对比文件名称：发明申请_US20140327496A1 TUNABLE DIPLEXERS IN THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (IC) (3DIC) AND RELATED COMPONENTS AND METHODS
目标专利名称：双侧电路
本次调用模型名称：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围** <br>《隐含公开》 | 说明书第[0041]段：“The first tier 162 may include a glass substrate 166...”；图4、5、7所示结构。 | 对比文件公开了“glass substrate 166”（玻璃基板166），其作为三维集成电路的一个层级（第一层162）。该玻璃基板作为一个实体，必然具有第一表面、第二表面和连接两个表面的外围（侧面）。虽然对比文件文字未明确描述“外围”一词，但本领域技术人员根据三维物体的常识以及附图（图4、5、7）所示的结构，可以毫无疑义地理解该玻璃基板具有第一表面、第二表面和外围。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上** <br>《直接公开》 | 说明书第[0041]段：“The first tier 162 may include a glass substrate 166 with conductive elements 168 formed therethrough to form one or more inductors such as inductors 110, 112, 114, and 116.”；图4、5所示。 | 对比文件明确指出第一层（first tier 162）包含玻璃基板，并且在其中/其上形成导电元件168以构成一个或多个电感器（如电感器110, 112, 114, 116）。这些电感器是电路元件。它们被布置在玻璃基板（即绝缘体）上，构成了布置在第一表面上的电路元件的第一子集。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上** <br>《直接公开》 | 说明书第[0042]段：“the second tier 164 may comprise a substrate 170 and an active region 172 with one or more varactors therein. The varactors 174 may be varactors 104, 106, 108, and 118.”；图4、5所示。 | 对比文件明确指出第二层（second tier 164）包含一个或多个变容二极管（varactors 174）。变容二极管是可变电容器，属于电路元件。第二层164与第一层162堆叠，其上的变容二极管构成了布置在第二表面（第二层所对应的表面）上的电路元件的第二子集。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D：至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。** <br>《未被公开》 | 1. 电连接：说明书第[0043]段：“By positioning the varactors 174 within the second tier 164 so close to the inductors of the first tier 162, power draining parasitics are avoided and extra connections are avoided...”；图5、7显示层间通过焊球（contacts 176, WLCSP balls）、凸块（flip chip bumps 202）等连接。<br>2. 电容器结构：对比文件未描述电容器的具体多层叠层结构。 | 1. **导电侧壁**：对比文件未公开“布置在外围上的导电侧壁”。对比文件中层间电连接是通过焊球、凸块等位于上下表面之间的互连结构实现的（如图5中的contacts 176，图7中的flip chip bumps 202和balls 204），而非布置在基板外围侧壁上的导电结构。目标专利中导电侧壁是核心特征，用于在三维空间上连接双面电路并作为外部端子，其作用与对比文件中的表面互连结构不同。<br>2. **电容器特定结构**：目标专利权利要求详细限定了第一电容器的具体构造，包括与绝缘体第一表面接触的第一内部导电层、第一介电层和第一中间导电层。对比文件虽然公开了包含电容器/变容二极管，但未描述其具有如此具体的层状结构，特别是“与绝缘体的第一表面接触”这一位置关系。对比文件中的变容二极管可能形成于半导体有源区（active region 172）中，其结构与目标专利描述的叠层电容器结构不同。<br>综上，技术特征D既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征E：所述绝缘体包括玻璃** <br>《直接公开》 | 说明书第[0041]段：“The first tier 162 may include a glass substrate 166...”。 | 对比文件明确公开了第一层包含玻璃基板（glass substrate）。该玻璃基板即为目标专利中的绝缘体。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F：所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。** <br>《隐含公开》 | 图4、5、7的侧视图显示了玻璃基板（substrate 166）的厚度明显大于其上形成的电感器（conductive elements 168）的厚度，也大于第二层中变容二极管区域（active region 172）的厚度。 | 从对比文件的附图（图4、5、7）可以清楚地看出，作为绝缘体的玻璃基板（166）在侧视图中的厚度尺寸，远大于形成于其上的电感器导电元件（168）的横向延伸尺寸（可视为元件厚度），也大于第二层中变容二极管有源区（172）的厚度。本领域技术人员根据附图可以合理推断，绝缘体（玻璃基板）的厚度大于布置在其两侧的电路元件子集的厚度。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。** <br>《直接公开》 | 说明书第[0029]-[0030]段描述了常规双工器（diplexer）的高通（HP）滤波器和低通（LP）滤波器；第[0035]-[0036]段描述了可调双工器90的可变高通（variable HP）滤波器和可变低通（variable LP）滤波器；图2A显示了高通滤波器100连接第一端口92，低通滤波器102连接第二端口94。说明书第[0031]段图1B的说明中提及“LP passband 52 ends at about 1.040 GHz”和“HP passband 46 begins at approximately 1.710 GHz”，表明低通频带低于高通频带。 | 对比文件公开的可调双工器（如90、130）本质上就是具有滤波功能的电路。其包含的“可变高通滤波器”（variable HP filter 100）和“可变低通滤波器”（variable LP filter 102）分别对应目标专利中配置为对不同频带滤波的电路元件第一子集和第二子集。从对比文件对常规双工器频率响应的描述（图1B及对应文字）可知，低通滤波器处理的频带（第一频带）低于高通滤波器处理的频带（第二频带）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器** <br>《直接公开》 | 说明书第[0041]段：“...conductive elements 168 formed therethrough to form one or more inductors such as inductors 110, 112, 114, and 116.” | 对比文件已明确公开第一层（电路元件第一子集）包含电感器（inductors）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征I：所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。** <br>《未被公开》 | 对比文件未提及任何关于第一电感器与第二电感器之间电感值的比较关系，也未提及第一电容器与第二电容器之间电容值的比较关系。 | 目标专利该特征限定了两个子集中电感器和电容器的具体参数比较关系（电感值高低、电容值高低）。对比文件虽然公开了双工器包含电感器和电容器/变容二极管，但完全没有描述或暗示这些元件之间具有权利要求所限定的特定参数大小关系。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该比较关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J：根据权利要求4所述的电路设备，其中，所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。** <br>《未被公开》 | 对比文件未描述电感器的具体形状为螺旋形。说明书第[0037]段提到电感器可以形成为“through glass via (TGV) inductors or through substrate via (TSV) inductors”，这是一种垂直通孔式电感器，其结构与平面螺旋电感器不同。 | 目标专利明确限定第一和第二电感器为“螺旋电感器”。对比文件公开的电感器是“玻璃通孔（TGV）电感器或衬底通孔（TSV）电感器”，这是利用垂直穿过基板的通孔形成的电感结构，其形状和原理与通常意义上的平面螺旋电感器不同。对比文件未提及螺旋电感器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层** <br>**技术特征L：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <br>《未被公开》 | 对比文件未描述电感器具有如此详细的三层（内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层）结构。说明书第[0041]段仅提及导电元件168形成电感器。 | 目标专利对电感器的结构进行了非常具体和详细的限定，包括特定的层状构成（内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层）以及各层之间的接触关系。对比文件仅提及形成电感器的导电元件，完全没有披露电感器的这种具体多层结构。本领域技术人员无法从对比文件得出或合理推断出该具体结构。因此，技术特征K和L均未被公开。 |
| **技术特征M：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。** <br>《未被公开》 | 对比文件未描述电容器/变容二极管具有如此具体限定的层状结构（第二内部导电层、第二介电层、第二中间导电层），特别是“与绝缘体的第二表面接触”这一位置关系。说明书第[0042]段仅提及变容二极管存在于有源区172中。 | 目标专利对第二电容器的结构进行了非常具体和详细的限定，包括特定的层状构成以及各层之间的接触关系，并明确了其与绝缘体第二表面的接触关系。对比文件虽然公开了第二层包含变容二极管（可变电容器），但完全没有披露其具有权利要求所限定的这种具体多层叠层结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层** <br>**技术特征O：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <br>《未被公开》 | 同技术特征K、L的论述。对比文件未描述电感器的具体多层结构。 | 技术特征N、O与技术特征K、L的内容实质相同。基于相同理由，对比文件未公开电感器的具体多层结构。因此，技术特征N和O均未被公开。 |
| **技术特征P：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器** <br>**技术特征Q：以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。** <br>《未被公开》 | 对比文件提到了通孔（via）用于形成电感器（TGV/TSV），但未提及在“第一中间绝缘体”或“第二中间绝缘体”中布置用于将电感器耦合至电容器的过孔。说明书第[0043]段提到通过紧密靠近和避免额外连接来减少寄生效应，但层间连接主要通过焊球、凸块等实现（图5、7）。 | 目标专利该特征限定了过孔布置在特定的“中间绝缘体”中，并具有特定的配置目的（将电感器耦合至电容器）。对比文件中的通孔（TGV/TSV）是电感器本身的结构部分，而非用于连接电感器和电容器的独立过孔结构。对比文件中的层间电连接是通过其他方式（如焊球）实现的。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开技术特征P和Q所限定的具体过孔结构及其连接配置。 |
| **技术特征R：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集** <br>**技术特征S：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集** <br>**技术特征T：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。** <br>《未被公开》 | 说明书第[0029]段、图2A、3等显示了双工器具有第一端口（92/132）、第二端口（94/134）和天线端口（96/136）。这些端口对应于低频带、高频带和天线连接。然而，这些端口在对比文件中是通过焊球（如WLCSP balls 176, 204）等形式实现的（见图5、7），并非如目标专利所限定的“导电侧壁”的一部分。 | 目标专利该特征限定了一种特定的外部连接方式：将低频带、高频带和天线接触表面集成在“导电侧壁”上。对比文件虽然公开了双工器具有功能对应的端口（第一端口、第二端口、天线端口），但这些端口是通过位于器件上下表面的焊球阵列（Wafer Level Chip Scale Package）或其他表面互连结构来实现的，完全不同于目标专利中布置在绝缘体“外围”上的“导电侧壁”及其上的“电路接触表面”。两种结构的形态、位置和实现方式均不相同。因此，技术特征R、S、T未被公开。 |
## 公开性判断总结 ##
根据上述比对分析：
- 技术特征B、C、E、G、H被对比文件**直接公开**。
- 技术特征A、F被对比文件**隐含公开**。
- 技术特征D、I、J、K、L、M、N、O、P、Q、R、S、T**未被公开**（既非直接公开也非隐含公开）。
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<<<a>>><<<f>>>