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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2005-09-02_JP2005230076A_发明专利_JP2005230076A Hair dryer_+++g_i_q+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-06-15_US2006125083A_发明申请_US20060125083A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_P_Q_c_d+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
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2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR_+++A_e_f_g_i_q+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-04-14_US2011084386A_发明申请_US20110084386A1 Semiconductor Device and Method of Self-Confinement of Conductive Bump Material During Reflow Without Solder Mask_+++l_n_o_q+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-07_US7956603B_发明授权_US07956603B2 Sensor inductors, sensors for monitoring movements and positioning, apparatus, systems and methods therefore_+++A_B_G_I_c_m_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-05-10_JP2012089700A_发明专利_JP2012089700A Planar coil, method of manufacturing the same, and composite planar coil for actuator_+++A_B_C_E_G_Q_d_i+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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TW201222782A_Description_20260318_1905_+++A_B_I_K_f_g_j_q+++.docx
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US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
2026-03-24 23:32
WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx

对比文件名称:2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

### **特征比对表格**

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料[p0037] 第4段:...the copper high voltage winding 306... the copper low voltage winding 310...对比文件公开了变压器绕组(306, 310),其由导电材料铜(copper)构成。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定,变压器绕组即为电感器绕组的一种具体形式。因此,技术特征A被**直接公开**。
**技术特征B**:第二电感器绕组,其包括导电材料[p0037] 第4段:...the copper high voltage winding 306... the copper low voltage winding 310...对比文件明确公开了高压绕组306和低压绕组310,二者共同构成变压器。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定,这对应于两个电感器绕组。因此,技术特征B被**直接公开**。
**技术特征C**:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间[p0037] 第4段:...the copper high voltage winding 306 and the copper low voltage winding 310 are separated by a dielectric, e.g., benzocyclobutene (BCB)...对比文件公开了在高压绕组306与低压绕组310之间存在介电材料(BCB),该介电材料横向位于两个绕组之间以提供电隔离。这与目标专利中填充物位于绕组之间的结构位置特征一致。因此,技术特征C被**直接公开**。
**技术特征D**:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合[p0037] 第4段:...the copper high voltage winding 306 and the copper low voltage winding 310 are separated by a dielectric...对比文件中介电材料(BCB)的主要作用是电隔离(“separated by a dielectric”),以确保高电压下不击穿。虽然该介电材料物理上位于绕组之间,客观上起到一定的物理支撑作用,但对比文件并未明确记载或暗示其目的是为了提供“结构耦合”,以在没有基板的情况下维持电感器结构的机械完整性。目标专利中填充物的核心功能是“提供结构耦合”,这是实现无基板分立结构的关键。二者作用不同。然而,本领域技术人员可以合理推断,位于两个分立导电绕组之间的介电材料,在制造和封装后,必然会对两个绕组起到物理连接和固定的作用,这种作用可以理解为一种隐含的“结构耦合”。因此,技术特征D被**隐含公开**。
**技术特征E**:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。[p0031] 第1段:...a galvanic isolation transformer may be created ... above a quartz wafer...对比文件明确教导变压器形成在石英(quartz)或玻璃(glass)基板上(见[p0024]摘要,[p0031]等)。基板(石英)是整个器件的基础和支撑结构,并未被移除。这与目标专利明确要求“没有作为基底部分的基板”的技术方案(如[0054]段所述移除基板)有本质区别。因此,技术特征E**未被公开**。
**技术特征F**:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。[p0037] 第4段:Fig. 3 shows an inter-wound transformer 300...对比文件图3和说明书描述的是一个“inter-wound(互绕)”平面变压器。互绕变压器意味着两个绕组在同一平面内交织排布。结合[p0015]第[0005]段对“inter-wound planar type”的描述,本领域技术人员可以直接且毫无疑义地确定两个绕组是横向共面的。因此,技术特征F被**直接公开**。
**技术特征G**:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。[p0037] 第4段:Fig. 3 shows an inter-wound transformer 300... [p0037] 第5段:...in a transformer having 7/7 turns...对比文件图3所示的变压器以及文字描述(7/7 turns)明确表明其绕组是螺旋(spiral)形状。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定,该变压器包含两个具有螺旋形状的绕组。因此,技术特征G被**直接公开**。
**技术特征H**:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。[p0030] 第[0019]段:Fig. 6 shows... an inter-wound octagonal design...对比文件提到了互绕变压器设计可以是八边形(octagonal design),这是一种多边形,并非目标专利说明书[0059]段中明确界定的“拉长的圆形形状(例如,赛马场形状)”。对比文件未公开绕组形状为“拉长的圆形”。因此,技术特征H**未被公开**。
**技术特征I**:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。[p0031] 第2段:...wire bonds 214 that electrically connect the transformer 202 between the first integrated circuit 206 and the second integrated circuit 210.对比文件中的变压器通过焊线(wire bonds)214连接到集成电路206和210。本领域技术人员可以直接且毫无疑义地理解,要实现电连接,每个绕组必须具有至少两个端子(输入端和输出端)以供焊线连接。因此,技术特征I被**直接公开**。
**技术特征J**:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。[p0031] 第2段:...wire bonds 214 that electrically connect the transformer 202...对比文件公开了绕组通过焊线连接到外部电路。虽然未明确文字记载“端子耦合至绕组两端”,但这是电感器绕组的必然电气连接方式。对于本领域技术人员而言,通过焊线连接变压器绕组以实现信号传输,必然意味着端子分别连接在绕组的起始端和结束端(即第一端和第二端)。这是一种隐含的、必然的技术特征。因此,技术特征J被**隐含公开**。
**技术特征K**:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。[p0037] 第5段:...the thickness of the windings may be 5μm...对比文件明确记载了绕组(windings)的厚度为5微米(μm),即0.005毫米,该数值远小于目标专利权利要求中限定的0.2毫米。因此,技术特征K被**直接公开**。
**技术特征L**:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。[p0037] 第4段:...separated by a dielectric, e.g., benzocyclobutene (BCB)...对比文件公开的介电材料是BCB(苯并环丁烯),而非环氧树脂。两者是不同类型的材料。因此,技术特征L**未被公开**。
**技术特征M**:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。[p0034] 第[0023]段:The transformers described herein are air core transformers...对比文件明确指出其描述的变压器是空芯变压器(air core transformers),即没有磁芯。这意味着不存在位于绕组或填充物相邻位置的铁磁层。因此,技术特征M**未被公开**。
**技术特征N**:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。未发现相关内容。对比文件描述了将变压器、集成电路等集成在石英基板上,然后进行封装(如44 Lead PLCC),但未提及任何关于层叠封装(PoP)结构的内容。因此,技术特征N**未被公开**。
**技术特征O**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。[p0031] 第1段:...a galvanic isolation transformer may be created in one or more layers of metal, but above a quartz wafer...对比文件中的变压器形成在石英基板上,该石英基板作为整个器件(如系统200)的支撑基底。该石英基板是器件的一部分,可被视为一种特殊的“封装基板”。变压器明确位于此基板的“表面上”(“above a quartz wafer”)。因此,本领域技术人员可以毫无疑义地得出电感器结构(变压器)被集成在基板(封装基板)表面上的结论。因此,技术特征O被**直接公开**。
**技术特征P**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。未发现相关内容。对比文件中的变压器是形成在石英基板的表面(之上),而非嵌入到基板内部。目标专利说明书[0110]段及图10-11描述了将电感器结构嵌入封装基板内部的情况。对比文件未公开此特征。因此,技术特征P**未被公开**。
**技术特征Q**:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。[p0031] 第2段:Fig. 2 shows an integrated circuit system 200...对比文件图2和全文描述的是一个“集成电路系统(integrated circuit system)”,该系统包含变压器。本领域技术人员可以直接且毫无疑义地理解,此类集成电路系统是构成电子设备(如通信设备、计算机等)的组成部分。因此,技术特征Q被**直接公开**。

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