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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2005-09-02_JP2005230076A_发明专利_JP2005230076A Hair dryer_+++g_i_q+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-06-15_US2006125083A_发明申请_US20060125083A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_P_Q_c_d+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
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2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR_+++A_e_f_g_i_q+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-04-14_US2011084386A_发明申请_US20110084386A1 Semiconductor Device and Method of Self-Confinement of Conductive Bump Material During Reflow Without Solder Mask_+++l_n_o_q+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-07_US7956603B_发明授权_US07956603B2 Sensor inductors, sensors for monitoring movements and positioning, apparatus, systems and methods therefore_+++A_B_G_I_c_m_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
2026-03-24 23:32
2012-05-10_JP2012089700A_发明专利_JP2012089700A Planar coil, method of manufacturing the same, and composite planar coil for actuator_+++A_B_C_E_G_Q_d_i+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
2026-03-24 23:32
TW201222782A_Description_20260318_1905_+++A_B_I_K_f_g_j_q+++.docx
2026-03-24 23:32
US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
2026-03-24 23:32
WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
2026-03-24 23:32
US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx

对比文件名称:US2001024739A1_Description_20260318_1906

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**A. 包括:第一电感器绕组,其包括导电材料**<br>《直接公开》[0078]段:“形成双螺旋线圈...两个螺旋线圈...并联排列”<br>[0091]段:“平面线圈”<br>(说明:线圈由导电材料如铜制成,参见[0023]、[0078]、表3等)对比文件明确公开了平面磁性器件包含平面线圈(例如,螺旋线圈),该线圈由导电材料(如铜)构成(参见[0023]段关于Cu线圈的论述)。这直接公开了“第一电感器绕组,其包括导电材料”这一技术特征。
**B. 第二电感器绕组,其包括导电材料**<br>《直接公开》[0078]段:“形成双螺旋线圈...两个螺旋线圈每个三匝...并联排列”<br>[0078]段:“两个螺旋线圈...并联排列”<br>(说明:双螺旋线圈意味着存在两个独立的线圈)对比文件明确公开了“双螺旋线圈”,即两个螺旋线圈(参见[0078]段及图13、14)。这两个线圈均由导电材料(如铜)构成。因此,对比文件直接公开了存在“第二电感器绕组,其包括导电材料”。
**C. 填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间**<br>《隐含公开》[0008]段:“表面安装型平面磁性器件由上铁氧体磁性膜、下铁氧体磁性膜以及介于其间的平面线圈构成”<br>[0072]段:“表面安装型平面磁性器件1包括上铁氧体磁性膜14、下铁氧体磁性膜13以及介于两膜之间的平面线圈11”<br>[0078]段:“双螺旋线圈...两个螺旋线圈...并联排列”目标专利的“填充物”横向位于两个绕组之间,用于提供结构耦合。对比文件公开了磁性器件的基本结构为上、下铁氧体磁性膜及介于其间的平面线圈。当平面线圈为“双螺旋线圈”(两个并联的螺旋线圈)时,两个线圈之间必然存在空间,而上、下铁氧体磁性膜的材料在制造过程中会填充或包围线圈区域,实质上占据了线圈之间及周围的横向空间,起到支撑和封装作用。虽然对比文件未明确将此材料称为“填充物”且其主要功能为磁路,但根据隐含公开的宽松标准,本领域技术人员可以合理推断,为实现器件的结构完整性,位于两个并联螺旋线圈之间的区域(以及上下方)必然被某种材料(铁氧体磁性材料)所占据。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**D. 所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合**<br>《隐含公开》[0008]段:“通过由下铁氧体磁性膜、平面线圈、上铁氧体磁性膜和外部电极构成平面磁性器件的结构,同时移除基板,可以使平面磁性器件进一步变薄。”<br>[0014]段:“通过将结构构成为下铁氧体磁性膜、平面线圈、上铁氧体磁性膜和外部电极,同时移除基板...平面磁性器件可以进一步变薄。”目标专利的“填充物”专门配置用于提供两个绕组之间的“结构耦合”,意指使它们结合成一个稳固的整体结构,特别是在无基板的情况下。对比文件公开了通过上、下铁氧体磁性膜将平面线圈夹在中间的结构,并且在[0014]、[0078]段明确提到可以通过移除基板来获得“无基板磁性器件”。在无基板的情况下,上、下铁氧体磁性膜必然需要为整个器件(包括其中的线圈)提供机械支撑和结构完整性,即将各部件耦合在一起。虽然对比文件中铁氧体膜的主要作用是提供磁路,但其客观存在的物理结构也起到了将线圈固定和耦合的作用。根据隐含公开的宽松标准,本领域技术人员可以合理推断,这种夹层结构配置客观上提供了线圈之间的结构耦合。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**E. 其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板**<br>《直接公开》[0014]段:“通过将结构构成为下铁氧体磁性膜、平面线圈、上铁氧体磁性膜和外部电极,同时移除基板,可以使平面磁性器件进一步变薄...可以获得无基板磁性器件。”<br>[0078]段:“通过将该表面安装型平面磁性器件置于90°C,95%RH(相对湿度)的环境中15小时,基板被分离,从而获得了无基板表面安装型平面磁性器件。”对比文件明确且反复描述了“无基板磁性器件”(substrate free magnetic device)的概念和生产方法,即通过特定处理(如湿热环境)移除初始用于制造的基板(如Si基板),最终得到的器件结构包含铁氧体磁性膜和平面线圈,而没有作为基底部分的基板。这直接对应于目标专利的“没有作为基底部分的基板”的特征。
**F. 其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面**<br>《直接公开》[0078]段:“双螺旋线圈...两个螺旋线圈每个三匝...并联排列”<br>图13、14:显示两个螺旋线圈在同一平面上并列排布。对比文件公开的“双螺旋线圈”是“并联排列”的([0078]段),并且从图13、14可以明确看出,两个螺旋线圈被描绘为在同一平面上并排设置。这直接对应于“横向共面”的特征,即两个绕组在同一平面内横向排列。
**G. 其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状**<br>《直接公开》[0078]段:“形成双螺旋线圈...两个螺旋线圈每个三匝”<br>[0017]段:“螺旋型...能够获得更大的电感。”<br>图11、13、14:显示了螺旋形状的线圈。对比文件明确且多次提及“螺旋线圈”(spiral coil),并且在[0078]段具体描述了“双螺旋线圈”,即两个螺旋线圈。这直接公开了第一和第二电感器绕组均具有螺旋形状。
**H. 其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状**<br>《未公开》对比文件公开了螺旋形状(图11),但未具体描述其形状为“拉长的圆形”(例如,跑道形)。[0017]段提到螺旋型,但未限定其具体轮廓。目标专利说明书[0059]段将“拉长的圆形形状”描述为一种具体形状(例如,赛马场形状)。对比文件虽然公开了螺旋形状,但螺旋形状可以是圆形、方形、六边形等多种轮廓,对比文件并未明确公开或暗示其螺旋线圈是“拉长的圆形”这一特定形状。因此,该特征既未被直接公开,也未被隐含公开。
**I. 其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子**<br>《直接公开》[0072]段:“在上铁氧体磁性膜14中线圈端子12的上方形成开口,并且在该开口上形成与端子12导通的外部电极15。”<br>[0013]段:“在平面线圈端子部分的上方的上铁氧体磁性膜中形成开口...并形成与线圈端子部分导通的外部电极。”<br>(对于双螺旋线圈,每个螺旋线圈必然有自己的端子以连接外部电极)对比文件明确公开了平面线圈具有“端子部分”(terminal portion),并且外部电极通过开口与该端子连接(参见[0072]段)。对于公开的“双螺旋线圈”(两个并联的螺旋线圈),每个独立的螺旋线圈必须具有自己的两个端子以实现电气连接。因此,对比文件直接公开了第一电感器绕组(第一个螺旋线圈)具有两个端子,第二电感器绕组(第二个螺旋线圈)也具有两个端子。
**J. 其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端**<br>《隐含公开》[0072]段:“外部电极15...与端子12导通。”<br>[0013]段:“外部电极...与线圈端子部分导通。”该特征限定了端子与绕组两端的连接关系。对比文件公开了外部电极与线圈的“端子部分”连接。对于螺旋线圈而言,其“端子部分”必然位于线圈的起始端和结束端,这是本领域的公知常识。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地推断,每个线圈的两个端子分别耦合至该线圈绕组的两端。根据宽松的隐含公开标准,该技术特征被隐含公开。
**K. 其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米**<br>《直接公开》[0032]段:“平面线圈的厚度为10μm以上至100μm以下。”对比文件明确限定了平面线圈的厚度范围是10μm到100μm,即0.01毫米到0.1毫米。该范围的上限(0.1毫米)小于目标专利要求的“小于0.2毫米”。因此,对比文件直接公开了“电感器绕组的厚度小于0.2毫米”这一特征。
**L. 其特征在于,所述填充物为环氧树脂**<br>《未公开》对比文件中位于线圈之间的材料是铁氧体磁性膜(ferrite magnetic film),其成分为铁氧体粉末与粘合剂的混合物(例如,[0078]段)。全文未提及使用“环氧树脂”作为填充物。目标专利的填充物明确为“环氧树脂”。对比文件中相应的结构材料是铁氧体磁性材料,其成分、性质和功能均与环氧树脂不同。没有证据表明对比文件使用或隐含使用了环氧树脂。因此,该特征未被对比文件公开。
**M. 其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻**<br>《直接公开》[0008]段:“表面安装型平面磁性器件由上铁氧体磁性膜、下铁氧体磁性膜以及介于其间的平面线圈构成”<br>[0072]段:“包括上铁氧体磁性膜14、下铁氧体磁性膜13以及介于两膜之间的平面线圈11”目标专利的“铁磁层”位于与填充物相邻的位置。在对比文件中,“上铁氧体磁性膜”和“下铁氧体磁性膜”本身就是铁磁层(铁氧体是铁磁材料)。它们直接位于平面线圈(相当于目标专利中填充物所占据的区域)的上方和下方,即与线圈区域相邻。因此,该特征被对比文件直接公开。
**N. 其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上**<br>《未公开》对比文件描述了独立的“表面安装型平面磁性器件”,可以安装在印刷电路板上(如[0051]段提及连接至电路基板),但全文未提及“层叠封装(PoP)结构”这一特定的先进封装形式。目标专利将电感器结构集成在PoP结构上作为其应用场景。对比文件仅涉及作为独立分立器件的磁性器件及其表面安装,未公开或暗示任何与层叠封装(PoP)相关的技术内容。因此,该特征未被对比文件公开。
**O. 其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上**<br>《未公开》对比文件中的器件是作为一个整体单元(磁性器件)被表面安装在印刷电路板上(参见图19及[0099]段),而不是将电感器结构(线圈和填充物)直接制作在“封装基板的表面上”。目标专利的特征在于电感器结构直接“集成在封装基板的表面上”。对比文件公开的是制造一个完整的磁性器件后,再将其作为整体焊接到电路板上,这属于分立器件的安装,而非将电感器结构直接集成在封装基板表面。两者技术方案不同。因此,该特征未被对比文件公开。
**P. 其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部**<br>《未公开》对比文件未描述将磁性器件的结构(如上、下铁氧体膜和线圈)嵌入或集成到封装基板的内部层间。目标专利的特征在于电感器结构“集成在封装基板内部”。对比文件完全没有涉及此类嵌入封装基板内部的集成技术。因此,该特征未被对比文件公开。
**Q. 其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中**<br>《直接公开》[0004]段:“近年来,由电池驱动的便携式设备(如移动电话和笔记本型个人计算机)的使用加速了。”<br>(该磁性器件旨在用于此类设备的电源中)对比文件在背景技术部分明确指出了其发明的平面磁性器件用于“移动电话”、“笔记本型个人计算机”等电子设备中。这直接公开了将磁性器件(即电感器结构)纳入电子设备中的特征。

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