 | 对比文件未公开通式5~11,因此未公开R9的定义。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征W:上述取代基可为未取代的或取代的 | 对比文件未公开通式5~11及其取代基,因此未提及取代基是否可被取代。 | 该技术特征依赖于通式5~11,而这些结构未被公开,故该特征未被公开。 |
| 技术特征X:当n是2以上时,上述取代基彼此相同或不同 | 对比文件未公开通式5~11及其参数n,因此未公开该条件。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征Y:Y为上述R9基团中具有2以上价数的基团。 | 对比文件未公开通式5~11,因此未公开Y的定义。 | 同上,该技术特征未被公开。 |
| 技术特征Z:其中,所述有机材料层进一步包括空穴注入层、空穴传输层或空穴注入和传输层。 **《直接公开》** | 对比文件“DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS”部分记载了图3所示的器件结构,其中有机EL介质308包括空穴注入层310、空穴传输层312、发光层314、电子传输层316和电子注入层318。实施例3步骤b)和c)依次沉积了铜酞菁空穴注入层(150Å)和NPB空穴传输层(600Å)。 | 对比文件明确公开了有机材料层中包括空穴注入层和空穴传输层,这些层的作用与目标专利中相同,用于改善空穴注入和传输。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术特征已被直接公开。 |
---
**结论:**
对比文件US5645948A直接公开了技术特征A、B、C、Z,未直接公开或隐含公开其他技术特征。
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<Z>>>