对比文件名称：2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate
目标专利名称：329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B
模型名称：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (翻译成中文) | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第一电感器绕组，其包括导电材料 <br> **《直接公开》** | [0006]段： “...一次（a primary）131以及二次（a secondary）132を含む。” <br> [0008]段： “厚いコンダクタ156および157はそれぞれ一次および二次の第2の部分のコンダクタである。” <br> 图8-10示出了由导电材料（如铜）构成的一次和二次导体。 | 对比文件明确公开了一种变压器（变圧器），其包含一次绕组（相当于第一电感器绕组）和二次绕组（相当于第二电感器绕组）。这些绕组由导电材料（例如，金属层中的铜导体）构成。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，变压器中的绕组即是电感器绕组，并且由导电材料构成。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：第二电感器绕组，其包括导电材料 <br> **《直接公开》** | [0006]段： “...一次（a primary）131および二次（a secondary）132を含む。” <br> [0008]段： “厚いコンダクタ156および157はそれぞれ一次および二次の第2の部分のコンダクタである。” <br> 图8-10示出了由导电材料（如铜）构成的一次和二次导体。 | 同上所述，对比文件明确公开了变压器的二次绕组（相当于第二电感器绕组），其由导电材料构成。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：填充物，其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间， <br> **《隐含公开》** | [0007]段： “本例では、非半導体基板143は、積層構造であり、そして、厚さ60nmのエポキシ樹脂誘電体層144である。...非半導体基板143は、さらに、四つの15ミクロン厚の銅配線147−150に加えて、二つの別の40ミクロン厚の誘電体層145および146を含む。...誘電体層145および146は、...商標名HL830NX-Aの材料からなる。” <br> 图7示出了基板143内的介电层（144, 145, 146）将金属层（147-150，其上形成有绕组部分）分隔开。 | 对比文件公开了变压器绕组（一次和二次）设置在非半导体基板143内，该基板为多层结构，包含多个介电体层（如环氧树脂层144、其他介电层145、146）。这些介电层位于形成绕组的金属层之间，起到了绝缘和机械支撑的作用。虽然对比文件未明确使用“填充物”一词，并且其介电层是作为基板的组成部分，而非后期填充的独立材料，但从广义的“位于...之间”并提供支撑和隔离的角度，本领域技术人员可以理解，基板内的介电材料实质上是横向位于绕组导体之间的填充介质。考虑到隐含公开的宽松标准，可以认为该技术特征被隐含公开。但需注意，该“填充物”在对比文件中的作用是作为多层基板的结构部分，与目标专利中作为独立结构耦合部件的“填充物”在作用和目的上存在差异。 |
| **技术特征D**：所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合， <br> **《未公开》** | [0007]段描述了基板的多层结构，包括介电层。这些层是基板固有的组成部分。 | 对比文件中位于绕组之间的介电层（如环氧树脂层）是构成多层基板（非半导体基板143）的必要部分，其首要作用是电气绝缘和形成多层互连结构，同时提供整体的机械支撑。说明书并未描述这些介电层被专门“配置成”提供两个绕组之间的“结构耦合”，即并非像目标专利那样，填充物是用于在移除基底基板后，将两个独立的、横向共面的绕组物理上粘合在一起以形成独立结构单元的关键组件。在对比文件中，绕组的结构完整性主要依赖于其所在的基板本身。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。 <br> **《未公开》** | [0004]段： “新規な一態様においては、新規な変圧器の少なくとも一部分が前記非半導体基板内に配置される。” <br> [0007]段详细描述了非半导体基板143的层状结构。 <br> 图7明确示出了变压器绕组部分位于非半导体基板143内部。 | 这是目标专利的核心创新点之一，即整个电感器结构没有作为基底部分的基板（如制造后移除）。而对比文件明确且反复强调其变压器是“至少部分配置在非半导体基板内”（[0004]），并且图7清楚地显示绕组被嵌入在基板143中。该基板（143）是整个封装结构的组成部分，为绕组提供了基底和支撑。这与目标专利的“无基板”特征直接相反。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。 <br> **《未公开》** | [0008]段： “コンダクタ156および157はメタル層147（M1）内に実現されているが、一次および二次の第1の部分の薄いコンダクタ158および159はRFトランシーバ集積回路103内のメタル層内に実現されている。” <br> 图8-10显示，在基板143内的一次和二次导体（156，157）位于同一金属层（M1），但在IC 103内的部分（158，159）可能位于不同层。整体变压器结构涉及垂直堆叠（参见图7和[0012]段关于垂直和同轴结合的描述）。 | 目标专利的“横向共面”强调两个绕组在同一平面内并排排列。对比文件的变压器结构更为复杂：其一次和二次绕组的部分可能在同一基板金属层（如M1），但其他部分位于IC的不同金属层，并且整个变压器设计利用了垂直方向（同轴）的耦合（[0012]段）。图8-10并未明确显示两个完整的螺旋绕组在单一平面内横向并排。相反，[0012]段指出“一次および二次は水平的にはちょうど結合されておらず、...むしろ垂直的および同軸的に結合される”。因此，对比文件未公开目标专利所强调的“横向共面”布置。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状，并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。 <br> **《直接公开》** | [0008]段： “図に例示されるように各コンダクタ156および157は少なくとも一つの一巻きがあり、そして、図に例示されるように各コンダクタ158および159は少なくとも一つの一巻きがある。” <br> 图9和图10明确示出了螺旋形状（spiral）的导体。 | 对比文件的图9和10清晰地显示了变压器的一次和二次导体呈螺旋形状（至少一圈）。说明书[0008]段也明确提到了“一巻き”（一圈）。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。 <br> **《隐含公开》** | 图9和图10示出的螺旋形状大致呈圆形。说明书未明确描述形状为“拉长的圆形”。 | 对比文件公开的螺旋形状从图示上看大致为圆形。目标专利说明书[0060]段提到形状可以是“拉长的圆形形状（例如，赛马场形状）”，这是螺旋形状的一种具体实施例。虽然对比文件未明确记载“拉长的圆形”，但本领域技术人员知晓螺旋电感可以有多种外形，包括圆形、方形、椭圆形等。考虑到隐含公开的宽松标准，从图9、10所示的圆形螺旋，可以合理推断出绕组可以具有圆形形状，而“拉长的圆形”是圆形的一种变形。因此，可以认为该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子，并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。 <br> **《隐含公开》** | [0006]段： “一次131はノードP1からノードP2に延びる第1の部分を含む。...一次131はまたノードP2からノードP3に延びる第2の部分を含む。...二次132もまた第1の部分および第2の部分を含む。前記二次の前記第1の部分はノードS1からノードS2に延びる。...前記二次の前記第2の部分はノードS2からノードS3に延びる。” <br> 这些节点（P1, P2, P3, S1, S2, S3）通过微凸块等连接到外部电路。 | 对比文件详细描述了一次绕组具有节点P1、P2、P3，二次绕组具有节点S1、S2、S3。这些节点是绕组电气连接的端点，功能上等同于端子。例如，P1和P3是一次绕组的两个端，P2是抽头；S1和S3是二次绕组的两个端，S2是抽头。虽然“端子”一词可能未直接用于每个端点，但本领域技术人员能够毫无疑义地认识到，这些用于输入/输出连接的节点即构成了绕组的端子。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端，并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。 <br> **《隐含公开》** | [0006]段： “一次131はノードP1からノードP2に延びる第1の部分を含む。...一次131はまたノードP2からノードP3に延びる第2の部分を含む。” 结合图6，节点P1和P3连接到混频器122的输出。 | 基于对技术特征I的分析，对比文件公开了一次绕组的端点P1和P3。这些端点（端子）必然耦合至绕组导体的物理末端。例如，节点P1是绕组第一部分的起点，节点P3是绕组第二部分的终点。因此，可以推断第一端子（如对应于P1）耦合至绕组的第一端，第二端子（如对应于P3）耦合至绕组的第二端。该连接关系是绕组结构的必然结果，被隐含公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。 <br> **《隐含公开》** | [0007]段： “四つの15ミクロン厚の銅配線147−150に加えて...” <br> [0008]段： “薄いコンダクタ158および159は約10ミクロン幅であり...” | 对比文件公开了构成绕组的导体厚度为15微米或10微米（即0.015mm或0.01mm），这远小于0.2毫米。虽然未明确记载整个“第一电感器绕组”的厚度（可能包含绝缘层等），但作为其主要构成的导体厚度已满足“小于0.2毫米”的条件。本领域技术人员可以合理推断，由如此薄导体构成的绕组，其整体厚度也极有可能小于0.2毫米。根据宽松的隐含公开标准，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述填充物为环氧树脂。 <br> **《隐含公开》** | [0007]段： “厚さ60nmのエポキシ樹脂誘電体層144である。...層144は、商標名CCL-HL832BTとして知られている材料である。...“BT”は、Bismalimide Triazine（ビスマレイミド・トリアジン）のことである。” | 对比文件明确指出，基板143中包含一层“环氧树脂介电层144”。虽然该层是基板的一部分，并非如目标专利所述专门填充在绕组之间的“填充物”，但其材料是环氧树脂。根据隐含公开的宽松标准，可以认为对比文件公开了位于绕组之间的材料包含环氧树脂。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述电感器结构还包括：至少一个铁磁层，其位于与所述填充物相邻。 <br> **《未公开》** | 对比文件全文未提及任何铁磁层（ferromagnetic layer）的使用。 | 对比文件专注于通过使用低电阻封装金属化和特定几何形状来实现高Q值和高耦合系数，并未提及或暗示使用铁磁层来增强性能或提供屏蔽。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。 <br> **《隐含公开》** | [0004]段： “アセンブリは複数のフリップチップマイクロバンプによって非半導体基板にボンドされたフリップチップである集積回路を含む。前記非半導体基板は、例えば、ボール・グリッド・アレイ（BGA）集積回路パッケージのボンドボールがアタッチされる基板である。” <br> [0007]段提及BGA封装。 | 对比文件明确其变压器应用于包括IC和非半导体基板（如BGA封装基板）的组件中。虽然未明确使用“层叠封装(PoP)”这一术语，但BGA封装是常见的封装形式，PoP是其中一种高级形式，涉及多个封装的堆叠。本领域技术人员知道，将无源器件（如变压器/电感）集成在封装基板（如BGA基板）上或内，是将其纳入PoP等先进封装系统的常见方式。因此，可以合理推断该电感器结构可被集成在PoP结构上，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。 <br> **《隐含公开》** | [0007]段描述了变压器部分位于非半导体基板（即封装基板）143内部。 <br> 对于完全位于基板表面的情况，对比文件未明确图示，但将器件置于封装基板表面是本领域的常规技术手段。 | 对比文件主要实施例将变压器部分或全部集成在封装基板内部（技术特征P）。虽然没有明确展示一个完全位于封装基板表面的分立电感器结构，但根据对比文件教导的将变压器集成于封装基板的技术思想，本领域技术人员很容易将其应用于基板表面。考虑到隐含公开的宽松标准，可以认为该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板内部。 <br> **《直接公开》** | [0004]段： “新規な変圧器の少なくとも一部分が前記非半導体基板内に配置される。” <br> [0007]段及图7：明确显示变压器的一次和二次部分位于非半导体基板143内部。 <br> [0020]段：对于第三实施例，“変圧器全体は非半導体基板143内に配置されている。” | 对比文件的核心内容之一就是将其高Q变压器至少部分地、甚至全部地（如第三实施例）集成在非半导体基板（即封装基板）内部。这直接公开了技术特征P。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述电感器结构被纳入在电子设备中。 <br> **《直接公开》** | [0004]段： “前記新規な変圧器には、セルラフォン内部のRFトランシーバ集積回路ダイ内のドライバ増幅器のシングルエンド入力にミキサの差動出力をカップリングするという用途がある。” <br> [0025]段： “モバイル通信デバイス100...3Gセルラフォンである。” | 对比文件明确其变压器用于移动通信设备（如手机）中的RF收发器集成电路。这直接公开了将电感器（变压器）结构纳入电子设备（蜂窝电话）中。因此，技术特征Q被直接公开。 |
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