对比文件名称：US2002132383A1_Description_20260219_0642
目标专利名称：190具有变化厚度的电感器CN105493208B
模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>《直接公开》 | 对比文件说明书[0043]段：“In the present embodiment mode, the case of forming a light-emitting element on a TFT substrate will be described... First, driving circuits 102 including TFTs, pixel portions 103, transformer's secondary coils 104a, rectifier circuits 104b and waveform shaping circuits 104c, and external signal input terminals 105 are formed on the array substrate 100.”<br>（在本实施例模式中，将描述在TFT基板上形成发光元件的情况……首先，在阵列基板100上形成包括TFT的驱动电路102、像素部分103、变压器的次级线圈104a、整流电路104b和波形整形电路104c以及外部信号输入端子105。） | 对比文件明确公开了“阵列基板（array substrate）”，其作为支撑结构，用于承载TFT、线圈、电路等元件，属于“基板”这一技术特征。本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了基板这一技术方案。 |
| **技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，**<br>《未直接公开》<br>《未隐含公开》 | 对比文件说明书[0045]段：“The transformer's secondary coil supplies a driving power source and a driving signal to a TFT substrate in a non-contact manner by using a transformer's primary coil provided on a check substrate.”<br>（变压器的次级线圈通过使用设置在检查基板上的变压器的初级线圈以非接触方式向TFT基板提供驱动电源和驱动信号。）<br>附图23A-23C显示了线圈的螺旋形状。 | 对比文件公开了“变压器的次级线圈（transformer‘s secondary coil）”，其为螺旋形状（circular/rectangular spiral shape），并布置在基板（阵列基板）上。然而，该线圈在对比文件中作为变压器的一部分，用于通过电磁感应传递能量和信号以实现非接触式检测，其功能与目标专利中作为独立电感元件用于“在磁场中存储能量”（见说明书[0051]段）的“螺旋电感器”不同。更重要的是，对比文件完全没有提及该线圈是“梯度层堆叠电感器”，也未描述其具有梯度变化的层堆叠结构。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度**<br>《未直接公开》<br>《未隐含公开》 | 对比文件未提及线圈匝的厚度，也未提及最内匝或其特定部分的厚度。 | 对比文件仅公开了线圈的螺旋形状（例如圆形或矩形），但完全没有描述线圈导体的厚度，更没有区分最内匝的不同部分并定义其厚度。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中推理或推断出“最内匝的第一部分具有第一厚度”这一具体技术特征。 |
| **技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，**<br>《未直接公开》<br>《未隐含公开》 | 对比文件未提及线圈匝的厚度，也未提及最内匝的不同部分具有不同厚度。 | 同上，对比文件未公开线圈导体厚度的任何信息，更未公开最内匝被划分为不同部分并具有不同厚度。该特征未被公开。 |
| **技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，**<br>《未直接公开》<br>《未隐含公开》 | 对比文件未提及线圈匝的任何厚度关系。 | 对比文件未公开线圈导体的厚度，因此“第二厚度大于第一厚度”这一厚度比较关系无从得出。该特征未被公开。 |
| **技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，**<br>《未直接公开》<br>《未隐含公开》 | 对比文件未提及线圈匝的厚度，也未提及最内匝的第三部分。 | 对比文件未公开线圈导体的厚度，也未公开将最内匝划分为三个部分。该特征未被公开。 |
| **技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，**<br>《未直接公开》<br>《未隐含公开》 | 对比文件未提及线圈匝的任何厚度关系。 | 对比文件未公开线圈导体的厚度，因此“第三厚度大于第一厚度和第二厚度”这一厚度比较关系无从得出。该特征未被公开。 |
| **技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。**<br>《未直接公开》<br>《未隐含公开》 | 对比文件未提及线圈匝的厚度变化，也未提及任何梯度变化。 | 目标专利的核心在于电感器厚度（垂直于基板方向）沿最内匝呈梯度（连续或阶梯式）增大，以优化性能（降低涡流损耗）。对比文件中的线圈仅作为能量传输的导体，其厚度是否均匀、是否变化均未记载，更不存在“根据梯度而增大”的教导或暗示。该特征未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。**<br>《未直接公开》<br>《未隐含公开》 | 对比文件说明书[0129]-[0136]段描述了通过多次沉积和蚀刻工艺形成导电层（如第一导电层908、第二导电层909）并图案化以形成栅电极和线圈。附图23A-23C示出了线圈图案。 | 对比文件公开了在基板上形成多层导电层并图案化以形成线圈的可能性。然而，它并未具体公开螺旋电感器由两个特定的、相互覆盖的“导电螺旋”构成，也未公开这两个螺旋在最内匝的特定部分（第一部分、第三部分）以及最外匝部分具有目标专利所限定的精确包含关系（例如，第一部分仅包含第二螺旋且不包含第一螺旋）。这些是目标专利对阶梯/梯度层堆叠结构的具体限定。对比文件没有提供任何关于线圈由两个独立定义的螺旋组成且具有所述空间覆盖和包含关系的信息。该特征未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。**<br>《未直接公开》<br>《未隐含公开》 | 对比文件未提及构成线圈的不同导电螺旋的长度，也未比较它们的长度。 | 对比文件没有公开线圈由两个独立的“导电螺旋”构成，因此“第二导电螺旋的长度大于第一导电螺旋的长度”这一具体尺寸关系无从谈起。该特征未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。**<br>《未直接公开》<br>《未隐含公开》 | 对比文件说明书[0047]段：“Then, an interlayer insulating film 202 is formed on TFTs 201...”（然后，在TFT 201上形成层间绝缘膜202……）[0129]段描述了形成导电层（heat-resistant conductive layer）。 | 对比文件公开了在多层结构中存在绝缘层（如层间绝缘膜）和导电层（如用于栅电极）。然而，目标专利中位于两个导电螺旋之间的“导电层”是螺旋电感器结构的一部分，用于贡献厚度。对比文件既未公开在螺旋线圈的两个螺旋层之间设置一个额外的“导电层”，也未公开该导电层与螺旋的特定部分（如最内匝的第二部分）具有所述包含关系（包括第二螺旋的一部分和该导电层的第一端部）。对比文件中的层（无论是绝缘还是导电）服务于不同的目的（如隔离、作为栅极），并非作为螺旋电感器梯度厚度结构的一部分。该特征未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。**<br>《未直接公开》<br>《未隐含公开》 | 对比文件未提及任何导电层被形成为非连续螺旋。 | 对比文件完全没有提及“非连续螺旋”这一形状特征。该特征未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。**<br>《未直接公开》<br>《未隐含公开》 | 对比文件说明书[0045]段：“...and external signal input terminals 105 are formed on the array substrate 100.”（……并且在阵列基板100上形成外部信号输入端子105。） | 对比文件公开了在基板上存在“外部信号输入端子（external signal input terminals）”，其功能是输入外部信号。然而，目标专利的特征是将“输入引线、输出引线或其组合”作为所述“导电层”的一部分或特征。对比文件并未将输入/输出端子描述为螺旋电感器内部“导电层”的组成部分或属性。两者在结构归属和功能整合上不同。该特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。**<br>《隐含公开》 | 对比文件说明书[0047]段：“Then, an interlayer insulating film 202 is formed on TFTs 201 that formed on a substrate 200, followed by flattening.”（然后，在形成于基板200上的TFT 201上形成层间绝缘膜202，随后进行平坦化。）[0049]段：“Furthermore a insulating film 203 is formed on the interlayer insulating film 202...”（此外，在层间绝缘膜202上形成绝缘膜203……）[0140]段：“Then, a second interlayer insulating film 943 made of an organic insulating material is formed...”（然后，形成由有机绝缘材料制成的第二层间绝缘膜943……） | 对比文件多次描述了在半导体制造过程中，在导电层（如栅极、布线）之间或之上形成各种绝缘膜（interlayer insulating film, insulating film），例如[0047]、[0049]、[0140]段。这些绝缘膜在对比文件中起到电隔离、平坦化、保护等作用。本领域技术人员可以理解，在制造多层结构（如可能包含多层导体的线圈）时，在两层导电层（例如，对应于可能的“第二导电螺旋”和“第一导电螺旋”）之间形成一层绝缘层（即钝化层）是常见的工艺步骤，以实现电隔离。因此，尽管对比文件没有明确描述在“第二导电螺旋与第一导电螺旋之间”设置钝化层，但基于其公开的普遍多层绝缘结构，本领域技术人员有可能通过推理认为在多层导体间设置绝缘层是隐含的技术手段。然而，需注意该钝化层在目标专利和对比文件中所起的具体作用可能不完全相同。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。**<br>《隐含公开》 | 对比文件说明书[0049]段：“...contact holes reaching drain regions of the TFTs 201 are formed to provide wirings 204.”（……形成到达TFT 201的漏极区域的接触孔以提供布线204。）[0146]段：“Thereafter, a resist mask with a predetermined pattern is formed, and contact holes are formed so as to reach impurity regions to be a source region or a drain region formed in each semiconductor layer.”（此后，形成具有预定图案的抗蚀剂掩模，并形成接触孔以到达形成在每个半导体层中的将成为源极区域或漏极区域的杂质区域。） | 对比文件公开了在绝缘层中形成“接触孔（contact holes）”以连接不同层级的导体（如将布线连接到TFT的漏极）。这是半导体工艺中的标准技术。本领域技术人员可以合理推断，如果存在两层需要电连接的导电螺旋，且它们之间被钝化层隔开，那么通过形成穿过该钝化层的通孔（即接触孔）来实现电连接，是显而易见的、常规的技术手段。因此，该特征被对比文件隐含公开。同样，需注意该通孔连接的具体结构和目的在两者中可能不同。 |
### 结论
根据上述分析，对比文件US2002132383A1仅直接公开了技术特征A（基板）。技术特征N（钝化层）和O（通孔）可被认为被对比文件隐含公开，但它们在对比文件与目标专利中所起的具体作用存在差异：对比文件中的绝缘层和通孔主要用于晶体管结构的隔离和互联，而目标专利中则 specifically 用于连接构成梯度厚度电感器的两个导电螺旋。其余技术特征（B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M）均未被对比文件直接公开或隐含公开。
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