对比文件名称：2007-11-29_WO2007134903A_发明申请_WO2007134903A1 HIGH YIELD HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN
目标专利名称：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
模型名称：本次调用的模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A**：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，<br>**未被公开** | [p0077] 图7示出了根据本发明实施例的并联CMOS 312/CMIM 314/CVNCAP 316元件310的多层透视图。CMOS 312作为FEOL电容器... CVNCAP 316由三组逐渐增大的金属层定义。第一底部组716包括四个金属层718（M1到M4...）。第二中间组726包括更大的金属层（M5和M6...）。第三顶部组740包括金属层742（M7和M8...）。 | 对比文件公开了一种包含CMOS（金属氧化物硅，可视为MOM电容的一种）、CVNCAP（垂直原生电容，属于层间叉指电容，即MOM电容）和CMIM（金属-绝缘体-金属电容）的并联结构。CVNCAP结构使用了互连堆叠中的金属层（M1-M8）。然而，目标专利的特征A要求MOM电容器结构“耦合到互连堆叠的第一上互连层”。对比文件描述了CVNCAP电容与CMIM电容并联连接，但并未明确描述CVNCAP电容（即MOM电容结构）耦合到一个单独的、被明确定义为“第一上互连层”（如目标专利中的M9层）的互连层。CVNCAP的顶层金属（M7, M8）是CVNCAP结构的一部分，而非作为独立互连层（如M9）与CVNCAP耦合。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层<br>**《直接公开》** | [p0059] 此外，CVNCAP的三个金属层718、726和742中的每一个还包括平行的“+”标记和“-”标记金属板。更具体地，CVNCAP第一层金属层M1至M4 718各自还包括多个“+”标记金属板820与多个“-”标记金属板822交替水平平行排列。 | 对比文件明确公开了CVNCAP（垂直原生电容）结构，该结构由交替的正负金属板构成，属于MOM（金属氧化物金属）电容器的一种常见类型。该CVNCAP结构明确包含了互连堆叠中的金属层，特别是M1至M4这些下部的金属层（相对于M7/M8及MIM电容而言）。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出，对比文件中的MOM电容器（CVNCAP）结构包括了互连堆叠的至少一个下互连层（M1-M4）。 |
| **特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层<br>**未被公开** | [p0061] 因此，端口1 801电连接到MOSCAP 312栅极708、CVNCAP第一金属层“-”标记板822、VNCAP第二金属层“-”标记板832、第三顶部金属层“-”标记板842以及CMIM顶板752。端口2 802电连接到CVNCAP第一金属层“+”标记板820、CVNCAP第二金属层“+”标记板830、第三顶部金属层“+”标记板842以及CMIM底板754。 | 对比文件描述了CVNCAP（MOM电容）的各个金属板连接到两个电路端口（Port 1 801和Port 2 802）。然而，目标专利中的“第二上互连层”是互连堆叠中的一个特定导电层（如M10），其与第一上互连层（如M9）之间设置有MIM电容器层。对比文件中的端口801和802是电路连接点，并未被描述为互连堆叠中位于MIM电容器层上方的、独立的“上互连层”。因此，该特征未被公开。 |
| **特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层<br>**未被公开** | [p0060] MIMCAP 314也是BEOL的一部分，具有顶板752和底板754以及其间的电介质756，MIMCAP 314与CVNCAP顶部金属层732连接，如下文所述。 | 对比文件公开了存在一个MIM电容器（CMIM 314），它具有顶板752、底板754和中间的介电层756。然而，目标专利的特征D限定了MIM电容器层位于“第一上互连层与第二上互连层之间”。对比文件并未描述该MIM电容器层位于两个被明确定义为“上互连层”（如M9和M10）的互连层之间。CMIM 314的底板754可能连接到CVNCAP的顶层金属，但CVNCAP的顶层金属（M7, M8）是CVNCAP电容结构的一部分，并非目标专利中定义的、作为互连线路的独立“上互连层”。因此，该特征未被公开。 |
| **特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，<br>**《直接公开》** | [p0065] 因此，两个无源电容器（CMIM 314和CVNCAP 316）和一个有源电容器（CMOS 312）在端口1 801和端口2 802之间的并联电路布置作为一个片上电容器起作用... | 对比文件图8(b)的示意图及文字描述明确指出，CMIM（MIM电容器结构）314与CVNCAP（MOM电容器结构）316以及CMOS 312在端口1和端口2之间是并联关系。并联连接意味着它们电学上耦合在一起，共同工作。因此，对比文件直接公开了MIM电容器结构（CMIM 314）耦合到MOM电容器结构（CVNCAP 316）。 |
| **特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，<br>**未被公开** | [p0060] MIMCAP 314也是BEOL的一部分，具有顶板752和底板754以及其间的电介质756... | 目标专利的特征F强调MIM电容器结构的第一电容器极板“仅包括所述第一上互连层的一部分”，这意味着该极板是由互连层（如M9）的一部分直接充当，而非一个独立沉积的专用极板，这是目标专利的一个关键创新点。对比文件中的MIM电容器（CMIM 314）具有独立的顶板752和底板754，它们都是专门为MIM电容形成的金属层，并非由互连堆叠中已有的上互连层的一部分构成。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。<br>**《直接公开》** | [p0060] MIMCAP 314也是BEOL的一部分，具有顶板752和底板754以及其间的电介质756... | 对比文件明确描述了MIM电容器（CMIM 314）具有顶板752和底板754。无论将顶板752还是底板754视为“第二电容器极板”，该极板都必然是MIM电容器层（即由顶板、底板和介电层构成的层叠结构）的组成部分。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出，MIM电容器结构的第二电容器极板包括了MIM电容器层的至少一部分。 |
| **特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。<br>**未被公开** | 未找到相关内容。 | 对比文件仅描述了一个单一的MIM电容器结构（CMIM 314）。目标专利的特征H描述了一种嵌套或共享极板的复合MIM电容器结构，其中一个MIM电容器的极板同时作为另一个附加MIM电容器的极板。对比文件的整个说明书中均未提及或暗示存在这样的附加MIM电容器结构以及极板共享关系。因此，该特征未被公开。 |
| **特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。<br>**未被公开** | 未找到相关内容。 | 由于特征H所述的附加MIM电容器结构在对比文件中不存在，因此关于该附加结构如何与“第二上互连层”进行耦合连接的特征I自然也未被公开。 |
| **特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。<br>**未被公开** | 未找到相关内容。 | 对比文件虽然提及了片上电容器可用于集成电路，但并未具体公开或暗示将该电容器结构集成到权利要求J所列举的特定终端设备（如蜂窝电话、PCS单元等）中。该特征属于具体应用领域，未被对比文件公开。 |
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