对比文件名称：KR20080031153A_Description_20260304_2015
目标专利名称：190具有变化厚度的电感器CN105493208B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>《直接公开》 | [0034] "인터리브된 온칩 차동 인덕터(10)는 ... 일반적으로 비도전성(non-conductive) 기판으로 된 여섯 레이어 위에 배치되거나 또는 결합된다." <br>（交错片上差动电感器（10）……被布置或结合在通常是非导电性的基板的六个层上。） | 对比文件明确公开了电感器形成在“기판(基板)”之上（参见[0034]），该基板是器件的基础支撑结构。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件的装置包括了基板。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，<br>《隐含公开》 | [0034] "인터리브된 온칩 차동 인덕터(10)는 ... 일반적으로 비도전성(non-conductive) 기판으로 된 여섯 레이어 위에 배치되거나 또는 결합된다. ... 제1코일(20) 및 제2코일(30)을 포함한다." <br>（交错片上差动电感器（10）……被布置或结合在通常是非导电性的基板的六个层上。……包括第一线圈（20）和第二线圈（30）。）<br>[0048] "코일(20, 30)은 기판(7)의 순차적인 레이어에 수평하게 배치된 도전성 부분 권선으로부터 형성된다." <br>（线圈（20, 30）由水平布置在基板（7）的连续层上的导电性部分绕组形成。）<br>[0016] "코일의 각 턴(turn)을 두 부분 권선으로 분리하여 이들을 다른 레이어에 인터리브하여 배치함으로써, ... 사이즈가 최소화되고, 기생 캐패시턴스가 감소하고 ... Q 팩터가 증가한다." <br>（通过将线圈的每一匝分成两个部分绕组并将它们交错布置在不同的层中，……尺寸最小化，寄生电容减少……Q因子增加。） | 对比文件公开了一种布置在基板上的电感器（[0034]），该电感器由多个导电螺旋（线圈）组成，这些螺旋形成在基板的多个连续层上（[0048]），并且通过将每一匝分成部分绕组并交错布置在不同层来实现三维堆叠结构（[0016]）。虽然对比文件没有明确使用“梯度层堆叠电感器”这一术语，但其描述的“인터리브된(交错的)”三维多层结构，本质上是将线圈的导电材料分布在多个垂直堆叠的层中。本领域技术人员根据对比文件公开的“不同层上的部分绕组”这一结构，能够合理推断出该电感器是一种“层堆叠”电感器。至于“梯度”，目标专利的“梯度”主要指厚度变化，而对比文件未明确描述厚度梯度，但公开了结构上的堆叠。在隐含公开的宽松判断标准下，认为对比文件有可能隐含公开了“层堆叠电感器”这一上位概念。因此，技术特征B被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件详细描述了线圈在不同层上的交错布置和水平尺寸（直径）的变化（例如[0048]提及部分绕组水平布置，[0052]提及部分绕组具有不同的平均直径），但始终未提及或暗示任何绕组或部分绕组在“垂直于基板的方向上的厚度”。目标专利的技术特征明确限定了垂直于基板方向上的特定厚度（第一厚度），这是其实现降低涡流损耗的核心。对比文件完全没有涉及导电体在Z轴（垂直方向）的尺寸或厚度变化，其关注点在于水平方向上的交错布局以减少寄生电容。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该技术特征。因此，技术特征C未被对比文件公开。 |
| **技术特征D**：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 同技术特征C，对比文件未公开任何关于绕组在垂直于基板方向上的厚度信息，更没有区分最内匝的不同部分具有不同的垂直厚度。因此，技术特征D未被对比文件公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 由于技术特征C和D未被公开，厚度之间的比较关系（第二厚度大于第一厚度）自然也缺乏公开的基础。对比文件未提供任何关于垂直厚度大小比较的信息。因此，技术特征E未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 同技术特征C，对比文件未公开任何关于绕组在垂直于基板方向上的厚度信息，更没有涉及最内匝的第三部分及其垂直厚度。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 由于技术特征C、D、F未被公开，多个厚度之间的比较关系（第三厚度大于第一和第二厚度）自然也缺乏公开的基础。因此，技术特征G未被对比文件公开。 |
| **技术特征H**：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 技术特征H限定了厚度沿最内匝呈梯度变化。这是目标专利“梯度层堆叠电感器”的核心体现。对比文件虽然公开了多层堆叠和交错结构，但完全没有描述或暗示导体厚度在垂直方向上的连续或梯度变化。其“인터리브(交错)”主要指不同层上导电图案的水平位置交错，而非导体垂直厚度的渐变。因此，技术特征H未被对比文件公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>《隐含公开》 | [0034] "제1코일(20) 및 제2코일(30)을 포함한다."（包括第一线圈（20）和第二线圈（30）。）<br>[0048] "코일(20, 30)은 기판(7)의 순차적인 레이어에 수평하게 배치된 도전성 부분 권선으로부터 형성된다."（线圈（20, 30）由水平布置在基板（7）的连续层上的导电性部分绕组形成。）<br>[0050] "따라서, 제1코일(20)은 제2레이어(13) 상의 ... 제2부분 권선(23)과 매개부(22)에 의해 연결된 제1레이어(12) 상의 ... 제1부분 권선(21)을 가진다. ... 제2코일(30)은 제2레이어(13) 상의 ... 제2부분 권선(33)과 매개부(32)에 의해 연결된 제1레이어(12) 상의 ... 제1부분 권선(31)을 가진다."（因此，第一线圈（20）具有通过通孔（22）与第二层（13）上的……第二部分绕组（23）连接的第一层（12）上的……第一部分绕组（21）。……第二线圈（30）具有通过通孔（32）与第二层（13）上的……第二部分绕组（33）连接的第一层（12）上的……第一部分绕组（31）。）<br>[0052] "제1레이어(12)에서 제1코일(20)의 ... 제1부분 권선(21)과 제2코일(30)의 ... 제1부분 권선(31)은 ... 제2코일(30)의 ... 부분 권선(33)과 제1코일(20)의 ... 부분 권선(23)에 의해 제2레이어(14) 상에 형성된 사각형보다 평균 직경이 큰 사각형을 형성한다."（在第一层（12）中，第一线圈（20）的……第一部分绕组（21）和第二线圈（30）的……第一部分绕组（31）……形成平均直径大于由第二线圈（30）的……部分绕组（33）和第一线圈（20）的……部分绕组（23）在第二层（14）上形成的正方形的正方形。） | 技术特征I限定了两个导电螺旋的覆盖关系和它们在电感器不同部分（最内匝第一部分、第三部分和最外匝部分）的具体构成。对比文件明确公开了包括第一线圈（20）和第二线圈（30）的结构（[0034]），它们由分布在多个层上的部分绕组并通过通孔连接构成（[0048], [0050]）。从图1-3及文字描述可知，这两个线圈在三维空间中交错缠绕，共享同一中心轴，因此在垂直投影上，一个线圈的部分绕组必然会“覆盖”另一个线圈的部分绕组。关于最内匝、最外匝的特定部分构成，对比文件没有进行如此细致的划分和描述。然而，在隐含公开的宽松判断标准下，本领域技术人员基于对比文件公开的两个线圈在不同层上分布并通过通孔连接形成螺旋路径这一整体结构，可以合理推断出：沿着螺旋路径（对应于匝），在不同位置（例如起始端、中间部分、末端），两个线圈的导电部分会以不同的组合方式出现。虽然对比文件未精确对应“第一部分仅包括第二螺旋”、“第三部分包括两个螺旋的一部分”等，但其公开的交错多层结构本质上包含了不同导电螺旋在不同空间位置的组合。因此，技术特征I被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 技术特征J限定了两个导电螺旋的长度大小关系。对比文件公开了两个线圈（螺旋），并描述了它们部分绕组的水平尺寸（直径）关系（例如[0052]提到第一层的部分绕组形成的图形平均直径大于第二层的部分绕组形成的图形）。然而，“长度”可能指导电螺旋沿其路径延伸的总长度，对比文件并未对两个独立线圈的总长度进行比较。其关注的尺寸主要是水平方向的直径/半径，而非螺旋导体的总长度。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出第二螺旋长度大于第一螺旋长度的关系。因此，技术特征J未被对比文件公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 技术特征K限定了在第一和第二导电螺旋之间存在一个额外的“导电层”，并且该导电层参与了最内匝第二部分的构成。对比文件公开了多层导电绕组，但每一层上的导电图案都是线圈（即导电螺旋）的一部分（部分绕组），而非一个独立的、位于两个螺旋之间的“导电层”。目标专利中的“导电层”是一个独立的层，可能形成非连续螺旋，其功能与构成线圈的导电螺旋不同。对比文件的结构中没有公开这样的中间导电层。因此，技术特征K未被对比文件公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 由于技术特征K中的“导电层”未被对比文件公开，因此关于该导电层具体为“非连续螺旋”的特征自然也未被公开。对比文件中所有的导电图案都是连续线圈（螺旋）的部分绕组。因此，技术特征L未被对比文件公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 由于技术特征K中的“导电层”未被对比文件公开，因此关于该导电层包括引线的特征自然也未被公开。对比文件的输入/输出端口（포트）是连接到线圈端部的（参见[0034]的포트(60, 70)），并非集成在一个独立的导电层中。因此，技术特征M未被对比文件公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>《隐含公开》 | [0048] "코일(20, 30)은 기판(7)의 순차적인 레이어에 수평하게 배치된 도전성 부분 권선으로부터 형성된다(도 2 참조). 기판(7)은 바람직하게는 이산화 실리콘과 같은 비도전성 또는 유전성 물질이다."（线圈（20, 30）由水平布置在基板（7）的连续层上的导电性部分绕组形成（参见图2）。基板（7）优选是非导电性或介电材料，例如二氧化硅。）<br>[0050] “다른 레이어에서의 부분 권선은 레이어를 통해 수직으로 연결된 매개부를 통해 연결된다.”（不同层中的部分绕组通过垂直穿过层连接的通孔连接。） | 技术特征N限定了在两个导电螺旋之间存在钝化层。对比文件没有明确提及“钝化层(passivation layer)”这一术语。然而，对比文件描述了导电部分绕组形成在基板（기판）的连续层上，且基板是非导电性或介电材料（[0048]）。在半导体制造领域，多层金属布线结构中层与层之间必然存在绝缘介质层（如二氧化硅）以实现电气隔离，通孔（매개부）需要穿过这些绝缘层来连接不同层的金属（[0050]）。本领域技术人员根据公知常识和对比文件对多层结构和通孔连接的描述，能够合理推断出在形成于不同层上的导电螺旋（部分绕组）之间必然存在绝缘介质层，该层即相当于钝化层或层间介质层。因此，在隐含公开的宽松判断标准下，技术特征N被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>《直接公开》 | [0050] “다른 레이어에서의 부분 권선은 레이어를 통해 수직으로 연결된 매개부를 통해 연결된다.”（不同层中的部分绕组通过垂直穿过层连接的通孔连接。）<br>例如，描述第一线圈连接时提及：“제1코일(20)은 제2레이어(13) 상의 ... 제2부분 권선(23)과 매개부(22)에 의해 연결된 제1레이어(12) 상의 ... 제1부분 권선(21)을 가진다.”（第一线圈（20）具有通过通孔（22）与第二层（13）上的……第二部分绕组（23）连接的第一层（12）上的……第一部分绕组（21）。） | 技术特征O限定了通过穿过钝化层的通孔实现两个导电螺旋之间的电连接。对比文件明确且多次公开了“매개부(via，通孔)”用于连接不同层上的部分绕组（即导电螺旋的组成部分）（[0050]）。例如，第一层上的部分绕组（21）通过通孔（22）连接到第二层上的部分绕组（23），这些部分绕组分别属于第一线圈（20）。虽然对比文件没有明确命名“钝化层”，但通孔“延伸穿过层”进行连接，该层即为绝缘介质层（如前述特征N的推论）。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出“通过延伸穿过层（即钝化层）的通孔实现导电螺旋之间的电连接”这一技术方案。因此，技术特征O被对比文件直接公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 技术特征P限定了最内匝本身在垂直方向上的厚度单调递增。这仍然是目标专利“梯度层堆叠”概念的具体体现。如前述多个特征所述，对比文件完全没有公开任何关于导体在垂直于基板方向上的厚度信息，更没有公开这种厚度沿着最内匝发生变化（单调递增）的技术特征。因此，技术特征P未被对比文件公开。 |
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