对比文件名称：发明专利_JP2002344275A Composite lc filter and composite lc filter component
目标专利名称：双侧电路
模型名称：本次调用未指定具体模型名称，为通用评估任务。
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落号或位置) | 公开性论述 |
| **A: 绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围** <br> **《直接公开》** | [0028] “複合型ＬＣフィルタ部品６０Ａは、電力２分配・合成回路５２，５３を、**絶縁体シート６１を積み重ねてなる積層体の上下に配置している**。... **絶縁体シート６１**は、セラミックの誘電体粉末や磁性体粉末を結合剤等と一緒に混練したものをシート状にしたものである。” <br> [0031] “各シート６１は積み重ねられ、一体的に焼成されることにより、図４に示すように**積層体９０**とされる。**積層体９０の手前側の側面には**入出力端子４２，４３及びグランド端子Ｇ１が形成され、**奥側の側面には**入出力端子４４，４５及びグランド端子Ｇ２が形成されている。**積層体９０の左の端面には**共通入出力端子４１が形成されている。” | 对比文件明确公开了由多层绝缘体薄片（絶縁体シート61）堆叠并烧制而成的“积层体90”。该积层体作为一个整体，必然具有上表面（对应于“第一表面”）、下表面（对应于“第二表面”）以及连接上下表面的多个侧面（对应于“外围”，如手前侧、奥侧、左端面等）。本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件中的“积层体90”即是一个具有第一表面、第二表面和外围的“绝缘体”。 |
| **B: 电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上** <br> **《隐含公开》** | [0028] “電力２分配・合成回路５２，５３を、**絶縁体シート６１を積み重ねてなる積層体の上下に配置している**。” <br> [0029] “**絶縁体シート６１の表面にそれぞれ設けたコンデンサパターン７４，７５は**、絶縁体シート６１を挟んでコンデンサパターン７２，７３に対向し、コンデンサＣ２１，Ｃ２３を形成している。... **引出しパターン７６は**、ビアホール８０を介して渦巻形状のコイル導体パターンからなる**インダクタＬ２１，Ｌ２２**に電気的に接続している。” <br> [0030] “同様に、**絶縁体シート６１の表面にそれぞれ設けたコンデンサパターン６２，６３，６４，６５**は、コンデンサパターン６６，６７に対向してコンデンサＣ２５，Ｃ２８，Ｃ２６，Ｃ２９を形成している。... コンデンサパターン６８，６９は、ビアホール８０を介してそれぞれ渦巻形状のコイル導体パターンからなる**インダクタＬ２３，Ｌ２４**に電気的に接続している。” | 对比文件公开了电路（电力分配/合成回路52, 53）被配置在积层体的“上下”。电路元件（电容器、电感器）是通过在绝缘体薄片（シート）的“表面”上形成导体图案（コンデンサパターン、コイル導体パターン）来实现的。虽然对比文件中的元件是“内藏”在多层结构内部，而非直接布置在最终整体绝缘体的外表面上，但其技术本质是将电路图案布置在构成绝缘体的各层薄片的表面上。本领域技术人员能够理解，这种多层结构意味着电路元件子集（例如用于低频的电路52）的图案主要形成并分布在构成绝缘体的一部分层（可对应于“第一表面”所在的区域或层）上。因此，对比文件隐含公开了电路元件子集布置在绝缘体（的某一表面区域）上。 |
| **C: 电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上** <br> **《隐含公开》** | [0028] “電力２分配・合成回路５２，５３を、**絶縁体シート６１を積み重ねてなる積層体の上下に配置している**。” <br> [0029], [0030] (同上) | 理由同技术特征B。对比文件公开了两个电路（52和53）分别配置在积层体的“上下”。这意味着用于高频的电路53的元件图案主要形成并分布在构成绝缘体的另一部分层（可对应于“第二表面”所在的区域或层）上。因此，对比文件隐含公开了另一电路元件子集布置在绝缘体（的另一表面区域）上。 |
| **D: 至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。** <br> **《隐含公开》** | [0031] “**積層体９０の手前側の側面には**入出力端子４２，４３及びグランド端子Ｇ１が形成され、**奥側の側面には**入出力端子４４，４５及びグランド端子Ｇ２が形成されている。**積層体９０の左の端面には**共通入出力端子４１が形成されている。” <br> [0032] “共通入出力端子４１は、コンデンサパターン６２，６３、コンデンサパターン７４，７５及び引出しパターン７６に電気的に接続されている。” <br> [0029] “絶縁体シート６１の表面にそれぞれ設けたコンデンサパターン７４，７５は、**絶縁体シート６１を挟んでコンデンサパターン７２，７３に対向し、コンデンサＣ２１，Ｃ２３を形成している**。” | 1. **“至少一个导电侧壁，布置在所述外围上”**：对比文件明确在积层体90的多个侧面（外围）上形成了端子41-45、G1、G2。这些端子覆盖在侧面上，起到了导电侧壁的作用。**《直接公开》** <br> 2. **“将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集”**：共通入出力端子41连接至属于电路52的コンデンサパターン74,75和属于电路53的コンデンサパターン62,63（参见[0032]），即通过侧壁上的端子41将上下两个电路子集电连接在一起。**《直接公开》** <br> 3. **“第一电容器包括...第一内部导电层、第一介电层、第一中间导电层”**：对比文件描述了电容器由上下导体图案（如74和72）以及夹在中间的绝缘体薄片61构成（[0029]）。这实质上公开了由两个导电层（图案74和72）和一个介电层（绝缘体薄片61）组成的电容器结构。虽然未明确使用“内部”、“中间”等术语，也未明确记载导电层与绝缘体表面“接触”，但根据多层陶瓷器件（MLCC）的常规制造技术，导体图案是通过印刷、烧结等方式直接形成在绝缘体薄片表面上的，因此必然与绝缘体表面接触。本领域技术人员能够从对比文件的描述中，合理推断出这种包括与绝缘体表面接触的导电层以及介电层的电容器结构。**《隐含公开》** |
| **E: 所述绝缘体包括玻璃** <br> **《未公开》** | [0028] “絶縁体シート６１は、**セラミック**の誘電体粉末や磁性体粉末を結合剤等と一緒に混練したものをシート状にしたものである。” | 对比文件明确记载绝缘体薄片的材料是陶瓷（セラミック），而非玻璃。两者是不同的绝缘材料。因此，该技术特征未被公开。 |
| **F: 所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。** <br> **《隐含公开》** | [0028] “絶縁体シート６１を積み重ねてなる積層体” <br> [0029], [0030] 描述了在绝缘体薄片表面形成导体图案构成电路元件。 | 对比文件中的绝缘体是“积层体”，由多层绝缘体薄片堆叠而成，其整体厚度是各薄片厚度之和。而电路元件（电容器、电感器）是通过在单层或少数几层薄片表面印刷导体图案形成的，其厚度（即图案的厚度）远小于整个积层体的厚度。本领域技术人员能够毫无疑义地推断出，绝缘体（积层体）的厚度必然大于其上任何电路元件子集的厚度。 |
| **G: 所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。** <br> **《直接公开》** | [0023] “**低域通過フィルタＦ１１，Ｆ１２**のそれぞれの通過帯域は**ｆ１**とされる。” <br> [0024] “**高域通過フィルタＦ１３，Ｆ１４**のそれぞれの通過帯域は**ｆ２**とされる。” <br> [0025] “...高域通過フィルタＦ１３，Ｆ１４の通過帯域**ｆ２**内に入るように設計されている。...低域通過フィルタＦ１１，Ｆ１２の通過帯域**ｆ１**内に入るように設計されている。” | 对比文件明确公开了电路包括低通滤波器（F11, F12）和高通滤波器（F13, F14），分别对应于通过频带f1和f2。并且从上下文（例如与传统双工器对比）及滤波器类型（低通 vs. 高通）可以明确，高通滤波器的频带f2高于低通滤波器的频带f1。因此，电路子集被配置为对不同频带（且第二频带更高）进行滤波的技术特征被直接公开。 |
| **H: 所述电路元件的第一子集还包括第一电感器** <br> **《直接公开》** | [0023] “**低域通過フィルタＦ１１**は**インダクタＬ２１**及びコンデンサＣ２１，Ｃ２２からなり、**低域通過フィルタＦ１２**は**インダクタＬ２２**及びコンデンサＣ２３，Ｃ２４からなる。” | 对比文件明确记载低通滤波器F11和F12中包含电感器L21和L22。这些电感器属于“电路元件的第一子集”（低通滤波电路部分）。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **I: 所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。** <br> **《未公开》** | 对比文件未提及低通滤波器中的电感器/电容器与高通滤波器中的电感器/电容器在电感值/电容值上的具体数值大小或相对关系。 | 对比文件虽然公开了两个子集都包含电感器和电容器，但完全没有记载或暗示它们之间电感或电容值的相对大小关系（即第二电感器比第一电感器电感更低，第二电容器比第一电容器电容更低）。该特征是具体的参数关系限定，未被公开。 |
| **J: 所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。** <br> **《直接公开》** | [0029] “引出しパターン７６は、ビアホール８０を介して**渦巻形状のコイル導体パターンからなるインダクタＬ２１，Ｌ２２**に電気的に接続している。” <br> [0030] “コンデンサパターン６８，６９は、ビアホール８０を介してそれぞれ**渦巻形状のコイル導体パターンからなるインダクタＬ２３，Ｌ２４**に電気的に接続している。” | 对比文件明确记载电感器L21, L22, L23, L24是由“涡卷形状”（即螺旋形状）的线圈导体图案构成的。因此，第一电感器（如L21）和第二电感器（如L23）都是螺旋电感器，该特征被直接公开。 |
| **K: 所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。** <br> **《隐含公开》** | [0029], [0030] 描述了电感器通过通孔（ビアホール80）与电容器图案等连接。[0030]提到“コンデンサパターン６８，６９は、ビアホール８０を介してそれぞれ渦巻形状のコイル導体パターンからなるインダクタＬ２３，Ｌ２４に電気的に接続している。” | 对比文件公开了电感器由螺旋形导体图案构成，并且通过通孔连接到其他层。在多层陶瓷器件中，实现三维螺旋电感器通常需要利用多层导体图案并通过通孔垂直连接，这隐含了电感器结构可能涉及多层导体（可对应于内部、外部导电子层）和层间绝缘（绝缘子层）。虽然对比文件没有明确描述电感器具体由“内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层”三层构成，但基于其公开的多层结构和螺旋电感器的实现方式，本领域技术人员有可能推断出这种通过多层导体和绝缘层构建电感器的方案。 |
| **L: 以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <br> **《隐含公开》** | 同上（[0030]）。 | 理由同技术特征K。对比文件公开了第二电感器（如L23, L24）也是由螺旋形导体图案构成并通过通孔连接，同样隐含了可能的多层结构。 |
| **M: 所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。** <br> **《隐含公开》** | [0030] “絶縁体シート６１の表面にそれぞれ設けたコンデンサパターン６２，６３，６４，６５は、コンデンサパターン６６，６７に対向してコンデンサＣ２５，Ｃ２８，Ｃ２６，Ｃ２９を形成している。コンデンサパターン６６，６７は、それぞれコンデンサパターン６８，６９に対向してコンデンサＣ２７，Ｃ３０を形成している。” | 理由与技术特征D中关于电容器结构的分析类似。对比文件描述了电容器由上下相对的导体图案（如62和66、65和67等）以及中间的绝缘体薄片构成。这实质上公开了电容器的多层结构。虽然未明确提及“第二表面”，但根据电路子集上下分布的描述，用于高频的第二子集中的电容器也必然以类似方式形成。本领域技术人员能够合理推断出第二电容器包括与绝缘体（的相应表面区域）接触的导电层以及介电层的结构。 |
| **N: 所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。** <br> **《隐含公开》** | 同技术特征K。 | 此特征与技术特征K重复，分析与结论相同。 |
| **O: 以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <br> **《隐含公开》** | 同技术特征L。 | 此特征与技术特征L重复，分析与结论相同。 |
| **P: 一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器。** <br> **《直接公开》** | [0029] “引出しパターン７６は、**ビアホール８０を介して**渦巻形状のコイル導体パターンからなるインダクタＬ２１，Ｌ２２に電気的に接続している。” <br> [0030] “コンデンサパターン６８，６９は、**ビアホール８０を介して**それぞれ渦巻形状のコイル導体パターンからなるインダクタＬ２３，Ｌ２４に電気的に接続している。” | 对比文件多次明确提及“通孔（ビアホール80）”用于电连接。例如，引出图案76通过通孔80连接到电感器L21, L22；电容器图案68, 69通过通孔80连接到电感器L23, L24。通孔即相当于“过孔”，它们被布置在绝缘体（多层薄片）中，并用于将电感器与其他元件（如电容器或引出线）耦合。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **Q: 以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。** <br> **《直接公开》** | 同上（[0030]）。 | 理由同技术特征P。对比文件公开了用于高频电路的第二电感器（L23, L24）也通过通孔（ビアホール80）连接到电容器图案（68, 69）。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **R: 所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集。** <br> **《未公开》** | [0031] “積層体９０の手前側の側面には入出力端子４２，４３及びグランド端子Ｇ１が形成され、奥側の側面には入出力端子４４，４５及びグランド端子Ｇ２が形成されている。積層体９０の左の端面には共通入出力端子４１が形成されている。” | 对比文件虽然在侧壁形成了多个端子（41-45, G1, G2），但这些端子并未被明确限定或描述为专门用于“低频带”、“高频带”或“天线”的特定接触表面。它们被统称为“入出力端子”或“共通入出力端子”，功能是通用的输入/输出或接地。因此，未被公开。 |
| **S: 高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集。** <br> **《未公开》** | 同上。 | 理由同技术特征R。对比文件的侧壁端子未区分高频带接触表面。 |
| **T: 以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。** <br> **《未公开》** | 同上。 | 理由同技术特征R。对比文件的侧壁端子未描述为用于连接天线的“天线接触表面”。其共通入出力端子41用于连接上下电路，但未指明其连接天线。 |
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