对比文件名称：US2009146770A1_Description_20260219_0441
目标专利名称：190具有变化厚度的电感器CN105493208B
模型名称：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>包括：基板 | 段落[0041]：“The conductive layers 212, 214, 216 are formed on a substrate 220. The substrate 220 is, for example, a dielectric layer on a fabricated semiconductor IC.”<br>（导电层212、214、216形成在衬底220上。衬底220例如是已制造半导体IC上的介电层。） | 对比文件明确公开了电感器结构形成在衬底（substrate）上，这与目标专利中“基板”的作用相同，都是作为支撑结构。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B《未公开》**<br>布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器， | 段落[0041]：“Preferably, the thickness of the spiral wire is achieved by three conductive layers 212, 214, 216, such that an end point 218 of the conductive layer 212 and the other end point of the conductive layer 216 maintain a planar structure.”<br>（优选地，螺旋线的厚度通过三个导电层212、214、216实现，使得导电层212的端点218和导电层216的另一端点保持平面结构。）<br>段落[0042]：“The middle conductive layer 214 is used to increase the thickness of the inductor.”<br>（中间导电层214用于增加电感器的厚度。） | 对比文件公开了由多层（如三层）导电层堆叠形成的螺旋电感器。然而，目标专利的“梯度层堆叠电感器”特指电感器的厚度（垂直于基板的方向）从最内匝到最外匝按照梯度（连续或阶梯式）单调递增的结构（参见说明书[0009], [0025], [0036]段），其目的在于通过减小最内匝厚度来降低涡流损耗。对比文件的多层堆叠是为了实现螺旋线圈的形状、增加整体厚度以及方便输入/输出端引出（参见[0042]段），并未提及或暗示各层在电感器平面内（即不同匝间）的覆盖长度或堆叠层数存在差异以形成“梯度层堆叠”，也未以减小涡流损耗为目的。因此，对比文件未公开“梯度层堆叠电感器”这一特定类型的螺旋电感器。 |
| **技术特征C《未公开》**<br>其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度 | 无直接对应描述。 | 目标专利中“最内匝的第一部分”是梯度层堆叠电感器的一个具体区域，其具有特定的第一厚度。对比文件虽然描述了多层导电层堆叠形成电感器，但并未划分或指出电感器“最内匝”的某个“第一部分”，也未描述该部分在垂直于基板方向上的具体厚度值或属性。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D《未公开》**<br>，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度， | 无直接对应描述。 | 同上，对比文件未划分或指出电感器“最内匝”的“第二部分”，也未描述该部分的厚度。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E《未公开》**<br>其中所述第二厚度大于所述第一厚度， | 无直接对应描述。 | 对比文件未公开“最内匝的第一部分”和“第二部分”，更没有对这两部分的厚度进行比较。因此，“第二厚度大于第一厚度”这一关系未被公开。 |
| **技术特征F《未公开》**<br>所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度， | 无直接对应描述。 | 对比文件未划分或指出电感器“最内匝”的“第三部分”，也未描述该部分的厚度。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G《未公开》**<br>其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度， | 无直接对应描述。 | 对比文件未公开“最内匝的第一、第二、第三部分”及其厚度，因此它们之间的厚度大小关系也未被公开。 |
| **技术特征H《未公开》**<br>并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。 | 无直接对应描述。 | 这是目标专利梯度层堆叠电感器的核心特征，即电感器厚度在最内匝范围内就按照梯度（连续变化）增大。对比文件完全没有提及电感器厚度在平面内（沿着螺旋走向）存在变化，更没有提及这种变化是“梯度”形式的。其多层堆叠是为了构成完整螺旋线圈，各导电层在自身覆盖区域内厚度是均匀的（参见图5A-5C，图6）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I《未公开》**<br>其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。 | 段落[0048]：“The bottom conductive layers include two portions 400a, 402a of the conductive layers of the two planar spiral inductors 400, 402 respectively... the top conductive layers 400c, 402c are correspondingly connected at the junctions of the conductive layers 400a, 402a, 400b, 402b.”<br>（底部导电层分别包括两个平面螺旋电感器400、402的导电层的两个部分400a、402a……顶部导电层400c、402c在导电层400a、402a、400b、402b的连接处相应地连接。）<br>图9展示了两个独立电感器（400, 402）的分解堆叠结构。 | 对比文件图9及相关描述公开的是两个独立的、相互绝缘但磁耦合的电感器（400和402）的堆叠结构。每个电感器自身由多层导电层（如400a, 400b, 400c）通过通孔连接构成。而目标专利的技术特征I描述的是**单个**梯度层堆叠电感器内部包含“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”，并且详细规定了它们在“最内匝”不同部分的覆盖关系。两者的结构目的和构成实体完全不同：对比文件是为了实现两个电感器间的耦合，而目标专利是为了实现单个电感器内部的厚度梯度变化以优化性能。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J《未公开》**<br>其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。 | 无直接对应描述。 | 对比文件未描述单个电感器内部不同导电螺旋（对应于目标专利）的长度关系。在对比文件两个独立电感器的堆叠中，也未明确指出其中一个电感器的某层螺旋长度大于另一个电感器的某层螺旋长度。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K《隐含公开》**<br>其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。 | 段落[0041]：“Preferably, the thickness of the spiral wire is achieved by three conductive layers 212, 214, 216...”<br>（优选地，螺旋线的厚度通过三个导电层212、214、216实现……）<br>段落[0042]：“The middle conductive layer 214 is used to increase the thickness of the inductor.”<br>（中间导电层214用于增加电感器的厚度。） | 对比文件明确公开了由至少三层导电层（212, 214, 216）堆叠形成电感器结构。其中，中间导电层214位于底部导电层212和顶部导电层216之间。从图5A-5C、图6可以看出，中间层214在结构上位于上下两层之间。因此，本领域技术人员可以合理推断，在由多层构成的螺旋电感器中，可以存在位于两层导电螺旋之间的导电层。尽管对比文件中该中间层的作用是“增加厚度”和提供隔离（[0042]段），而目标专利中该导电层是构成梯度厚度的一部分，但“位于两层导电螺旋/层之间”这一结构位置特征被对比文件部分公开。结合非常宽松的隐含公开判断标准，认为该位置关系特征被隐含公开。**但需注意**，对比文件未公开该导电层与“最内匝的第二部分”的包含关系。 |
| **技术特征L《隐含公开》**<br>其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。 | 段落[0042]：“Further, a gap of the spiral wire of the conductive layer 214 isolates the upper and lower spirals 212, 216.”<br>（此外，导电层214的螺旋线的间隙隔离了上下的螺旋212、216。） | 对比文件明确指出，中间导电层214的螺旋线存在“间隙（gap）”。具有间隙的螺旋线意味着它不是一个完整的、连续的螺旋，即可以被认为是“非连续螺旋”。因此，本领域技术人员可以从对比文件的描述中合理推断出“导电层包括非连续螺旋”这一技术方案。尽管对比文件中间隙的作用是电隔离上下螺旋，而目标专利中非连续螺旋是梯度层堆叠结构的一种可能形式，但“包括非连续螺旋”这一结构特征本身被隐含公开。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。 | 段落[0042]描述了底部导电层212具有弯曲的IO部分250作为连接部分。未提及中间导电层214包含输入/输出引线。 | 目标专利的特征M限定了所述导电层（即位于两层导电螺旋之间的那个层）本身包括输入或输出引线。对比文件中，输入/输出引线功能主要由底部导电层212的弯曲部分250实现（参见[0042]段及图6）。中间导电层214被描述为用于增加厚度和提供隔离，并未提及或显示其包含输入/输出引线。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N《隐含公开》**<br>其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。 | 段落[0041]：“The conductive layers 212, 214, 216 are fabricated by, for example, a photolithography and etching process for fabricating interconnects, and are embedded in a dielectric layer 222.”<br>（导电层212、214、216例如通过用于制造互连的光刻和蚀刻工艺制造，并嵌入在介电层222中。）<br>段落[0047]：“The two planar spiral inductors 400, 402 are embedded in a dielectric layer 306, and are isolated by a dielectric layer 308 in a perpendicular direction.”<br>（两个平面螺旋电感器300、302嵌入在介电层306中，并在垂直方向上由介电层308隔离。） | 对比文件多次提及导电层被嵌入或由“dielectric layer”（介电层）所包围、隔离。在半导体工艺中，用于绝缘、保护和平坦化的介电层通常相当于“钝化层”或包含钝化层。图7明确示出两个电感器之间由介电层308隔离。因此，本领域技术人员可以合理推断，在多层导电结构（无论是单个电感器内部还是电感器之间）中，导电层之间会存在起绝缘作用的介电材料层，即钝化层。尽管对比文件未明确使用“钝化层（passivation layer）”一词，但“介电层”在作用上与之实质相同。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征O《直接公开》**<br>其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。 | 段落[0048]：“Then, the top conductive layers 400c, 402c are correspondingly connected at the junctions of the conductive layers 400a, 402a, 400b, 402b.”<br>（然后，顶部导电层400c、402c在导电层400a、402a、400b、402b的连接处相应地连接。）<br>结合半导体工艺常识，不同层金属之间的电连接需要通过通孔（via）实现。图6、9等示意图也暗示了层间连接。 | 对比文件描述了多层导电层（例如400a, 400b, 400c）被连接起来以构成完整的电感器。在半导体制造中，实现不同金属层之间电连接的常规且唯一的手段就是使用“通孔（via）”。虽然对比文件说明书未明确写出“通孔”一词，但本领域技术人员阅读说明书（提及多层连接）并结合附图及公知常识，能够毫无疑义地得出不同导电层之间必然通过延伸穿过层间介电层（即钝化层）的通孔来实现电连接。这与目标专利中通孔的作用完全相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征P《未公开》**<br>其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。 | 无直接对应描述。 | 该特征是对梯度层堆叠效果的具体描述，即最内匝自身的厚度就是单调递增的。如之前对特征B、H的分析，对比文件完全没有涉及电感器厚度在平面内（沿螺旋走向）变化的概念，更不用说“最内匝”范围内厚度的“单调递增”。因此，该技术特征未被公开。 |
### **结论**
根据上述分析，对比文件US2009146770A1直接公开了技术特征A和O；隐含公开了技术特征K、L、N；未公开技术特征B、C、D、E、F、G、H、I、J、M、P。
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