对比文件的名称：2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
目标专利的名称：329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
特征比对表格：
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第一电感器绕组，其包括导电材料<br>《直接公开》 | 第[0038]段：“... four 15 micron thick layers of copper interconnect 147-150.” 图9：“FIG. 9 shows the thicker conductors 156 and 157 that are realized in non-semiconductor substrate 143.” | 对比文件公开了一种变压器结构，其包括在非半导体基板143中实现的第一导体156（见图9），该导体是变压器的一部分（例如初级或次级），并且由导电材料铜构成。本领域技术人员能够毫无疑义地确定该导体156即为电感器绕组。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：第二电感器绕组，其包括导电材料<br>《直接公开》 | 第[0038]段：“... four 15 micron thick layers of copper interconnect 147-150.” 图9：“FIG. 9 shows the thicker conductors 156 and 157 that are realized in non-semiconductor substrate 143.” | 对比文件图9同样公开了第二导体157，其与第一导体156相邻设置，同样是变压器的一部分并由导电材料铜构成。本领域技术人员能够毫无疑义地确定该导体157即为另一电感器绕组。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：填充物，其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间，<br>《未公开》 | 第[0038]段：“... non-semiconductor substrate 143 is a laminated structure and includes an epoxy-resin dielectric layer 144 that is 60 microns thick. ... Non-semiconductor substrate 143 further includes two other 40 micron thick dielectric layers 145 and 146...” | 对比文件公开了其非半导体基板143为包含多个介电层（如环氧树脂层144）的层压结构。这些介电层构成了基板的主体，用于支撑和绝缘其中的导体（156，157）。然而，目标专利中的“填充物”是特指横向位于两个电感器绕组之间、用于提供“结构耦合”的独立材料（如说明书[0051]段所述的环氧树脂）。对比文件并未描述在两个绕组导体156和157之间专门设置一种不同于基板主体材料的“填充物”。两个导体156和157是嵌入在基板的整体层状结构中的。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征D**：所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合，<br>《未公开》 | 无相关引用。 | 如特征C所述，对比文件未公开专门设置于绕组之间并提供“结构耦合”的“填充物”。其基板介电层的主要作用是作为多层互连结构的绝缘和支撑基底，而非专门用于在两个分立绕组之间提供机械结构耦合以形成独立单元。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。<br>《未公开》 | 第[0038]段：“... non-semiconductor substrate 143 is a laminated structure ...”。图7清晰地显示了变压器部分设置在非半导体基板143中。 | 目标专利强调“无基板”，即电感器结构没有作为其基底部分的基板（见说明书[0051]段）。对比文件中的变压器结构（包括导体156和157）是明确形成在非半导体基板143（例如BGA封装基板）的内部或表面上的，该基板143是整个组件的基底和支撑结构。这与目标专利“无基板”的核心构思相悖。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。<br>《直接公开》 | 图9：“FIG. 9 shows the thicker conductors 156 and 157 that are realized in non-semiconductor substrate 143.” 结合第[0038]段，导体156和157在同一金属层147（M1）中实现。 | 对比文件图9明确显示导体156和157在同一平面内相邻排布。说明书[0038]段明确指出它们是在同一金属层147（M1）中实现的。因此，两个电感器绕组是横向共面的，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状，并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。<br>《直接公开》 | 图9：“FIG. 9 shows the thicker conductors 156 and 157 ...”。第[0040]段：“There is at least one turn of each of conductors 156 and 157 as illustrated...” | 对比文件图9清晰地示出了导体156和157均为螺旋形状（具有至少一匝）。本领域技术人员能够毫无疑义地确认。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。<br>《隐含公开》 | 图9：“FIG. 9 shows the thicker conductors 156 and 157 ...”。结合“至少一匝”的描述和图示形状。 | 对比文件图9所示的螺旋形状导体156和157，并非标准的圆形螺旋，其外形轮廓呈现为拉长的椭圆形或跑道形（racetrack）。虽然对比文件文字未明确使用“拉长的圆形”这一术语，但本领域技术人员观察附图能够直接且毫无疑义地确定该形状即为一种“拉长的圆形形状”，这是实现紧凑布局的常见电感形状。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子，并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。<br>《直接公开》 | 第[0036]段：“The primary 131 includes a first portion that extends from node P1 to node P2. ... Node P3 is connected to a terminal 135 ... The secondary 132 also includes a first portion ... extends from node S1 to node S2 ... Node S2 is connected to a terminal 137...” | 对比文件明确描述了变压器初级绕组（对应第一电感器绕组）具有节点P1、P2、P3，其中P1和P3可视为端子供外部连接；次级绕组（对应第二电感器绕组）具有节点S1、S2、S3，其中S1和S3可视为端子供外部连接。这些节点通过微凸块连接到集成电路的端子。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端，并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。<br>《直接公开》 | 第[0036]段：“Node P1 ... node P3 is connected to a terminal 135”。结合图8理解，初级绕组导体156的两端分别对应节点P1和P3，并连接到相应端子。 | 对比文件公开了初级绕组（导体156）的第一端（如节点P1）和第二端（如节点P3）分别连接到集成电路的相应端子（如通过微凸块）。这公开了端子与绕组端的耦合关系。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。<br>《直接公开》 | 第[0038]段：“... four 15 micron thick layers of copper interconnect 147-150.” | 对比文件公开了构成绕组导体（如156,157）的铜互连层的厚度为15微米，即0.015毫米，该数值小于目标专利限定的0.2毫米。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述填充物为环氧树脂。<br>《未公开》 | 第[0038]段：“... includes an epoxy-resin dielectric layer 144...” | 对比文件虽然提到了环氧树脂介电层（144），但如特征C和D所述，该层是整个封装基板143的层压结构的一部分，并非目标专利中定义的、专门位于两个绕组之间并提供结构耦合的“填充物”。因此，该环氧树脂层不能等同于目标专利的“填充物”，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述电感器结构还包括：至少一个铁磁层，其位于与所述填充物相邻。<br>《未公开》 | 无相关引用。 | 对比文件全文未提及在变压器结构附近设置任何铁磁层。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。<br>《隐含公开》 | 第[0039]段：“In some embodiments, the BGA integrated circuit package also includes digital baseband integrated circuit 104 and power amplifier 125 and other components.” 结合图7，IC管芯103通过微凸块倒装焊在基板143上。 | 对比文件描述了集成电路管芯（103）通过倒装焊方式安装在BGA封装基板（143）上，并且该封装内还可以包含其他集成电路管芯（如104）和组件。本领域技术人员知晓，这种将多个芯片或封装进行垂直堆叠的集成方式属于层叠封装（PoP）技术的范畴。因此，可以合理推断该变压器结构可以被集成在PoP结构上。该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。<br>《未公开》 | 图7、9：显示变压器导体（156,157）集成在非半导体基板143的内部金属层中。 | 对比文件明确显示变压器部分（导体156和157）是嵌入在封装基板（非半导体基板143）的内部金属层（如M1）中，而非位于其外表面上。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板内部。<br>《直接公开》 | 第[0038]段：“The second portions of the primary and secondary are disposed in the non-semiconductor substrate 143.” 图7、9。 | 对比文件多次明确记载了变压器的部分（甚至全部，如第三实施例）是布置在非半导体基板143内部的。该非半导体基板143即为封装基板（BGA封装基板）。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述电感器结构被纳入在电子设备中。<br>《直接公开》 | 第[0002]段：“Radio frequency (RF) circuits such as transceivers found in cellular telephones...” 图4：“mobile communication device 100”。 | 对比文件明确其变压器用于移动通信设备（如蜂窝电话）中的射频电路。因此，该电感器（变压器）结构被纳入电子设备中，该技术特征被直接公开。 |
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