**对比文件名称**：发明公开_KR1020120113282A 기판 내장용 전자 부품 및 부품 내장형 기판 (电子元件嵌入基板及元件嵌入基板)
**目标专利名称**：双侧电路
**本次调用模型名称**：专利创造性评估模型
以下将严格按照目标专利权利要求中已给出的技术特征划分，创建特征比对表格，并结合目标专利说明书原文进行公开性判断。
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (译文) | 公开性论述 |
| **特征A：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围** <br> 《直接公开》 | 段落[0027]：“…기판 내장용 전자 부품(100)은 소정의 간격을 두고 대향하는 한 쌍의 자성체층(101, 102) 사이에 3층의 절연 수지층, 즉 중간 절연 수지층(103), 상부 절연 수지층(104) 및 하부 절연 수지층(105)을 개재하고…” (…基板内置用电子元件(100)是在间隔开相对的一对磁性体层(101， 102)之间介设有3层绝缘树脂层，即中间绝缘树脂层(103)、上部绝缘树脂层(104)及下部绝缘树脂层(105)…)。<br>段落[0033]：“…중간 절연 수지층(103), 상부 절연 수지층(104) 및 하부 절연 수지층(105)은 모두 "절연체"이기 때문에…” (…中间绝缘树脂层(103)、上部绝缘树脂层(104)及下部绝缘树脂层(105)全部都是“绝缘体”…)。<br>图1、图2、图3A-3D显示了层叠结构的立体及平面视图。 | 对比文件公开了由多层绝缘树脂层（103、104、105）构成的绝缘体。这些层叠结构共同形成了一个具有顶面（对应“第一表面”）、底面（对应“第二表面”）和侧边（对应“外围”）的三维实体，如各附图所示。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **特征B：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上** <br> 《直接公开》 | 段落[0029]：“…중간 절연 수지층(103)의 상면측에 형성된 제1 평면형 코일(110) 및…단자 전극(112?114)…” (…在中间绝缘树脂层(103)的上表面侧形成的第一平面型线圈(110)及…端子电极(112-114)…)。<br>段落[0033]：“…한 쌍의 평면형 코일(110, 111)[단자 전극(112?117)을 포함한다]과 자성체층(101, 102) 사이에 상부 절연 수지층(104)과 하부 절연 수지층(105)이 개재된다.” (…在一对平面型线圈(110, 111)[包括端子电极(112-117)]与磁性体层(101, 102)之间介设有上部绝缘树脂层(104)和下部绝缘树脂层(105)。)。<br>图2、图3(b)清晰地显示了第一平面型线圈(110)及其端子电极布置在结构的上层（即第一表面所在层）。 | 对比文件明确记载了第一平面型线圈（电感器）及其端子电极（可视为电路元件）形成在绝缘体（具体是中间绝缘树脂层103）的“上表面侧”。在目标专利中，“布置在第一表面上”包括元件直接形成在表面或形成在附着于该表面的层上。对比文件的公开与之相符，因此技术特征B被直接公开。 |
| **特征C：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上** <br> 《直接公开》 | 段落[0029]：“…중간 절연 수지층(103)의 하면측에 형성된 제2 평면형 코일(111)…단자 전극(115?117)…” (…在中间绝缘树脂层(103)的下表面侧形成的第二平面型线圈(111)…端子电极(115-117)…)。<br>图2、图3(c)清晰地显示了第二平面型线圈(111)及其端子电极布置在结构的下层（即第二表面所在层）。 | 与特征B同理，对比文件明确记载了第二平面型线圈（电感器）及其端子电极形成在绝缘体的“下表面侧”。这直接对应于目标专利中“布置在第二表面上”的技术特征。因此，技术特征C被直接公开。 |
| **特征D：至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。** <br> 《未公开》 | **关于“导电侧壁”**：对比文件全文未提及在绝缘体外围布置导电侧壁。电连接是通过 **“표리 관통 전극”(通孔电极)** 实现的，例如段落[0030]：“…단자 전극(112?117)은…중간 절연 수지층(103)에 형성된 3개의 표리 관통 전극(118?120)을 개재하여 전기적으로 접속된다.” (…端子电极(112-117)通过…在中间绝缘树脂层(103)中形成的3个通孔电极(118-120)介电而电连接。)。<br>**关于“第一电容器”及其具体结构**：对比文件主要描述电感元件（平面型线圈）。虽然端子电极与绝缘层可能形成寄生电容，但说明书中并未明确描述作为独立功能元件的“电容器”，更没有公开如目标专利权利要求中限定的具有特定三层堆叠结构（内部导电层-介电层-中间导电层）的电容器。段落[0003]提到电容器是可用于嵌入的电子元件，但并未在本发明具体实施例中描述其结构。 | 1. **导电侧壁**：目标专利的核心特征之一是使用布置在绝缘体外围的导电侧壁来实现上下表面电路之间的电耦合，这有助于减小占用面积并可能减少串扰。对比文件采用完全不同的技术手段——在绝缘体内部钻通孔并填充导电材料形成垂直互联（通孔电极）。这两种互联结构在位置、形态和功能上均不相同，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或通过简单推理得到“在外围上布置导电侧壁”的技术方案。<br>2. **第一电容器及其结构**：目标专利明确限定了第一电容器包含特定的三层材料堆叠结构。对比文件既未公开“第一电容器”是该电路元件第一子集的组成部分，也未公开任何具有所述精确层状结构的电容器。因此，技术特征D的整体未被对比文件公开（无论是直接还是隐含）。 |
| **特征E：所述绝缘体包括玻璃** <br> 《未公开》 | 段落[0028]：“…중간 절연 수지층(103), 상부 절연 수지층(104) 및 하부 절연 수지층(105)은 예컨대 모두 에폭시수지 베이스의 절연 재료다.” (…中间绝缘树脂层(103)、上部绝缘树脂层(104)及下部绝缘树脂层(105)例如都是环氧树脂基的绝缘材料。)。 | 对比文件明确说明绝缘体（各绝缘树脂层）的材料是环氧树脂等树脂材料，并未提及玻璃。因此，技术特征E未被公开。 |
| **特征F：所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。** <br> 《隐含公开》 | 段落[0028]描述了各层材料厚度，但未直接比较。<br>图4、图5等截面图显示了绝缘树脂层（103、104、105）的整体结构包裹并分隔了平面型线圈（110, 111）和磁性体层（101, 102）。从图示比例可以推断，由多层绝缘树脂层构成的绝缘体的总厚度明显大于单个平面型线圈导体的厚度。 | 虽然对比文件未用文字明确表述厚度关系，但根据其描述的层叠结构和附图所示，本领域技术人员能够直接且毫无疑义地认识到，作为支撑和隔离结构的绝缘体（由多个绝缘层构成）其整体厚度必然大于形成在其单个表面上的电路图案（如平面线圈导体的厚度）。这是实现结构支撑和电气隔离的基本物理要求。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **特征G：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。** <br> 《未公开》 | 对比文件全文仅描述了该元件作为电感器（线圈）的功能（见段落[0027]“인덕터 소자다”(是电感器元件)），并未提及任何滤波功能，更没有提及将不同子集配置为对不同频带（尤其是高低频带）进行滤波。 | 目标专利的该特征限定了电路的具体功能应用——作为双工器/多工器，对不同频带进行滤波。对比文件的发明目的在于提供薄型化的嵌入式电感元件，解决厚度问题，并未涉及滤波电路的设计或频带分离功能。因此，技术特征G未被公开。 |
| **特征H：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器** <br> 《直接公开》 | 段落[0029]：“…중간 절연 수지층(103)의 상면측에 형성된 제1 평면형 코일(110)…” (…在中间绝缘树脂层(103)的上表面侧形成的第一平面型线圈(110)…)。 | 对比文件明确公开了在第一表面（上表面侧）布置有第一平面型线圈，而平面型线圈即为一种电感器。因此，技术特征H被直接公开。 |
| **特征I：所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。** <br> 《未公开》 | **关于电感比较**：对比文件中的第一和第二平面型线圈（110, 111）结构相似，通常用于串联或并联以构成一个电感器，并未教导或暗示它们具有不同的电感值，且一个比另一个“更低电感”。段落[0032]描述它们构成一个双面引出型电感器。<br>**关于电容器比较**：如前所述，对比文件未公开目标专利中所述结构的第一电容器和第二电容器，因此更无从比较其电容值。 | 该特征限定了上下表面电路元件参数的具体相对关系。对比文件既未公开具有不同电感值的两个独立电感器分别布置于上下表面，也未公开所述结构的电容器。因此，技术特征I未被公开。 |
| **特征J：所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。** <br> 《直接公开》 | 段落[0036]：“평면형 코일(110, 111)은 예컨대 Cu 도금에 의해, L/S가 90/30μm, 두께t가 25μm, 턴(turn)수가 7이며…” (平面型线圈(110， 111)例如通过Cu镀层形成，线宽/线距为90/30μm，厚度t为25μm，匝数为7…)。<br>图2、图3(b)、3(c)清楚地显示了平面型线圈呈螺旋状（螺线形）图案。 | 对比文件公开的“평면형 코일”(平面型线圈)具有多匝（턴수），从附图中可明确看出其为螺旋形状。因此，“第一螺旋电感器”和“第二螺旋电感器”被直接公开。 |
| **特征K：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。** <br> 《未公开》 | 对比文件未描述电感器具有如此复杂的多层子层结构（内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层）。其平面型线圈（110, 111）被描述为通过镀铜形成（段落[0036]），并嵌入在绝缘树脂层中。 | 目标专利该特征限定了电感器的一种特定制造结构，涉及多层交替的导电层和绝缘层。对比文件中的电感器是简单的平面导体图案，没有公开这种细分层状结构。因此，技术特征K未被公开。 |
| **特征L：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <br> 《未公开》 | 同上，对比文件未描述第二电感器具有此类结构。 | 理由同特征K。技术特征L未被公开。 |
| **特征M：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。** <br> 《未公开》 | 对比文件未公开如目标专利权利要求中限定的具有特定三层堆叠结构的电容器，无论是第一电容器还是第二电容器。 | 理由同特征D中关于电容器结构的论述。技术特征M未被公开。 |
| **特征N：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。** <br> 《未公开》 | 此特征与特征K完全相同。对比文件未公开。 | 理由同特征K。技术特征N未被公开。 |
| **特征O：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <br> 《未公开》 | 此特征与特征L完全相同。对比文件未公开。 | 理由同特征L。技术特征O未被公开。 |
| **特征P：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器。** <br> 《未公开》 | 对比文件中有通孔电极（표리 관통 전극）（如118-120），但它们用于连接上下表面的线圈端子电极（112-117）（段落[0030]），以实现线圈之间的串联/连接。对比文件未公开“第一电容器”，因此不存在将电感器耦合至电容器的过孔。 | 该特征限定了用于连接特定元件（第一电感和第一电容）的过孔。对比文件虽有过孔，但其连接对象和目的不同（连接两个线圈的端子），且目标专利中的“第一电容器”未被公开。因此，技术特征P未被公开。 |
| **特征Q：以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。** <br> 《未公开》 | 理由同特征P。对比文件未公开“第二电容器”，因此不存在相应的过孔。 | 理由同特征P。技术特征Q未被公开。 |
| **特征R：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集。** <br> 《未公开》 | 对比文件未公开“导电侧壁”。其端子电极为平面电极，通过通孔引出，并未形成侧壁上的接触表面。此外，对比文件未涉及“低频带”的概念或滤波功能。 | 该特征依赖于“导电侧壁”的存在并赋予其特定的功能定义（如低频带接触）。由于对比文件既无导电侧壁，也无频带滤波的功能描述，因此该特征未被公开。 |
| **特征S：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集。** <br> 《未公开》 | 理由同特征R。对比文件未公开导电侧壁及“高频带”相关概念。 | 理由同特征R。技术特征S未被公开。 |
| **特征T：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。** <br> 《未公开》 | 理由同特征R。对比文件未公开导电侧壁及“天线接触表面”的功能定义。 | 理由同特征R。技术特征T未被公开。 |
### 结论
根据上述比对分析：
- 技术特征A、B、C、H、J被对比文件**直接公开**。
- 技术特征F被对比文件**隐含公开**。
- 技术特征D、E、G、I、K、L、M、N、O、P、Q、R、S、T**既未被直接公开也未被隐含公开**。
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