对比文件名称：2006-08-17_US2006180895A_发明申请_US20060180895A1 Capacitor device with vertically arranged capacitor regions of various kinds
目标专利名称：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，<br>**《未公开》** | 说明书第[0017]段：“A MOM capacitor region 122 is disposed above the metal shielding layer 118 and the dielectric layer 120.” 图1显示了MOM电容区域122。 | 对比文件公开了MOM电容区域（122），该区域由水平金属条（124-154）阵列构成。然而，该MOM电容区域是独立的结构，位于金属屏蔽层（118）和介电层（120）之上，并未被描述为“耦合到互连堆叠的第一上互连层”。在目标专利中，“第一上互连层”（如M9）是互连堆叠的一部分，用作互连和/或MIM电容的极板。对比文件中的MOM电容区域122并未与一个明确的、作为互连堆叠一部分的“第一上互连层”耦合。其相邻的上层结构是介电层156和金属屏蔽层158，或更上方的MIM区域162的金属板164/166，这些结构未被描述为互连层。因此，对比文件未公开MOM电容器结构耦合到互连堆叠的第一上互连层这一特定技术特征。 |
| 技术特征B：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层<br>**《未公开》** | 说明书第[0017]段：“Each of these bars is formed as metal that fills a trench in a typical multi-level metal structure.” | 对比文件指出MOM电容区域122的金属条是在典型的多层金属结构中形成的。这暗示了这些金属条可能对应于互连层。然而，对比文件并未明确将这些金属条描述为“互连堆叠的至少一个下互连层”。在目标专利中，“下互连层”（如M1-M6）是互连堆叠中位于上互连层（如M9, M10）之下的、用于常规互连和形成MOM电容的导电层。对比文件中的金属条是专门为形成MOM电容而排列的阵列，其上下文并未明确将其定义为用于信号/电源路由的标准“互连堆叠”的一部分，也未区分“上”或“下”。因此，对比文件未直接或隐含地公开MOM结构“包括所述互连堆叠的至少一个下互连层”这一限定特征。 |
| 技术特征C：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层<br>**《直接公开》** | 说明书第[0018]段：“Above the dielectric layer 156 is a metal shielding layer 158... Above the metal shielding layer 158 is a dielectric layer 160... Above the metal shielding layer 158 and the dielectric layer 160 is a MIM capacitor region 162. The MIM capacitor region 162 ... is constructed of simple horizontal flat patterned metal plates 164 and 166...” 图1显示了金属板166通过通孔（未标注编号）连接到下方的MOM区域122的正负电极。 | 对比文件图1显示，MIM电容区域162的顶部金属板166通过通孔（vias）向下连接至MOM电容区域122的电极（例如，连接到水平金属条132-138形成的正极板）。金属板166位于结构的最上方，起到了将MOM电容区域122与外部电路连接的作用。在目标专利中，“第二上互连层”（如M10）同样用于连接MOM结构和/或MIM结构。本领域技术人员能够毫无疑义地认识到，对比文件中通过通孔与下方MOM电容区域电极连接的顶部金属板166，其作用与目标专利中“耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层”相同，都是提供上层的电连接。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征D：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层<br>**《直接公开》** | 说明书第[0018]段：“The MIM capacitor region 162 having one or more MIM capacitors is constructed of simple horizontal flat patterned metal plates 164 and 166 separated by a dielectric layer 168.” 图1显示了金属板164、166和它们之间的介电层168。 | 对比文件明确公开了MIM电容区域162，其由水平平板金属板164和166以及它们之间的介电层168构成。这构成了一个MIM电容器层。虽然对比文件没有明确使用“第一上互连层”和“第二上互连层”的术语，但从图1和描述可知，金属板164和166分别位于介电层168的两侧。结合对技术特征C的分析，金属板166可被视为“第二上互连层”。金属板164位于MOM区域122之上、介电层168之下，其作用相当于一个上部的导电层/极板。因此，介电层168（即MIM电容器层）位于金属板164和金属板166之间。本领域技术人员能够毫无疑义地认识到，对比文件公开的“金属板164-介电层168-金属板166”结构，即对应于“位于第一上互连层与第二上互连层之间的至少一个MIM电容器层”。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征E：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，<br>**《未公开》** | 说明书第[0018]段：“Above the metal shielding layer 158 and the dielectric layer 160 is a MIM capacitor region 162.” 图1显示了MIM区域162位于MOM区域122上方，中间有屏蔽层158和介电层160间隔。 | 对比文件公开了MIM电容区域162和MOM电容区域122在垂直方向上堆叠在同一布局区域。然而，这两个区域之间被金属屏蔽层158和介电层160物理分隔。屏蔽层158的作用是“separate any capacitor structure thereabove from the capacitance of the MOM capacitor region 122”，即电学隔离。因此，MIM区域162和MOM区域122是彼此电隔离的独立电容结构，它们共享布局面积以增加单位面积电容，但并非电学上“耦合”形成一个组合的电容结构。目标专利中，MIM电容器结构是“耦合到”MOM电容器结构的，意味着两者电学连接，共同构成一个互补的BEOL电容器。对比文件未公开这种电学耦合关系。 |
| 技术特征F：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，<br>**《未公开》** | 说明书第[0018]段：“The MIM capacitor region 162 ... is constructed of simple horizontal flat patterned metal plates 164 and 166 separated by a dielectric layer 168.” | 对比文件中的MIM电容器结构（区域162）具有明确且独立的第一电容器极板（金属板164）和第二电容器极板（金属板166）。这两个极板都是专门为MIM电容形成的、独立的“水平平板图案化金属板”，并非由已有的互连层的一部分构成。目标专利的核心创新点之一在于MIM电容器结构的“第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分”，即利用已有的互连层（如M9）作为MIM电容的一个极板，从而简化工艺。对比文件没有公开或暗示这种利用互连层作为MIM电容极板的技术方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。<br>**《未公开》** | 说明书第[0018]段：“The MIM capacitor region 162 ... is constructed of simple horizontal flat patterned metal plates 164 and 166 separated by a dielectric layer 168.” | 对比文件中MIM电容器结构的第二电容器极板是完整的金属板166。介电层168是绝缘材料，位于两个金属板之间。目标专利中“第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”，意味着第二极板是由构成MIM电容器层的材料（例如，沉积的MIM电极材料）形成的，或者包含该材料的一部分。在对比文件中，金属板166和介电层168是截然不同的层，金属板166并非由“介电层168”的一部分构成，也不是“MIM电容器层”（应理解为包含极板和介质的整体）的一部分。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。<br>**《未公开》** | 说明书全文。 | 对比文件只描述了一个MIM电容区域（162），该区域由两个独立的金属板（164，166）和一个介电层（168）构成。没有公开任何“附加MIM电容器结构”，更没有公开一个MIM电容器结构的极板（如第一极板）同时作为另一个附加MIM电容器结构的极板（如第二极板）这种共享极板的堆叠结构。目标专利图4所描述的此类结构是对比文件完全没有涉及的。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。<br>**《未公开》** | 说明书全文。 | 该技术特征依赖于技术特征H中定义的“附加MIM电容器结构”。由于对比文件未公开技术特征H中的附加MIM电容器结构，因此自然也未曾公开该附加结构与“第二上互连层”之间的具体连接关系（第一部分、第二部分分别耦合到不同极板）。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。<br>**《未公开》** | 说明书全文。 | 该技术特征是电容器的具体应用领域或集成设备。对比文件全文仅一般性地提及电容器可用于集成电路（IC）、混合信号和/或射频（RF）电路，但并未具体列举或公开将所述电容器设备集成到“蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元”中。虽然本领域技术人员可以理解电容器可能用于这些设备，但对比文件说明书本身并未公开这一具体的技术特征。 |
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