对比文件名称：2006-09-28_JP2006261592A_发明专利_JP2006261592A Magnetoresistance effect element and its manufacture
目标专利名称：398具有包括磁性隧道结的顶部电极及底部电极的装置的制造与集成CN102687298B
本次调用模型名称：DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：在层间或金属间电介质衬底上沉积隔离层<br>**判断**：未直接公开或隐含公开 | 对比文件描述了在层间绝缘膜40上形成下部电极层46（参见图4(b)及对应描述：“コンタクトホール４２に埋め込まれ…下部電極層４６を形成する”）。未提及在层间绝缘膜与下部电极层之间专门沉积一个“隔离层”。 | 在目标专利中，“隔离层”用于隔离底部电极层与衬底（参见说明书[0035]段：“隔离层704将底部电极层710与层间或金属间电介质衬底702分开”）。对比文件中，下部电极层46直接形成在层间绝缘膜40上，两者之间没有描述额外的、功能为电隔离的“隔离层”。本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出存在此特定隔离层。 |
| **技术特征B**：在所述隔离层和第一接触件上沉积第一电极层，所述第一接触件嵌入于所述层间或金属间电介质衬底中，并且延伸穿过所述隔离层<br>**判断**：直接公开 | 对比文件描述了接触插塞44嵌入在层间绝缘膜40， 28， 20中并连接至源/漏区18，以及在下部电极层46形成在该接触插塞44上（参见图4(b)及对应描述：“コンタクトホール４２に埋め込まれ…コンタクトプラグ４４を形成する”、“下部電極層４６を形成する”）。 | 对比文件明确公开了“第一接触件”（接触插塞44）嵌入于层间绝缘膜（衬底）中，以及在其上沉积“第一电极层”（下部电极层46）。虽然对比文件没有明确提及“隔离层”，但“第一电极层”沉积在包含接触插塞的衬底结构上是直接公开的。接触插塞延伸穿过多层绝缘膜以进行电连接，其作用与目标专利中“延伸穿过所述隔离层”以实现电连接的作用相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：在所述第一电极层上与所述第一接触件偏移制造磁性装置<br>**判断**：隐含公开 | 对比文件图2显示MTJ元件66形成在下部电极层46上，而接触插塞44位于MTJ元件66的一侧（非正下方）。制造方法描述中，先形成覆盖整个下部电极层46的MTJ堆叠，然后进行图案化（参见图5(a)-7(a)）。 | 目标专利中“偏移”意味着磁性装置（MTJ）并非直接、完全对准于下方的接触件之上。对比文件的附图2明确显示MTJ元件66与接触插塞44在水平位置上并不对齐，即MTJ元件是“偏移”的。虽然说明书文字未明确强调“偏移”，但根据附图及制造流程（先整体沉积后图案化），本领域技术人员能够合理推断出制造出的磁性装置与下方的接触插塞在位置上是偏移的。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征D**：在制造所述磁性装置之后图案化所述第一电极层<br>**判断**：直接公开 | 对比文件描述了在形成MTJ元件66（磁性装置）之后，再图案化下部电极层46（第一电极层）（参见图7(b)和8(a)及对应描述：“ＭＴＪ素子６６が形成された下部電極層４６上に…絶縁膜６８を形成する”、“フォトレジスト膜７０をマスクとして…下部電極層４６を異方性エッチングする”）。 | 对比文件制造流程明确：先形成完整的MTJ堆叠并图案化出MTJ元件66（图5(a)-7(a)），然后在MTJ元件形成之后，使用光刻胶70掩模对下部电极层46进行图案化（图8(a)）。该顺序与目标专利权利要求特征D完全一致，且作用均为定义出独立的底部电极。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：在经图案化的第一电极层上沉积顶盖层，所述顶盖层围绕所述经图案化的第一电极层的至少一个边缘延伸且直接接触所述隔离层<br>**判断**：未直接公开或隐含公开 | 对比文件在图案化下部电极层46后，沉积了绝缘膜68（参见图7(b)及描述：“ＭＴＪ素子６６が形成された下部電極層４６上に…絶縁膜６８を形成する”）。该绝缘膜68覆盖MTJ元件和下部电极的侧壁。 | 目标专利中的“顶盖层”特指在图案化第一电极层后沉积的、用于保护其侧壁并接触隔离层的层（参见附图7C中的层734）。对比文件中的绝缘膜68虽然覆盖了下部电极侧壁，但其作用被描述为“下部電極層４６を加工する際にＭＴＪ素子６８をプラズマから保護するための膜”，主要目的是在后续加工中保护MTJ元件，而非专门作为围绕第一电极层边缘的“顶盖层”。更重要的是，对比文件不存在目标专利所述的“隔离层”，因此绝缘膜68不可能“直接接触所述隔离层”。该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：将第一电介质层沉积于所述磁性装置及所述第一电极层上<br>**判断**：直接公开 | 对比文件在图案化下部电极层46后，沉积了绝缘膜72和74（参见图8(b)及描述：“全面に…絶縁膜７２と…絶縁膜７４とを形成する”）。这些绝缘膜覆盖MTJ元件66和经图案化的下部电极层46。 | 对比文件明确公开了在MTJ元件（磁性装置）和图案化的下部电极层（第一电极层）上沉积绝缘膜（第一电介质层）的步骤。其作用是进行电隔离和平面化，与目标专利中第一电介质层（对应中间金属间电介质层742）的作用相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征G**：在沉积所述第一电介质层之后沉积第二电极层<br>**判断**：未直接公开或隐含公开 | 对比文件在沉积绝缘膜72、74并平坦化后，继续沉积了绝缘膜76和78，然后形成了通孔80和配线沟82，最后用导电材料（Cu）填充形成比特线84（参见图8(b)-9(b)）。 | 目标专利中的“第二电极层”是沉积在第一电介质层上并随后被图案化成离散顶部电极的连续导电层（如附图7F中的层750）。对比文件中，在对应第一电介质层（绝缘膜74）之上，并没有沉积一个连续的、用于形成顶部电极的“第二电极层”。取而代之的是，通过双镶嵌工艺形成了与MTJ元件连接的上部布线（比特线84）。两者结构不同：目标专利是“电极层-图案化电极”，对比文件是“介质层-图案化通孔/沟槽-填充金属”。本领域技术人员不能从对比文件得出或推断出沉积第二电极层的技术方案。 |
| **技术特征H**：及在沉积所述第二电极层之后图案化所述第二电极层。<br>**判断**：未直接公开或隐含公开 | （同上）对比文件没有公开“第二电极层”的沉积步骤。 | 由于对比文件未公开技术特征G（沉积第二电极层），自然也就不存在对该层进行图案化的步骤。该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其中所述磁性装置包含磁性隧道结。<br>**判断**：直接公开 | 对比文件全文描述其磁阻效应元件为MTJ（磁性隧道结）元件66（例如，参见[0002]段及图2描述）。 | 对比文件的核心就是制造MTJ元件，其磁性装置明确为磁性隧道结。该特征被直接公开。 |
| **技术特征J**：其进一步包含将所述磁性隧道结集成到磁性随机存取存储器中。<br>**判断**：直接公开 | 对比文件背景技术和具体实施方式均明确其制造的是MRAM（磁性随机存取存储器）（参见[0002]段及图1、2描述）。 | 对比文件的目的就是提供用于MRAM的MTJ元件及其制造方法，其描述的装置结构（选择晶体管+MTJ）即为典型的1T-1MTJ型MRAM存储单元。因此，将MTJ集成到MRAM中的特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：其进一步包含在沉积所述第二电极层之前平坦化所述第一电介质层。<br>**判断**：直接公开 | 对比文件在沉积绝缘膜74（第一电介质层）后，明确进行了平坦化（参见图8(b)及描述：“例えばＣＭＰ法により、絶縁膜７４の表面を平坦化する”）。 | 对比文件明确公开了在沉积绝缘膜74（对应于第一电介质层）之后，对其进行化学机械抛光（CMP）以实现平坦化的步骤。该步骤发生在形成上部布线（比特线）之前。虽然对比文件没有“第二电极层”，但其平坦化步骤在工艺顺序和目的（为后续层提供平坦基底）上与目标专利特征K一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征L**：其中沉积顶盖层包含：在制造所述磁性装置之后将第一顶盖层沉积于所述磁性装置上。<br>**判断**：隐含公开 | 对比文件在图案化自由磁化层54等之后，形成了由绝缘膜62构成的侧壁绝缘膜64（参见图6(a)(b)及描述）。此外，在MTJ元件形成后、图案化下部电极前，沉积了绝缘膜68（参见图7(b)）。 | 目标专利中“第一顶盖层”用于在图案化磁性装置后覆盖其顶部和侧壁以进行保护（如说明书[0036]段的层734）。对比文件中，在图案化出MTJ堆叠（磁性装置）的初始形状后，沉积了绝缘膜62并回蚀形成侧壁绝缘膜64，该侧壁绝缘膜64覆盖了MTJ堆叠的侧壁。虽然其形成方式（沉积后回蚀）和目标专利（沉积后保留）略有差异，但其“在制造磁性装置之后沉积、覆盖磁性装置侧壁以作保护”的作用是相似的。可以认为对比文件隐含公开了在制造磁性装置后沉积保护层（第一顶盖层的功能等价物）的技术方案。 |
| **技术特征M**：其中沉积顶盖层进一步包含：在沉积所述第一顶盖层之后蚀刻所述第一顶盖层以暴露所述磁性装置的表面<br>**判断**：隐含公开 | 对比文件在沉积绝缘膜62后，进行了回蚀以露出隧道绝缘膜52的表面（参见图6(b)及描述：“トンネル絶縁膜５２が露出するまで絶縁膜６２を異方性エッチングする”）。 | 目标专利中蚀刻第一顶盖层是为了暴露MTJ的顶部表面以便接触。对比文件中，对绝缘膜62（可被视为保护层）进行回蚀，露出了下方MTJ堆叠中隧道绝缘膜52的表面。虽然暴露的层面不同（目标专利是MTJ最顶层，对比文件是MTJ中间的隧道势垒层），但“蚀刻覆盖层以暴露磁性装置某一表面”这一基本操作概念是相同的。本领域技术人员有可能从对比文件进行推理得出此操作。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征N**：及在蚀刻所述第一顶盖层之后且在沉积所述第一电介质层之前，沉积第二顶盖层。<br>**判断**：未直接公开或隐含公开 | 对比文件在形成侧壁绝缘膜64（相当于蚀刻后）并图案化固定层等之后，在沉积绝缘膜68（第一电介质层）之前，没有描述沉积另一个“第二顶盖层”的步骤。 | 目标专利中“第二顶盖层”（如说明书[0039]段的层740）是在第一顶盖层回蚀后、沉积第一电介质层前新增的另一个保护层。对比文件的工艺流程中，在对应步骤（形成侧壁绝缘膜64并完成MTJ图案化后）直接沉积了绝缘膜68，中间没有插入另一个专门的顶盖层。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出存在此额外的“第二顶盖层”沉积步骤。 |
| **技术特征O**：其进一步包含：在图案化所述第二电极层之后沉积第二电介质层<br>**判断**：未直接公开或隐含公开 | 对比文件在图案化下部电极层（第一电极层）并沉积平坦化绝缘膜74后，继续沉积了绝缘膜76和78（参见图8(b)）。 | 目标专利的“第二电介质层”是在图案化顶部电极（第二电极层）之后沉积的（如说明书[0045]段的层760）。对比文件中，在图案化下部电极层（第一电极层）之后，确实沉积了更多的绝缘膜（76，78），但这些绝缘膜是在形成上部布线（比特线）之前沉积的，并非在“图案化第二电极层之后”。由于对比文件不存在“第二电极层”，因此也不存在在其之后沉积“第二电介质层”的步骤。该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：及平坦化所述第二电介质层。<br>**判断**：未直接公开或隐含公开 | 对比文件对绝缘膜74进行了平坦化（图8(b)），但对后续沉积的绝缘膜78，描述是形成配线沟82，未明确提及对其进行整体平坦化（参见图9(a)）。 | 由于技术特征O未被公开，因此在其基础上进行平坦化的特征P自然也未被公开。此外，对比文件中对绝缘膜78的处理是图案化出沟槽，而非先整体平坦化。 |
| **技术特征Q**：其进一步包含：在沉积所述第二电介质层之后图案化到所述第二电极层的电路径<br>**判断**：未直接公开或隐含公开 | 对比文件在绝缘膜76，78中图案化了通孔80和配线沟82，以连接到MTJ元件顶部的帽层56（参见图9(a)）。 | 目标专利的“图案化到所述第二电极层的电路径”是指在第二电介质层中开出接触顶部电极（第二电极层）的孔或沟槽。对比文件确实有图案化电路径（通孔80和配线沟82）的步骤，但这些电路径是连接到MTJ元件的帽层，而非一个独立的、已被图案化的“第二电极层”。由于对比文件缺乏“第二电极层”和“第二电介质层”，该特征中的限定关系无法成立。 |
| **技术特征R**：及用导电材料填充所述电路径。<br>**判断**：直接公开 | 对比文件明确描述了用导电材料（如铜）填充通孔80和配线沟82以形成比特线84（参见图9(b)及描述：“Ｃｕ膜を堆積後…配線溝８２に埋め込まれ…ビット線８４を形成する”）。 | 对比文件公开了用导电材料填充已图案化的电路径（通孔和沟槽）的步骤，其作用与目标专利特征R相同，都是为了形成与下方元件电连接的上部导体。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征S**：其中图案化所述电路径包含图案化沟槽。<br>**判断**：直接公开 | 对比文件明确图案化了“配線溝８２”（即配线沟，沟槽）（参见图9(a)）。 | 对比文件直接公开了图案化沟槽作为电路径的一部分。该特征被直接公开。 |
| **技术特征T**：其中图案化所述电路径进一步包含图案化通孔。<br>**判断**：直接公开 | 对比文件明确图案化了“ビアホール８０”（即通孔）（参见图9(a)）。 | 对比文件直接公开了图案化通孔作为电路径的一部分。该特征被直接公开。 |
| **技术特征U**：其进一步包含在填充所述电路径之后沉积顶部顶盖层。<br>**判断**：未直接公开或隐含公开 | 对比文件说明书在描述形成比特线84后，未提及沉积顶部顶盖层的步骤。 | 目标专利中在填充电路径后沉积顶部顶盖层是额外的封装或保护步骤。对比文件的制造方法描述截止于形成比特线，没有公开此后续的沉积顶部顶盖层的步骤。本领域技术人员不能从对比文件得出或合理推断出此步骤。 |
| **技术特征V**：其中同一掩模产生用于图案化所述第二电极层且图案化所述第一电极层的图案。<br>**判断**：未直接公开或隐含公开 | 对比文件中，图案化下部电极层46使用了光刻胶掩模70（图8(a)），图案化上部布线（比特线）使用了双镶嵌工艺，涉及不同的掩模步骤。未提及使用同一掩模来图案化下部电极和上部布线。 | 目标专利该特征强调使用同一掩模来定义顶部和底部电极的图案，以实现自对准并节省掩模成本。对比文件中，下部电极和上部导体的形成是完全独立的两套图案化工艺，没有使用同一掩模。该特征未被公开。 |
| **技术特征W**：其中沉积顶盖层包含：在制造所述磁性装置之后且在沉积所述第一电介质层之前清洁所述磁性装置<br>**判断**：未直接公开或隐含公开 | 对比文件在制造工艺描述中，未明确提及在关键步骤（如沉积侧壁绝缘膜前或沉积绝缘膜68前）对磁性装置（MTJ）进行专门的清洁步骤。 | 目标专利特别强调了在沉积顶盖层前清洁MTJ装置以防止氧化和污染（参见说明书[0036]段）。对比文件的工艺流程描述侧重于图形化和沉积，没有记载此类专门的清洁步骤。虽然在实际工艺中清洁可能被隐含，但根据对比文件文字记载，无法确认或合理推断出此特定步骤的存在。 |
| **技术特征X**：及在清洁所述磁性装置之后将第一顶盖层沉积于所述磁性装置上。<br>**判断**：未直接公开或隐含公开 | （同特征W、L）对比文件未明确记载“清洁”步骤。其沉积侧壁绝缘膜或绝缘膜68的步骤前，没有与清洁操作相关联的描述。 | 由于前提步骤“清洁”未被公开，且“第一顶盖层”的沉积与清洁的关联性在对比文件中未体现，该组合特征未被公开。 |
| **技术特征Y**：其进一步包含将所述磁性装置集成于以下各者中的至少一者中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元及计算机。<br>**判断**：隐含公开 | 对比文件在[0002]段提到MRAM作为可重写非易失性存储器受到关注，并在[2]段最后提到磁阻效应元件也可用于磁头等其他器件。 | 目标专利该特征限定了MTJ装置的具体应用终端。对比文件明确了其MTJ用于MRAM，而MRAM作为一种存储器，其应用范围广泛。虽然对比文件没有列出目标专利中那么具体的消费电子设备清单，但本领域技术人员公知MRAM可以用于需要存储器的各种电子设备，包括计算机、通信装置等。因此，可以合理推断对比文件公开的MTJ装置有可能被集成到此类设备中。该特征被隐含公开。 |
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