好的，作为一名资深专利代理师，我将根据您提供的目标专利、权利要求和对比文件，进行详细的创造性评估。
**开始评估**
**目标专利名称**：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
**对比文件名称**：2009-06-18_US2009152612A_发明申请_US20090152612A1 HIGH YIELD, HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN
**本次调用模型名称**：DeepSeek最新版模型
### **特征比对分析**
根据目标专利权利要求的技术特征划分，创建特征比对表格如下：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（段落标号或位置） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构。<br>**判断结果**：未被公开 | [0023]段：“In one example, the multicapacitor element 310 comprises a MOSCAP, or CMOS, 312 in parallel with a metal-insulator-metal capacitor (CMIM) 314, and a vertical native capacitor (CVNCAP) 316.”<br>[0033]段：“A CMOS 312 functions as a FEOL capacitor and comprises a first solid substrate 702 layer; a second silicon layer 703, the silicon layer comprising source 704, drain 706 and gate regions 708; and a third conductive polysilicon contact layer 705 comprising discrete contact regions disposed on each of the source 704, drain 706 and gate regions 708.” | **未被公开**。目标专利的MOM电容器结构是**BEOL**（后端制程）结构，其利用互连堆叠中**金属互连层**（如M1-M6）的叉指形成横向电容。对比文件公开的是**MOSCAP**（或CMOS）结构，这是一种**FEOL**（前端制程）电容，其电容由半导体基板上的源、栅、漏区域形成，本质上是**MOS晶体管结构**。两者的结构、形成位置（FEOL vs BEOL）、工作原理（栅极-沟道-源/漏电容 vs 金属叉指间横向电容）均不相同。本领域技术人员无法毫无疑义地认为对比文件的MOSCAP等同于目标专利的MOM电容，也无法通过推理得出。 |
| **技术特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层。<br>**判断结果**：未被公开 | [0033]-[0034]段：描述了CVNCAP (Vertical Native Capacitor) 结构，其使用了从M1到M8的金属层（第一组M1-M4，第二组M5-M6，第三组M7-M8），这些金属层位于BEOL（后端制程）中，可视为互连层。 | **未被公开**。目标专利的“下互连层”特指**MOM电容器结构本身所包含的互连层**。对比文件中的金属层（M1-M8）属于**VNCAP**（垂直原生电容）结构的一部分，而非MOSCAP（MOM）结构的一部分。VNCAP是利用多层金属层间的垂直和平行板电容，与目标专利中利用单层或相邻层金属叉指横向耦合的MOM结构不同。因此，对比文件未公开MOM结构包含互连堆叠的下互连层。 |
| **技术特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层。<br>**判断结果**：未被公开 | [0038]段：“Port 1 801 is connected electrically to the MOSCAP 312 gates 708, the “−” signed CVNCAP first metal level plates 822, ... and to the CMIM top plate 752. Port 2 802 is connected electrically to the ... sources 704 and drains 706.” | **未被公开**。目标专利的“第一上互连层”和“第二上互连层”（如M9， M10）是互连堆叠中特定的高层金属互连层，它们不仅用于连接，还直接作为MIM电容器结构的极板或连接点。对比文件虽然描述了MOSCAP、VNCAP、MIMCAP通过端口（Port 1， Port 2）并联连接，但并未明确指出这些端口连接至互连堆叠中特定的“第二上互连层”。对比文件未公开“第二上互连层”这一特定的结构层次和连接关系。 |
| **技术特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层。<br>**判断结果**：未被公开 | [0033]段：“The MIMCAP 314 is also a part of the BEOL and has a top plate 752 and a bottom plate 754 and a dielectric 756 therebetween...”<br>[0034]段：“...the MIMCAP 314 interfaced to the CVNCAP top metal layers 732...” | **未被公开**。目标专利的“MIM电容器层”特指位于**第一上互连层（如M9）和第二上互连层（如M10）之间**的特定结构层，其极板的一部分由这些上互连层构成。对比文件公开了MIM电容器（314），并描述了其有顶部极板、底部极板和介电层，位于BEOL中并与VNCAP的顶部金属层连接。但对比文件**没有明确指出该MIM电容器的极板是互连堆叠中的特定上互连层（如M9， M10）**，也未明确其介电层位于两个特定的上互连层之间。因此，对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构。<br>**判断结果**：未被公开 | [0023]段：“...the multicapacitor element 310 comprises a MOSCAP, or CMOS, 312 in parallel with a metal-insulator-metal capacitor (CMIM) 314...”<br>[0038]段：描述了MOSCAP 312和MIMCAP 314均连接到相同的两个端口（Port 1和Port 2），即它们在电路上是并联的。 | **未被公开**。虽然对比文件公开了MOSCAP（312）和MIMCAP（314）在电路上并联连接，但目标专利的“耦合”不仅仅是电连接，更强调一种**结构上的集成**，即MIM电容器结构与MOM电容器结构共享或利用互连堆叠中的特定互连层（如第一上互连层）来形成复合电容结构。对比文件的MOSCAP（FEOL）和MIMCAP（BEOL）是两个独立形成的电容，通过端口并联，但没有公开目标专利中那种共享互连层、在垂直方向集成的互补BEOL结构。 |
| **技术特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板**仅包括所述第一上互连层的一部分**。<br>**判断结果**：未被公开 | [0033]段：“The MIMCAP 314 is also a part of the BEOL and has a top plate 752 and a bottom plate 754 and a dielectric 756 therebetween...” | **未被公开**。这是目标专利的核心创新点之一：利用互连堆叠中已有的上互连层（如M9）的一部分作为MIM电容器的一个极板，从而节省掩模和工艺步骤。对比文件中的MIMCAP 314具有独立的顶部极板（752）和底部极板（754），这两个极板都是**专门为MIM电容器形成**的，**并非由互连堆叠中已有的上互连层的一部分构成**。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。<br>**判断结果**：《直接公开》 | [0033]段：“The MIMCAP 314 is also a part of the BEOL and has a top plate 752 and a bottom plate 754 and a dielectric 756 therebetween...” | **直接公开**。目标专利的“第二电容器极板”是MIM电容器结构的一部分，由MIM电容器层（即沉积的MIM叠层）构成。对比文件明确公开了MIMCAP（314）具有顶部极板（752）和底部极板（754）。该顶部极板（752）和/或底部极板（754）即是MIM电容器层的一部分。本领域技术人员能够毫无疑义地得出，MIM电容器的极板必然包含构成该MIM电容器的材料层（即MIM电容器层）的至少一部分。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。<br>**判断结果**：未被公开 | 对比文件全文仅描述了一个MIM电容器（CMIM 314），未提及存在两个MIM电容器结构，更未提及两个MIM电容器结构共享一个极板（即一个MIM的极板作为另一个MIM的极板）。 | **未被公开**。目标专利的该特征描述了在M9和M10之间形成两个堆叠的MIM电容器结构，且它们共享一个极板（例如，一个MIM的顶部极板同时是另一个MIM的底部极板），以进一步提高电容密度。对比文件中仅公开了一个单独的MIM电容器（314），其与VNCAP和MOSCAP并联。对比文件完全没有提及或暗示存在第二个、堆叠的MIM电容器结构，也没有公开这种共享极板的结构。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。<br>**判断结果**：未被公开 | 对比文件未公开“附加MIM电容器结构”，因此自然也未公开该附加结构如何与“第二上互连层”的不同部分进行耦合。 | **未被公开**。该特征是特征H所描述的附加MIM电容器结构的进一步连接关系。由于对比文件未公开特征H（附加MIM电容器结构），因此该具体的连接关系也无从谈起。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。<br>**判断结果**：未被公开 | 对比文件未提及将所描述的电容结构集成到任何具体的终端设备中。 | **未被公开**。该特征是关于电容器的应用领域。对比文件仅描述了片上电容结构本身及其制造方法，但并未指明该电容结构具体应用于哪些终端产品。因此，该应用特征未被对比文件公开。 |
### **结论**
根据上述比对分析：
- **技术特征G** 被对比文件**直接公开**。
- 技术特征A、B、C、D、E、F、H、I、J均未被对比文件**直接公开**或**隐含公开**。其中，技术特征F（第一极板仅包括第一上互连层的一部分）是目标专利的关键区别特征，对比文件的MIM电容具有独立的、专门形成的极板，而非利用已有的互连层。
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