对比文件名称：2012-08-30_发明申请_US20120217795A1 INVERTER APPARATUS
目标专利名称：170时间温度传感器位置偏移误差校正CN109642829B
本次调用模型名称：gpt-4o
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：从传感器接收区的温度测量值**<br>《直接公开》 | [0024] A temperature sensor is provided near one or a plurality of the switching elements SU, SX, SV, SY, SW, and SZ. In the present embodiment, temperature sensors CX, CY, and CZ are respectively provided as low-side elements of the switching elements SX, SY, and SZ. ... A temperature of a switching element is obtained by supplying a constant current for a diode and by measuring a forward voltage. [0025] Voltages which are output from the temperature sensors CX, CY, and CZ are input to a temperature detection circuit 8. [0026] A temperature signal 9 of a switching element which indicates the highest temperature among the switching elements is transmitted to a control calculation apparatus 10. ... FIG. 3 ... the temperature estimator 17 is input with ... a maximum switching-element temperature 9 among switching element temperatures obtained from the temperature sensors CX, CY, and CZ. | 对比文件明确公开了在多个开关元件（例如SX、SY、SZ）附近设置温度传感器（CX、CY、CZ），并获取其输出的电压信号，该信号代表了对应开关元件的温度。该温度信号（如最高温度信号9）被输入到控制计算装置10和温度估计器17。这与目标专利中“从传感器接收区的温度测量值”的技术特征相同，都是通过传感器获取一个区域（开关元件区域）的温度测量值，并将该值提供给处理单元。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：测量所述区的活动，所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能**<br>《直接公开》 | [0028] The temperature estimator 17 is input with the instantaneous three-phase-current voltage 19, a voltage value 25 obtained from the direct current voltage detector 24, and a maximum switching-element temperature 9 among switching element temperatures obtained from the temperature sensors CX, CY, and CZ. [0032] ... The current IC can be obtained from a current detector 18. [0034] Here, VDC=direct current voltage and fSW=switching frequency are given. The voltage VDC is obtained from the voltage detector 24. [0051] ... A control operation apparatus 10 is added with a current controller 104 for a power generator. ... the current controller generates a current value detected by a current sensor 106, ... | 对比文件公开了使用电流探测器18（或106）来测量流过逆变器开关元件和续流二极管的电流（例如，瞬时三相电流值19）。电流是包含开关元件（通常制作在半导体裸片上）的装置（即逆变器）在运行时的核心活动表现之一，直接反映了装置的电气性能和工作状态。这与目标专利中“测量区的活动，所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流”的技术特征相符。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量**<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及任何关于高速缓存未命中、管线暂停或与之相关的性能计数器的内容。 | 目标专利中该技术特征特指基于处理器微架构级别的性能事件（如高速缓存未命中数、管线暂停数）来评估装置性能。对比文件涉及的是电力电子领域的逆变器装置，其性能评估完全基于电气参数（如电流、电压、开关频率），与计算机处理器内部的微架构性能计数器无关。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理地推断出该特定技术方案。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征D：将所测量的活动转化为所述区的功率**<br>《直接公开》 | [0032] At first, an estimation method for estimating losses of the switching elements SU to SZ will be described in details. Losses of the switching elements can be classified into conduction losses and switching losses. ... the conduction loss is expressed by Expression 1, below. Psat=f(IC,Tj)×DUTY (1) [0034] In contrast, a switching loss is a sum of an on-loss PSWON caused at the time of turn-on and an off-loss PSWOFF caused at the time of turn-off. ... These losses depend on the junction temperature Tj, and are therefore expressed by Expressions 2 and 3, respectively. PSWON=g(IC,VDC,Tj)×fSW (2) PSWOFF=h(IC,VDC,Tj)×fSW (3) [0040] A loss of the freewheel diode is calculated as a sum of a conduction loss and a recovery loss. ... the method can be described as Expression 4 ... Psat=i(IC,Tj)×(1−DUTY) (4) [0043] ... the recovery current can be calculated by Expression 5. Ptrrj(IC,VDC,Tj)×fSW (5) | 对比文件详细公开了如何将测量到的活动（即流过开关元件或二极管的电流IC、直流电压VDC、开关频率fSW等）通过一系列预定义的损耗模型（表达式1-5）转化为对应半导体元件（即“区”）的功率损耗（PLOSS，即Psat, PSWON, PSWOFF, Ptrr）。这些损耗模型明确建立了电流、电压等活动参数与功率之间的转换关系。这与目标专利中“将所测量的活动转化为所述区的功率”的技术特征完全相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E：通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移**<br>《直接公开》 | [0052] ... Zth is called the thermal transfer impedance, and is determined by the shape and a material of a module formed by switching elements and return diodes. That is, the thermal transfer impedance Zth is obtained by a simulation or an experiment. Zth is expressed in form of Expression 8, below. Zth = Σ [Rthk × {1 − exp(−t/τk)}] (8) [0053] ... These Zij are prestored in the control operation apparatus 10. [0055] Temperature increase values of elements respectively forming semiconductor modules of V- and W-phases are obtained by use of Expression 9. [ΔTSU ...] = [Z11 Z21 ...] * [PSU ...] (9) [0057] After temperature increase values of all semiconductor elements are thus obtained, an actual junction temperature is estimated. | 对比文件公开了使用预先存储的热传递阻抗模型（Zth，包含热阻Rth和热时间常数τ等参数，即“所存储的热量模型参数”）来解释（计算）由功率损耗（PLOSS）引起的温度升高值（ΔT）。具体地，表达式9利用存储的阻抗矩阵Zij和计算得到的功率向量，通过矩阵运算直接导出每个元件的温度升高值（ΔT）。这个“温度升高值ΔT”本质上就是由于功率消耗引起的“温度偏移”。该过程与目标专利中“通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率来导出温度偏移”的技术方案完全一致。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F：以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值**<br>《直接公开》 | [0059] For example, when the junction temperature TSU of the switching element SU is to be estimated, the junction temperature TSU can be calculated by Expression 11, and the environmental temperature Ta need not be detected. This TSU is a temperature estimation value of the switching element SU at present. TSU = Ta + ΔTSU = (TNMAX − ΔTNMAX) + ΔTSU (11) [0060] In a similar manner, temperatures of all the switching elements and return diodes can be estimated. | 对比文件公开了基于导出的温度偏移（ΔTSU，即估计的温度升高值）来调节（更准确地说，是计算或校正）温度测量值的过程。表达式11展示了如何利用一个检测到的参考温度（TNMAX）和计算得到的温度偏移（ΔTNMAX, ΔTSU）来最终估计出目标开关元件SU的结温TSU。这个过程实质上就是用基于功率和热模型导出的温度偏移信息，对从有限传感器获得的温度信息（或作为基准的温度）进行调节，以得到更全面、准确的温度估计值。这与目标专利中“至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值”的技术特征相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征G：其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率**<br>《隐含公开》 | [0052] The relationship of Expression 7 exists between a loss PFLOSS and a temperature increase value ΔTj. The temperature increase ΔTj is the difference between a junction temperature and a peripheral temperature. ΔTj = PLOSS × Zth (7) [0053] ... Zth is expressed in form of Expression 8, below. Zth = Σ [Rthk × {1 − exp(−t/τk)}] (8) [0055] ... Expression 9 is satisfied ... [ΔTSU ...] = [Z11 Z21 ...] * [PSU ...] (9) | 对比文件明确建立了功率损耗（PLOSS）与温升（ΔTj，即温度差）之间的定量关系（表达式7），并通过热传递阻抗Zth（表达式8）这一模型参数来关联。表达式9进一步以矩阵形式具体化了这种“功率-温升”的匹配关系，其中每个元件的功率（PSU等）通过预存的阻抗参数（Zij）匹配到其对应的温升（ΔTSU等）。虽然对比文件未使用“匹配”一词，但其技术方案本质上就是利用存储的模型参数（Zth, Zij）将估计的功率映射为相应的温度差。本领域技术人员可以毫无困难地理解这一点。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征H：其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率**<br>《隐含公开》 | [0057] After temperature increase values of all semiconductor elements are thus obtained, an actual junction temperature is estimated. The junction temperature input to the control operation apparatus 10 is a maximum temperature TNMAX of low-side elements. Among the temperature increase values ΔTSX, ΔTSY, and ΔTSZ which are calculated by Expression 9, the greatest value indicates the maximum temperature increase value ΔTNMAX of the low-side elements. Provided that an environmental temperature is Ta, Expression 10 is satisfied. TNMAX = Ta + ΔTNMAX (10) [0059] TSU = Ta + ΔTSU = (TNMAX − ΔTNMAX) + ΔTSU (11) | 对比文件通过表达式10和11展示了如何从温升ΔT（温度差）和环境温度Ta（或参考温度TNMAX与参考温升ΔTNMAX）得到绝对温度（结温TSU）。结合技术特征G中已公开的“功率匹配温升”的关系，可以合理推断：所存储的热量模型参数（Zth）通过建立“功率->温升”的关系，间接参与了“功率->绝对温度”的匹配过程。因为绝对温度 = 参考温度 + 温升，而温升由功率通过模型参数确定。本领域技术人员能够理解，在已知参考点的前提下，模型参数实质上关联了功率与绝对温度。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征I：其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关**<br>《直接公开》 | [0032] ... The current IC can be obtained from a current detector 18. ... Where the leg of U-phase is taken as an example, the current flows through the switching element SU or the freewheel diode DX if a U-phase current IU is a positive value. ... Therefore, when the current IU is positive, IC=IU is substituted in Expression 1, to obtain a conduction loss of the switching element S. | 对比文件明确且反复地测量了流过开关元件（如SU、SX等，这些即为电源开关）的电流（IC），并将其作为计算损耗（功率）的关键输入。例如，明确记载了“电流流过开关元件SU”，并将该电流IC代入表达式1。这与目标专利中“所测量的活动包括电流流动穿过电源开关”的技术特征完全一致。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征J：其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能**<br>《直接公开》 | [0032] ... The current IC can be obtained from a current detector 18. [0048] Hence, when the electric motor is driven at a high frequency, an effective current value Irms is used for loss estimation. ... An on-loss PSWON, an off-loss PSWOFF, and a recovery loss Ptrr are obtained by supposing an average current value ... | 该技术特征与技术特征B实质上是同一技术构思的不同表述，均指测量装置（包含裸片/半导体芯片的逆变器）的性能相关活动。对比文件中测量的电流（瞬时值或有效值）直接反映了逆变器装置输出功率、处理负载的能力等核心性能指标。电流的测量是基于该装置运行状态的，因此属于“至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能”所进行的测量。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征K：其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的**<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及任何关于“性能计数器”（performance counter）的内容。电流、电压等参数的测量均通过物理传感器（电流探测器、电压探测器）完成。 | 目标专利中该技术特征特指使用“性能计数器”这种在处理器领域用于统计特定硬件事件（如指令数、周期数）的专用硬件或软件模块来测量性能。对比文件中的性能测量完全依赖于模拟/数字电气传感器，其原理和实现方式与“性能计数器”有本质区别。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出使用性能计数器的技术方案。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征L：其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的**<br>《隐含公开》 | [0028] The temperature estimator 17 is input with the instantaneous three-phase-current voltage 19, a voltage value 25 obtained from the direct current voltage detector 24, ... [0032] ... The current IC can be obtained from a current detector 18. [0034] ... The voltage VDC is obtained from the voltage detector 24. | 对比文件明确公开了使用电流探测器18和电压探测器24来测量电流和电压，这些是计算功率所必需的基础活动测量。虽然对比文件未明确使用“数字功率监测器/计量器”这一术语，但其测量的电流、电压信号通常会经过处理（例如在控制计算装置10中）以用于后续的数字计算和功率估算。在当今的电力电子和控制领域，使用数字电路或处理器来监测电流、电压并计算功率是常规技术手段。本领域技术人员可以合理推断，为了实现对比文件所述的复杂损耗模型计算和实时温度估计，必然会采用数字化的功率监测或计量功能模块。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
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