对比文件名称：US2007247269A1_Description_20260219_0622
目标专利名称：190具有变化厚度的电感器CN105493208B
本次调用的模型名称：专利创造性评估模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板《直接公开》 | 第[0031]段：“...for example on a substrate, typically a silicon substrate...” | 对比文件明确公开了电感器形成在基板（例如硅基板）上，这是集成电路制造的基础。其作用与目标专利中作为电感器支撑结构的基板相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，《未公开》 | 第[0042]段：“FIG. 13A shows a schematic drawing of the overall ‘3-D’ inductor 1300 structure. The inductor 1300 is comprised of a top inductor 1310, shown in FIG. 13B, and a bottom inductor 1320, shown in FIG. 13C.” | 对比文件公开了一种由顶部电感器（1310）和底部电感器（1320）堆叠构成的“3-D”电感器（1300），其是堆叠结构。然而，“梯度层堆叠电感器”在目标专利中特指电感器在垂直于基板方向上的厚度沿着螺旋（特别是最内匝）呈梯度（连续或阶梯式）增大的结构（见说明书[0025]-[0027]，[0036]段）。对比文件的堆叠电感器旨在通过水平位移减少层间电容耦合（见[0042]段），其附图示出顶部和底部电感器的螺旋导体重叠区域减小，但未描述或暗示任一螺旋导体的厚度在径向上发生变化，更没有公开厚度根据从最内匝到最外匝的梯度而增大的特征。因此，对比文件未公开“梯度层堆叠电感器”这一特定类型的螺旋电感器。 |
| **技术特征C**：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度《未公开》 | 无相应描述。 | 对比文件完全没有提及电感器任何部分的“厚度”在垂直于基板方向上的具体数值或变化，更没有针对“最内匝的第一部分”的厚度进行描述。目标专利中该特征用于界定厚度变化的起始点。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开此特征。 |
| **技术特征D**：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，《未公开》 | 无相应描述。 | 同上，对比文件未描述最内匝有任何具有不同厚度的“第二部分”。该特征在目标专利中用于定义厚度变化的另一位置。对比文件未公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，《未公开》 | 无相应描述。 | 对比文件未描述任何两个厚度值及其大小关系。该特征是目标专利实现减少涡流损耗的核心之一。对比文件未公开。 |
| **技术特征F**：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，《未公开》 | 无相应描述。 | 对比文件未描述最内匝有“第三部分”及其厚度。该特征在目标专利中用于进一步界定厚度阶梯或梯度。对比文件未公开。 |
| **技术特征G**：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，《未公开》 | 无相应描述。 | 对比文件未描述任何三个厚度值及其大小关系。该特征是目标专利中厚度递增关系的具体体现。对比文件未公开。 |
| **技术特征H**：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。《未公开》 | 无相应描述。 | 对比文件完全没有公开电感器厚度沿径向（特别是最内匝内）梯度增大的概念。其解决的技术问题（减少电容耦合）和技术手段（水平位移）与目标专利的厚度梯度变化截然不同。因此，该核心特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。《未公开》 | 第[0042]段：“...top inductor 1310... bottom inductor 1320... The bridges connect the edges 1312 and 1314 of the top inductor 1310 to the edges 1322 and 1324 of the bottom inductor 1320 respectively.” 第[0043]段：“...the windings of the top inductor 1310 are placed in a displacement to the windings of the bottom inductor 1320.” | 对比文件公开了顶部电感器（1310）和底部电感器（1320）两个螺旋结构，并通过桥接段连接。然而，其描述的是两个电感器在水平方向上的位移关系（displacement），并未描述一个螺旋“覆盖”另一个螺旋在垂直方向上的堆叠关系（如目标专利图1所示第一导电螺旋106覆盖导电层108和第二导电螺旋110）。更重要的是，对比文件完全没有公开目标专利中关于最内匝特定部分仅包含某个螺旋的端部、不包含另一个螺旋，以及最外匝部分包含两个螺旋的特定组合结构。这些特定结构划分与目标专利中实现阶梯式厚度变化密切相关，而对比文件并未涉及厚度变化，因此不可能公开这些具体的结构组成关系。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。《未公开》 | 无相应描述。 | 对比文件未对顶部电感器和底部电感器中各螺旋的“长度”进行比较或描述。附图示出两个电感器大致为对称的螺旋，但未给出长度差异的说明。该特征在目标专利中用于实现阶梯状厚度，对比文件未公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。《未公开》 | 无相应描述。 | 对比文件的3D电感器（1300）仅由顶部电感器（1310）和底部电感器（1320）通过桥接段连接构成，没有提及在两者之间还存在一个独立的“导电层”。目标专利中的导电层（如108）是形成厚度阶梯的关键部分。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。《未公开》 | 无相应描述。 | 由于对比文件未公开“导电层”这一元件，因此更不可能公开该导电层是否为“非连续螺旋”。该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。《未公开》 | 无相应描述。 | 同上，由于未公开“导电层”，因此其是否包含引线的特征也未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。《隐含公开》 | 第[0031]段：“Then another SiO2 layer is deposited...”，第[0037]段：“In the BALUNs of the present invention, each layer is separated from adjacent layers by an electrically insulative (dielectric) layer, preferably SiO2...” | 对比文件多次提到在金属层之间沉积SiO2等绝缘（电介质）层。在集成电路制造中，这种绝缘层通常起到钝化、隔离和保护作用。虽然对比文件未明确称之为“钝化层(passivation layer)”，但本领域技术人员能够理解，在形成多层金属结构（如电感器）时，层间的绝缘介质层（如SiO2）实质上就是钝化层，用于电隔离相邻导体。其作用与目标专利中位于导电螺旋之间的钝化层（112,114）相同。因此，可以合理推断对比文件隐含公开了在导电螺旋之间存在钝化（绝缘）层。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。《直接公开》 | 第[0031]段：“...windows opened (etched) therein to expose the ends of the shunts for VIAs...”，第[0032]段：“Connection between layers is achieved by the use of VIAs or stacked VIA holes...”，第[0042]段：“...a pair of metal bridge segments (not shown) transfer the spiral windings to the bottom inductor 1320...” | 对比文件明确公开了使用“VIAs”（通孔）或“桥接段（bridge segments）”来连接不同金属层（即不同的导电螺旋，如顶部电感器和底部电感器）。这些连接必然延伸穿过层间的绝缘（钝化）层。其作用与目标专利中通过通孔电连接不同导电螺旋完全相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了该技术特征。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。《未公开》 | 无相应描述。 | 该特征是对技术特征H（梯度增大）的进一步限定或另一种表述。如上所述，对比文件完全没有公开电感器厚度沿径向（包括在最内匝内）的任何变化，因此“厚度单调递增”这一特征也未被公开。 |
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