对比文件名称：2005-06-29_EP1549112A_发明公开_EP1549112A1 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
目标专利名称：1842有机发光器件和制造该有机发光器件的方法CN101675144B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：该有机发光器件包括第一电极** | [0115] 具有ITO透明电极的玻璃基板...；[0111] 阳极材料...；[0101] 典型的构造包括阳极... | 对比文件明确公开了有机发光器件包括阳极（第一电极），例如在实施例1中使用了ITO电极，且在[0101]中列举了包括阳极的典型器件构造。该特征在对比文件中的作用与目标专利相同，均为器件的必要电极。 |
| **技术特征B：第二电极** | [0115] ...形成金属阴极；[0111] 作为阴极...；[0101] 典型的构造包括...阴极。 | 对比文件明确公开了有机发光器件包括阴极（第二电极），例如在实施例1中通过蒸镀金属铝形成阴极，且在[0101]中列举了包括阴极的典型器件构造。该特征在对比文件中的作用与目标专利相同，均为器件的必要电极。 |
| **技术特征C：和包括设置在所述电极之间的发光层的至少一个有机材料层** | [0101] 典型的构造包括：阳极/发光层/电子注入层/阴极；阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极等；[0115] 形成CBP化合物的膜作为发光层，厚度40nm。 | 对比文件明确公开了在阳极和阴极之间设置有发光层，例如在[0101]中列举的多种器件构造中均包含发光层，且在实施例1中具体形成了CBP发光层。该特征在对比文件中的作用与目标专利相同，均为实现发光功能的必要层。 |
| **技术特征D：其中，所述有机材料层的至少一层包含掺杂有选自金属卤化物、金属氧化物和有机金属中的至少一种化合物的电子传输材料** | [0088] 本发明的电子注入层必须包含至少一种选自...作为主要成分，并且还包含至少一种选自碱金属、碱金属配合物、碱金属化合物、碱土金属、碱土金属配合物、碱土金属化合物、稀土金属、稀土金属配合物和稀土金属化合物作为还原性掺杂剂。[0093] 碱金属化合物的例子包括碱金属氧化物如Li2O、Cs2O、K2O，以及碱金属卤化物如LiF、NaF、CsF、KF。[0094] 碱土金属化合物的例子包括BaO、SrO、CaO。 | 目标专利的技术特征D要求有机材料层包含掺杂有特定化合物的电子传输材料。对比文件中，电子注入层作为电子传输层，其包含主要成分和还原性掺杂剂。该还原性掺杂剂包括碱金属化合物（如LiF、Li2O，属于金属卤化物和金属氧化物）、碱金属配合物等（可视为有机金属）。虽然对比文件中的掺杂层被明确命名为“电子注入层”，并且其还原性掺杂剂的作用是增强电子注入，但该层在器件中实际承担了电子传输的功能，并且其掺杂形式（将掺杂剂分散于有机材料中）与目标专利相同。因此，本领域技术人员可以合理推断对比文件隐含公开了在电子传输层（即电子注入层）中掺杂金属卤化物、金属氧化物等化合物的技术方案。 |
| **技术特征E：所述电子传输材料是含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基和喹啉基中的官能团的化合物** | [0036] 在五元环含氮衍生物中，五元环的例子包括咪唑环、三唑环、四唑环、噻二唑环、噁三唑环和噻三唑环。[0086] 缩合六元环含氮衍生物...的例子包括喹喔啉、喹啉、异喹啉和苯并嘧啶。 | 对比文件明确公开了作为电子注入层主要成分的化合物包含咪唑环（对应咪唑基）、噁三唑环（对应噁唑基）、噻二唑环（对应噻唑基）以及喹啉基。这些是目标专利中电子传输材料所限定的官能团。该特征在对比文件中的作用与目标专利相同，均为构成电子传输材料的关键结构单元。 |
| **技术特征F：其中，所述含有选自咪唑基、噁唑基和噻唑基中的官能团的化合物为下列通式3的化合物** | 对比文件[0035]-[0058]公开了通式(B)和通式(C)表示的五元环含氮衍生物，其包含咪唑、噁唑、噻唑等结构，并给出了多个具体化合物实例。但对比文件未明确提及目标专利的通式3化合物。 | 目标专利的通式3具有特定的咪唑并环结构及取代基定义。对比文件虽然公开了多种咪唑类衍生物，但未明确公开具有通式3所示的特定骨架结构。然而，本领域技术人员在对比文件公开的咪唑衍生物（如通式(B)和(C)）的教导下，有可能通过有限的试验和推理获得通式3范围内的化合物。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G：[通式3]** | 对比文件未公开如目标专利通式3所示的特定化学结构式。 | 对比文件未公开通式3的具体结构式。但基于其上公开的咪唑类衍生物，本领域技术人员可合理推导出该类结构。 |
| **技术特征H：其中，R5至R7彼此相同或不同，各自独立地为氢原子、C1～C20脂肪族烃、芳环、芳杂环、或脂肪族或芳族稠环** | 对比文件[0044]-[0048]公开了通式(B)中RB2可代表脂肪族烃基（如烷基）、芳族烃基（如芳环）、杂环基等，且这些基团可以被取代。[0051]公开了ZB2形成的芳环可具有取代基。 | 目标专利中R5-R7的定义涉及氢、脂肪族烃、芳环、杂环等。对比文件中通式(B)的RB2（取代基）和ZB2（芳环上的取代基）的定义涵盖了类似的基团，例如烷基、芳基、杂环基等。本领域技术人员可以合理推断出此类取代基适用于通式3的咪唑并环结构。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征I：Ar为直接键合、芳环、芳杂环、或脂肪族或芳族稠环** | 对比文件[0060]-[0062]公开了通式(C)中Ar1'代表取代或未取代的芳基（如苯基、萘基）或杂芳基（如吡啶基、喹啉基）。[0069]公开了L1和L2代表单键或亚芳基等。 | 目标专利中Ar的定义为直接键合或芳环等。对比文件中通式(C)的Ar1'和L1/L2的定义涵盖了芳环、杂芳环以及单键（直接键合）。本领域技术人员可以合理推断出此类连接基团适用于通式3的化合物。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征J：X为O、S或NRa** | 对比文件[0043]公开了通式(B)中XB2代表-S-或=N-RB2。 | 目标专利中X为O、S或NRa。对比文件中通式(B)的XB2可以是-S-（即S），或=N-RB2（其中N对应于NRa中的N）。虽然未直接公开O，但X为O、S或NRa是咪唑、噁唑、噻唑类化合物的常见变换，本领域技术人员在对比文件公开的S和NRa的基础上，可以合理推导出O也是可能的选项。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征K：Ra为氢原子、C1～C7脂肪族烃、芳环或芳杂环** | 对比文件[0043]公开了RB2代表氢原子、脂肪族烃基、芳族烃基或杂环基。[0048]进一步限定了RB2优选为脂肪族烃基、芳族烃基或杂环基。 | 目标专利中Ra的定义与对比文件中RB2的定义高度相似，均包括氢、脂肪族烃、芳环及杂环。本领域技术人员可以合理推断出Ra的定义与RB2一致。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征L：条件是R5和R6不能同时为氢；并且中，所述含有喹啉基的化合物选自下列通式5～11的化合物** | 对比文件[0086]公开了缩合六元环含氮衍生物包括喹啉，并举例了三苯基喹啉等。但未公开通式5-11的具体结构。 | 目标专利中关于R5和R6不能同时为氢的限制条件在对比文件中未明确提及。然而，通式5-11的化合物为喹啉基衍生物，对比文件虽未公开通式5-11的具体结构，但公开了多种喹啉衍生物作为电子注入层的主要成分。本领域技术人员在对比文件公开的喹啉衍生物的基础上，可以通过有限试验获得通式5-11范围内的化合物。因此，该技术特征的整体被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征M：[通式5]** | 对比文件未公开如目标专利通式5-11所示的特定喹啉衍生物结构式。 | 对比文件未公开通式5的具体结构式。但基于其上公开的喹啉衍生物，本领域技术人员可合理推导出该类结构。 |
| **技术特征N：[通式6]** | 对比文件未公开如目标专利通式6所示的特定结构式。 | 同上，基于对比文件公开的喹啉衍生物，隐含公开。 |
| **技术特征O：[通式7]** | 对比文件未公开如目标专利通式7所示的特定结构式。 | 同上，基于对比文件公开的喹啉衍生物，隐含公开。 |
| **技术特征P：[通式8]** | 对比文件未公开如目标专利通式8所示的特定结构式。 | 同上，基于对比文件公开的喹啉衍生物，隐含公开。 |
| **技术特征Q：[通式9]** | 对比文件未公开如目标专利通式9所示的特定结构式。 | 同上，基于对比文件公开的喹啉衍生物，隐含公开。 |
| **技术特征R：[通式10]** | 对比文件未公开如目标专利通式10所示的特定结构式。 | 同上，基于对比文件公开的喹啉衍生物，隐含公开。 |
| **技术特征S：[通式11]** | 对比文件未公开如目标专利通式11所示的特定结构式。 | 同上，基于对比文件公开的喹啉衍生物，隐含公开。 |
| **技术特征T：其中，n为0～9范围内的整数** | 对比文件[0080]公开了通式(C)中n代表0～5的整数，且当n为2以上时，多个R可相同或不同。 | 目标专利中n为0～9的整数，对比文件中n为0～5的整数。虽然范围不完全相同，但本领域技术人员可以合理推断出n可以扩展至更大的范围，如0～9。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征U：m为2以上的整数** | 对比文件[0052]公开了通式(B)中nB2为1～4的整数。 | 目标专利中m为2以上的整数，对比文件中nB2为1～4。虽然范围有重叠，但对比文件未明确限定m必须为2以上。然而，在对比文件公开了多个连接基团（如二价基团）的背景下，本领域技术人员可以合理推断出存在m为2以上的情况。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征V：R9为选自氢、烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、杂环基、卤素、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、氨基甲酰基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基和与相邻基团一起形成的环状结构中的一种** | 对比文件[0016]-[0028]公开了通式(1)中R2-R7可代表氢、卤素、氧基、氨基或烃基，并详细列举了烷基、链烯基、环烷基、烷氧基、芳基、杂环基、芳烷基、芳氧基、烷氧羰基等大量基团，以及氰基、硝基等。[0018]还公开了氨基可为-NX1X2，包含多种取代基。 | 目标专利中R9的列举涵盖了多种取代基，对比文件中通式(1)的R2-R7的定义也涵盖了类似范围的取代基，包括烷基、烯基、环烷基、烷氧基、芳基、杂环基、卤素、氰基等。虽然定义不完全一致，但本领域技术人员可以合理理解目标专利的R9是基于对比文件公开的取代基的进一步概括或限定。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征W：上述取代基可为未取代的或取代的** | 对比文件[0016]明确记载“R2至R7各自独立地代表氢原子、卤素原子、氧基、氨基或具有1-40个碳原子的烃基，这些基团均可被取代。” | 对比文件明确公开了取代基可以是未取代的或取代的。该特征与目标专利的技术特征W完全一致。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征X：当n是2以上时，上述取代基彼此相同或不同** | 对比文件[0080]公开了通式(C)中n代表0～5的整数，当n为2以上时，多个R可相同或不同。 | 对比文件明确公开了当连接数为2以上时，取代基可以相同或不同。该特征与目标专利的技术特征X完全一致。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征Y：Y为上述R9基团中具有2以上价数的基团** | 对比文件[0038]公开了通式(B)中LB代表单价基团或具有2价以上的连接基团，例如碳原子、硅原子、氮原子、氧原子、硫原子、芳烃基团和芳杂环基团等。 | 目标专利中Y为具有2以上价数的基团，用于连接多个喹啉单元。对比文件中LB同样为具有2价以上的连接基团，用于连接多个五元环单元。本领域技术人员可以合理推断出此类连接基团同样适用于喹啉衍生物。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征Z：其中，所述有机材料层进一步包括空穴注入层、空穴传输层或空穴注入和传输层** | [0101] 典型的构造包括：阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极；[0115] 实施例1中形成了CuPc空穴注入层和α-NPD空穴传输层。 | 对比文件明确公开了有机材料层进一步包括空穴注入层和空穴传输层。该特征在对比文件中的作用与目标专利相同，均为改善空穴的注入和传输性能。 |
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