对比文件名称：2014-06-04_发明公开_EP2738664A4 METHOD AND SYSTEM FOR CONFIGURING STORAGE DEVICES UNDER HYBRID STORAGE ENVIRONMENT
目标专利名称：157使用串联磁性隧道结的多位自旋转移矩磁阻随机存取存储器STT-MRAMCN107430883B
本次调用模型名称：DeepSeek最新版本模型
尊敬的评估者，您好。
我已收到您提供的目标专利说明书、权利要求以及对比文件信息。然而，您提供的对比文件“EP2738664A4”仅有公开号和标题，**未包含其说明书原文内容**。
作为专利代理师，进行特征比对和公开性判断的核心基础是对比文件的公开内容。没有对比文件的说明书原文，我无法引用具体段落、分析技术内容，并进行严谨的直接公开或隐含公开判断。因此，**我无法完成您所要求的创建特征比对表格、进行公开性论述以及输出相应代码的任务**。
为了能够进行有效的评估，请您提供对比文件“EP2738664A4”的说明书原文（最好是中文译文，或提供原文及对应段落）。一旦获得该内容，我将立即基于您设定的严格标准（紧密结合目标专利说明书解释特征、划分特征比对表格、进行直接/隐含公开判断等）进行全面分析。
以下是我在获得对比文件内容后将会遵循的分析思路概述，以表明我已充分理解您的要求：
1. **技术特征理解**：首先，我将严格依据目标专利说明书（例如段落[0010], [0030]-[0031], [0032], [0045]-[0047]等）来解释权利要求中的每个技术特征（A-R）。例如：
* **特征A&B**：“读取余裕”在目标专利中与MTJ元件的大小直接相关（[0030]-[0031]），是决定其操作参数（如读/写速度、数据保持力）的关键特性。
* **特征C&D&L&M&N**：存取晶体管串联耦合两个MTJ元件，其栅极受字线控制以选择性导通，这是实现单元选择和读/写操作的基础结构（[0032]）。
* **特征E**：明确单元为“多位STT-MRAM存储器单元”，这意味着单个存储单元能存储超过1位的数据（如2位），通过两个MTJ元件的电阻状态组合实现（[0033]）。
* **特征F-I&K&Q**：电路系统执行“双比较”读取方法，用于确定第二MTJ元件的状态。这是目标专利针对具有较小读取余裕（ΔR）的第二MTJ元件（[0045]-[0047], 图5A-5D）而设计的特定读取方案。参考电平有特定来源（[0047]）。
* **特征O&P**：数据保持时间和大小的差异是两种MTJ元件被定制用于不同存储器应用（如高速缓存与长期存储）的物理基础（[0037], [0053]）。
* **特征J**：参考电平的确定方式。
* **特征R**：设备的集成应用场景。
2. **公开性判断框架**：
* **直接公开**：我将判断本领域技术人员阅读对比文件后，是否能毫无疑义地得出与目标专利特征**完全相同**的技术方案。例如，对比文件是否明确记载了“串联的两个MTJ元件”、“第一读取余裕大于第二读取余裕的两倍”、“用于第二MTJ元件的双比较读取电路及其参考电平来源”等。
* **隐含公开**：在直接公开不成立时，我会以宽松标准判断是否存在合理推理得出该特征的可能性。例如，对比文件若公开了串联MTJ单元，是否必然隐含了中间存在一个存取晶体管用于耦合？若公开了两种不同性能的存储区域，是否可能隐含其具有不同的数据保持时间？
3. **表格与输出**：我将严格按照您要求的格式创建三栏表格，并最终根据判断结果，在回答结尾插入对应的代码（如<<<A>>>表示特征A被直接公开，<<<a>>>表示被隐含公开）。
请您补充提供对比文件“EP2738664A4”的说明书内容，以便我继续完成这项重要的专利创造性评估工作。