**对比文件名称**：DE102008028554A1 Semiconductor device with reduced capacitance tolerance value
**目标专利名称**：CN105074915B 互补后端制程(BEOL)电容器
**模型名称**：GPT-4
**特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，<br>《直接公开》 | 参见图2A-2E及说明书第[0023]段：“The BEOL metallization structure has a substantially conventional VPP capacitor structure C2 comprising alternating pillars 4 respectively 5 of horizontally disposed and vertically stacked strip metal layers electrically connected by having via vias... As can be seen, the VPP-Kondensator has a substantially comb-like structure of alternating, vertically aligned capacitor ‘plates’, of the respective columns 4 and 5 made of metal strips / via pillars are formed.” (BEOL金属化结构具有基本常规的VPP电容器结构C2，其包括分别由水平布置和垂直堆叠的金属条/通孔柱组成的交替柱4和5...VPP电容器具有基本梳状结构，由金属条/通孔柱形成的各柱4和5构成交替的垂直对准的电容器“极板”。) | 对比文件明确公开了在BEOL金属化结构中形成的VPP (Vertical Parallel Plate，垂直平行板) 电容器结构C2。该结构由交替排列的、通过通孔电连接的金属条（水平布置）和通孔柱（垂直堆叠）构成，形成梳状结构。根据本领域公知常识，VPP电容器是MOM (Metal-Oxide-Metal) 电容器的一种常见实现形式，其利用金属层间的横向（层内）和/或垂直耦合来存储电荷。目标专利说明书第[0002]段将MOM电容器描述为“使用互连堆叠的导电互连层...从不同极性的横向导电叉指来形成”，这与对比文件中描述的梳状（comb-like）交替金属结构在原理和物理形态上一致。因此，对比文件公开了耦合到互连堆叠的MOM（或称VPP）电容器结构。 |
| **技术特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层<br>《隐含公开》 | 参见图2A及说明书第[0023]段：“...alternating pillars 4 respectively 5 of horizontally disposed and vertically stacked strip metal layers...”。结合图2A可知，VPP电容器C2的梳齿（pillars 4, 5）是由多个水平金属条层（如M1, M2等，图中未具体标号但示意了多层堆叠）和连接它们的通孔柱构成的。 | 对比文件中的VPP电容器C2是通过堆叠的金属层（strip metal layers）和通孔（via vias）形成的。这些金属层是构成互连堆叠的导电互连层。虽然对比文件未明确区分“上”或“下”互连层，但根据集成电路制造的公知常识，BEOL互连堆叠包含从下至上的多个金属层。图2A所示的VPP电容器结构显然利用了堆叠中的多个金属层（即至少包括多个金属层）来形成其电容结构。本领域技术人员阅读对比文件后，能够直接且毫无疑义地理解，为了实现所述的梳状VPP电容器，必须使用互连堆叠中的至少一个（实际上是多个）金属互连层。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层<br>《直接公开》 | 参见图2A及说明书第[0023]段：“In this example is an upper metal layer 6 with the respective columns 4 connected. On the other hand, the columns 5 together and with a superposed second upper metal layer 11 through an external wire connection 12 connected.” (在该示例中，上层金属层6与各柱4连接。另一方面，柱5共同地与叠加的第二上层金属层11通过外部电线连接12连接。) | 对比文件明确公开了VPP电容器C2通过外部连接12耦合到一个“第二上层金属层11”（superposed second upper metal layer 11）。该金属层11属于互连堆叠的一部分，并且与VPP电容器结构（即MOM电容器结构）电连接。这直接对应于目标专利中“耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层”这一技术特征。 |
| **技术特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层<br>《直接公开》 | 参见图2A及说明书第[0023]段：“On the surface of the lower upper metal layer 6 a first conductive layer is arranged, which serves as a bottom electrode 7 of the MIM capacitor C1 is used... On this lower MIM capacitor plate 7 is an insulating layer 8 provided, and on this is a second conductive layer 9 disposed serving as a second (upper) electrode of the MIM capacitor C1.” (在下部上层金属层6的表面上布置有第一导电层，其用作MIM电容器C1的底部电极7...在该下部MIM电容器板7上设有绝缘层8，其上布置有第二导电层9，用作MIM电容器C1的第二（上部）电极。) | 对比文件明确公开了MIM电容器C1，其具体位于“下部上层金属层6”（lower upper metal layer 6，可理解为第一上互连层）和“上层金属层11”（superposed second upper metal layer 11，可理解为第二上互连层）之间。MIM电容器C1由底部电极7、绝缘层8（介电层）和顶部电极9构成，这构成了“至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层”。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，<br>《直接公开》 | 参见图2F及说明书第[0022]段：“The plurality of metal layers are connected to form a parallel connection of a first capacitor C1 (MIM capacitor) and a second capacitor C2 (VPP capacitor)”。 (多个金属层被连接以形成第一电容器C1（MIM电容器）和第二电容器C2（VPP电容器）的并联。) | 对比文件的图2F电路图及其文字说明明确指出，MIM电容器C1和VPP电容器C2（即MOM电容器）是并联连接的。并联连接意味着两个电容器结构共享节点，相互电耦合。因此，对比文件直接公开了“耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构”。 |
| **技术特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，<br>**未被公开** | 参见图2A及说明书第[0023]段：“On the surface of the lower upper metal layer 6 a first conductive layer is arranged, which serves as a bottom electrode 7 of the MIM capacitor C1 is used.” (在下部上层金属层6的表面上布置有第一导电层，其用作MIM电容器C1的底部电极7。) | 目标专利该特征的核心在于MIM电容器结构的“第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分”，即MIM电容器的一个极板直接由互连层（如M9）的金属部分构成，而非在互连层上额外沉积的专门电极层。对比文件中，MIM电容器C1的底部电极7是一个“布置在金属层6表面上的第一导电层”（如TiN），它是一个独立于金属层6的附加沉积层。金属层6本身并未直接充当MIM电容器的极板。因此，对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。<br>《直接公开》 | 参见图2A及说明书第[0023]段：“...a second conductive layer 9 disposed serving as a second (upper) electrode of the MIM capacitor C1. This upper capacitor electrode 9 is about vias 10 with the upper metal layer 11 connected.” (…布置有第二导电层9，用作MIM电容器C1的第二（上部）电极。该上部电容器电极9通过通孔10与上层金属层11连接。) | 对比文件明确描述了MIM电容器C1具有顶部电极9，该电极9是构成MIM电容器结构（即“MIM电容器层”）的组成部分（导电层）。顶部电极9通过通孔10连接到上层金属层11。这清楚地表明，MIM电容器结构的第二电容器极板（顶部电极9）包含了MIM电容器层（由电极7、介电层8、电极9构成）的至少一部分（即电极9）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。<br>**未被公开** | 无相应内容。 | 目标专利该特征描述了一个独特的“堆叠”MIM电容器结构，其中一个MIM电容器（附加MIM电容器）的极板与另一个MIM电容器（主MIM电容器）的极板共享。对比文件仅公开了一个单一的MIM电容器结构C1，位于金属层6和11之间。没有公开任何位于同一对互连层（6和11）之间的、与C1共享极板的附加MIM电容器结构。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。<br>**未被公开** | 无相应内容。 | 由于技术特征H（附加MIM电容器结构）未被对比文件公开，因此涉及该附加结构具体连接方式的技术特征I自然也未被公开。对比文件中没有描述第二上互连层（如金属层11）的不同部分分别连接到两个不同MIM电容器极板的结构。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。<br>《隐含公开》 | 参见说明书第[0001]段：“...an analog-to-digital converter or a filter device...” (…模数转换器或滤波器装置…) 以及第[0031]段：“In a further embodiment The device includes an analog-to-digital converter... Further includes a further semiconductor device according to an embodiment the invention, a filter section... In all these components and other semiconductor devices for analogue or mixed signal processing or Radio Frequency Devices...” (在另一实施例中，该器件包括模数转换器…根据本发明实施例的进一步半导体器件还包括滤波器部分…在所有这些组件以及其他用于模拟或混合信号处理或射频设备的半导体器件中…) | 对比文件明确指出其半导体器件（包含所描述的并联电容器结构）可用于模数转换器、滤波器等模拟/混合信号或射频设备中。这些应用场景（如模数转换器、滤波器）正是目标专利所列设备（如蜂窝电话、PCS单元等）内部常见的功能模块。本领域技术人员知晓，为了实现这些功能模块，通常需要高精度电容器。因此，对比文件公开了将所述电容器结构应用于需要此类电容器的电子设备中，这隐含覆盖了目标专利所列的各类终端设备。虽然未逐一列举，但根据对比文件的应用领域描述，可以合理推断其电容器结构可被集成到包含这些功能模块的任何设备中。 |
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