**对比文件名称：** 2004-11-16_US6818329B_发明授权_US06818329B1 Organic electroluminescent devices having a metal sub-layer within a hole-transporting region
**目标专利名称：** 1842有机发光器件和制造该有机发光器件的方法CN101675144B
**本次调用的模型名称：** GPT-4
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文，并注明出处） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该有机发光器件包括第一电极<br>《直接公开》 | 对比文件“发明内容”部分记载：“a) 阳极”。在“详细描述”中进一步说明器件包括阳极120（参见图3A及相关描述）。 | 对比文件明确公开了有机发光器件包括阳极，即第一电极。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该特征。 |
| **技术特征B**：第二电极<br>《直接公开》 | 对比文件“发明内容”部分记载：“e) 阴极”。在“详细描述”中进一步说明器件包括阴极140（参见图3A及相关描述）。 | 对比文件明确公开了阴极，即第二电极。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该特征。 |
| **技术特征C**：和包括设置在所述电极之间的发光层的至少一个有机材料层<br>《直接公开》 | 对比文件“发明内容”部分记载：“c) 发光层，与空穴传输区域接触，用于响应空穴-电子复合而产生光”。在“详细描述”中进一步说明发光层（LEL）134设置在阳极120和阴极140之间，且还包括空穴传输区域、电子传输层等（参见图3A）。 | 对比文件明确公开了在阳极与阴极之间设置有发光层以及至少一个有机材料层（如空穴传输层、电子传输层）。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该特征。 |
| **技术特征D**：其中，所述有机材料层的至少一层包含掺杂有选自金属卤化物、金属氧化物和有机金属中的至少一种化合物的电子传输材料<br>（未公开） | 对比文件未公开在电子传输层中掺杂金属卤化物、金属氧化物或有机金属。对比文件中的电子传输层使用Alq等材料，未掺杂；仅在实施例10中使用了Li掺杂的Alq（Alq:Li），但Li是金属单质，并非金属卤化物、金属氧化物或有机金属。对比文件也没有任何教导或暗示将所述化合物掺杂到电子传输材料中。 | 对比文件没有公开在电子传输材料中掺杂选自金属卤化物、金属氧化物和有机金属中的至少一种化合物。本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含地得到该技术特征。 |
| **技术特征E**：所述电子传输材料是含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基和喹啉基中的官能团的化合物<br>《直接公开》 | 对比文件“电子传输层”部分记载：“优选的成膜材料是金属螯合的喔星化合物，包括喔星本身的螯合物，通常称为8-羟基喹啉或8-羟基喹啉的化合物”。具体列举了Alq（三(8-羟基喹啉)铝）等，并指出Alq用于形成电子传输层。Alq的配体8-羟基喹啉含有喹啉基团。 | 对比文件公开了电子传输材料Alq，其含有喹啉基。因此，对比文件直接公开了含有喹啉基的电子传输材料。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该特征。 |
| **技术特征F**：其中，所述含有选自咪唑基、噁唑基和噻唑基中的官能团的化合物为下列通式3的化合物<br>（未公开） | 对比文件全文未涉及任何关于咪唑基、噁唑基或噻唑基的化合物，更未公开通式3所示的化合物。 | 对比文件完全没有提及咪唑基、噁唑基、噻唑基的化合物，也没有公开通式3的结构。本领域技术人员不能从对比文件得到该特征。 |
| **技术特征G**：[通式3]<br>（未公开） | 对比文件无此通式。 | 对比文件未公开通式3。 |
| **技术特征H**：其中，R5至R7彼此相同或不同，各自独立地为氢原子、C1～C20脂肪族烃、芳环、芳杂环、或脂肪族或芳族稠环<br>（未公开） | 对比文件未涉及任何与通式3相关的取代基定义。 | 对比文件未公开R5～R7的定义。 |
| **技术特征I**：Ar为直接键合、芳环、芳杂环、或脂肪族或芳族稠环<br>（未公开） | 对比文件未涉及任何与通式3相关的Ar定义。 | 对比文件未公开Ar的定义。 |
| **技术特征J**：X为O、S或NRa<br>（未公开） | 对比文件未涉及任何与通式3相关的X定义。 | 对比文件未公开X的定义。 |
| **技术特征K**：Ra为氢原子、C1～C7脂肪族烃、芳环或芳杂环<br>（未公开） | 对比文件未涉及任何与通式3相关的Ra定义。 | 对比文件未公开Ra的定义。 |
| **技术特征L**：条件是R5和R6不能同时为氢；并且中，所述含有喹啉基的化合物选自下列通式5～11的化合物<br>（未公开） | 对比文件未公开关于R5和R6不能同时为氢的条件；对比文件未公开通式5～11所示的喹啉基化合物。 | 对比文件既未公开关于R5和R6的条件，也未公开通式5～11的化合物。本领域技术人员不能从对比文件得到该特征。 |
| **技术特征M**：[通式5]<br>（未公开） | 对比文件无此通式。 | 对比文件未公开通式5。 |
| **技术特征N**：[通式6]<br>（未公开） | 对比文件无此通式。 | 对比文件未公开通式6。 |
| **技术特征O**：[通式7]<br>（未公开） | 对比文件无此通式。 | 对比文件未公开通式7。 |
| **技术特征P**：[通式8]<br>（未公开） | 对比文件无此通式。 | 对比文件未公开通式8。 |
| **技术特征Q**：[通式9]<br>（未公开） | 对比文件无此通式。 | 对比文件未公开通式9。 |
| **技术特征R**：[通式10]<br>（未公开） | 对比文件无此通式。 | 对比文件未公开通式10。 |
| **技术特征S**：[通式11]<br>（未公开） | 对比文件无此通式。 | 对比文件未公开通式11。 |
| **技术特征T**：其中，n为0～9范围内的整数<br>（未公开） | 对比文件未涉及通式5～11中n的定义。 | 对比文件未公开n的取值范围。 |
| **技术特征U**：m为2以上的整数<br>（未公开） | 对比文件未涉及通式5～11中m的定义。 | 对比文件未公开m的取值范围。 |
| **技术特征V**：R9为选自氢、烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、杂环基、卤素、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、氨基甲酰基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基和与相邻基团一起形成的环状结构中的一种<br>（未公开） | 对比文件未涉及通式5～11中R9的定义。 | 对比文件未公开R9的定义。 |
| **技术特征W**：上述取代基可为未取代的或取代的<br>（未公开） | 对比文件未涉及通式5～11中取代基的取代情况。 | 对比文件未公开取代基是否可被取代。 |
| **技术特征X**：当n是2以上时，上述取代基彼此相同或不同<br>（未公开） | 对比文件未涉及通式5～11中n大于1时取代基的关系。 | 对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征Y**：Y为上述R9基团中具有2以上价数的基团<br>（未公开） | 对比文件未涉及通式5～11中Y的定义。 | 对比文件未公开Y的定义。 |
| **技术特征Z**：其中，所述有机材料层进一步包括空穴注入层、空穴传输层或空穴注入和传输层<br>《直接公开》 | 对比文件在“实施例”部分明确使用了空穴注入层（CFx，厚度1nm）和空穴传输层（NPB）。在“空穴传输层”部分详细描述了空穴传输材料，并指出空穴传输区域可包含多个空穴传输层。在“详细描述”中说明器件包括空穴注入层和空穴传输层（参见图3A中的HTL 131.1和HTL 131.2）。 | 对比文件直接公开了空穴注入层、空穴传输层。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该特征。 |
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### 公开性代码输出
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、E、Z，未直接或隐含公开其他技术特征。
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<E>>><<<Z>>>