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对比文件列表
1993-05-25_US5214308A_发明授权_US5214308A Substrate for packaging a semiconductor device_+++A_b+++.docx
2026-03-10 16:02
1997-06-20_None_发明专利_JPH09162527A Printed board for mounting bga thereon_+++A_B_F_O_m+++.docx
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1998-06-26_None_发明专利_JPH10173296A Manufacture of printed wiring board_+++A_B_F_M_N+++.docx
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1998-12-22_None_发明专利_JPH10340929A Wiring board for mounting electronic part_+++A_B_F_K_M_N_c_g+++.docx
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2000-03-03_JP2000068399A_发明专利_JP2000068399A Semiconductor device_+++A_B_C_D_F_M_N_O_g+++.docx
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2000-08-29_US6111309A_发明授权_US6111309A Semiconductor device_+++A_B_C_F_G+++.docx
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2003-05-27_US6569604B_发明授权_US06569604B1 Blind via formation in a photoimageable dielectric material_+++A_C_F_O_b_d_g_k_m+++.docx
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2004-02-26_US2004036170A_发明申请_US20040036170A1 Double bumping of flexible substrate for first and second level interconnects_+++A_B_C_D_F_G_O+++.docx
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2004-07-22_JP2004207542A_发明专利_JP2004207542A Package for storing light emitting element and light emitting device_+++A_B+++.docx
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2005-02-02_CN1574349A_发明公开_CN1574349A 大规模集成电路封装_+++A_C_G_M_N_b+++.docx
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2008-04-30_JP4082220B_发明专利_JP4082220B2 Wiring board, a method of manufacturing a semiconductor module and semiconductor module_+++A_b_c_k_l_m_n_o+++.docx
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2009-07-02_US2009166396A_发明申请_US20090166396A1 MICROBALL ATTACHMENT USING SELF-ASSEMBLY FOR SUBSTRATE BUMPING_+++A_B_F_o+++.docx
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2010-04-27_US7704796B_发明授权_US07704796B2 Semiconductor device and method of forming recessed conductive vias in saw streets_+++A_B_F_O_g+++.docx
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2011-06-23_JP2011124382A_发明专利_JP2011124382A Printed wiring board, printed wiring board unit, and electronic device_+++A_B_F_M_N_o+++.docx
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2011-07-21_JP2011142203A_发明专利_JP2011142203A Substrate and wiring method for substrate_+++A_B_O+++.docx
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2011-08-04_US2011186998A_发明申请_US20110186998A1 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_B_L_O_c_d_f_g+++.docx
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2011-11-16_TW201140714A_发明专利_TW201140714A 凹入的半導體基底和相關技術 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND ASSOCIATED TECHNIQUES_+++A_B_C_G_L_O+++.docx
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2011-11-16_TW201140768A_发明专利_TW201140768A 凹陷的半導體基底 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_B_F_G_L_O_c_d_p+++.docx
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2011-11-17_WO2011097089A_发明申请_WO2011097089A2 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_B_L_O_f_g+++.docx
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2012-03-13_US8134242B_发明授权_US08134242B2 Integrated circuit package system with concave terminal_+++B_F_o+++.docx
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2012-09-19_CN102687255A_发明公开_CN102687255A 凹陷半导体衬底_+++A_B_F_G_L_O_c+++.docx
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2012-10-10_CN102723306A_发明公开_CN102723306A 一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法_+++A_B_C_d_e_i+++.docx
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2012-12-17_KR1020120135897A_发明公开_KR1020120135897A 리세스된 반도체 기판_+++A_B_G_L_O+++.docx
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2013-01-31_US2013026609A_发明申请_US20130026609A1 PACKAGE ASSEMBLY INCLUDING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH STRESS RELIEF STRUCTURE_+++A_B_F_c_g+++.docx
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2013-05-23_WO2013072775A_发明申请_WO2013072775A2 PACKAGE ASSEMBLY INCLUDING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH STRESS RELIEF STRUCTURE_+++A_B_F_O_c_d_g_p+++.docx
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2013-06-01_TW201322418A_发明专利_TW201322418A 包括具有應力消除結構的半導體基板的封裝組裝_+++A_B_F_O_c_g+++.docx
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2014-05-08_US2014124961A_发明申请_US20140124961A1 TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS FOR RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_F_G_L_b_c_o_p+++.docx
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2014-10-08_CN102723306B_发明授权_CN102723306B 一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法_+++A_B_C_e_g_i+++.docx
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2014-10-16_US2014306350A_发明申请_US20140306350A1 METHOD OF MANUFACTURING THROUGH-GLASS VIAS_+++A_B_c_d_o+++.docx
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2015-03-04_CN102687255B_发明授权_CN102687255B 凹陷半导体衬底_+++A_B_L_O+++.docx
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2015-07-02_JP2013219182A_发明专利_JP2013219182A5 JP2013219182A5 - Printed circuit board and the printed circuit board_+++A_B+++.docx
2026-03-10 16:03
US2004184219A1_Description_20260223_1512_+++A_B_C_O_d_h+++.docx
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未完成_+++A_E_I_b_c_d_f_g_k_o+++.docx
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1998-06-26_None_发明专利_JPH10173296A Manufacture of printed wiring board_+++A_B_F_M_N+++.docx

**对比文件名称**: JPH10173296A Manufacture of printed wiring board

**目标专利名称**: 具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B

**本次调用的模型名称**: DeepSeek最新版本

**特征比对表格**

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括:基板《直接公开》【0012】少なくとも有機樹脂を含む絶縁性基板1表面に形成された金属導体層2... (在至少包含有机树脂的绝缘基板1的表面上形成的金属导体层2...)对比文件明确公开了“绝缘基板1”,其作为印刷布线板的支撑结构,与目标专利中的“基板”的作用(作为封装结构的支撑体)相同。因此,技术特征A被直接公开。
技术特征B:在所述基板的第一表面中的第一凹陷《直接公开》【0012】...絶縁性基板1表面の高さから深さhだけ凹んだ凹部3を具備するものである。 (具备从绝缘基板1表面高度凹下深度h的凹部3。)对比文件明确公开了在绝缘基板(即基板)的表面形成“凹部3”,其作用是为了防止焊料(相当于互连)流出。目标专利的凹陷作用也是容纳互连(如焊球)以降低封装高度。两者均为基板表面上的凹槽结构,用于容纳互连。因此,技术特征B被直接公开。
技术特征C:多个第一穿基板通孔,所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分【0012】...絶縁性基板1内に垂直に形成されたビアホール導体7と電気的接続される。 (...与在绝缘基板1内垂直形成的通孔导体7电连接。)对比文件公开了“通孔导体7”(ビアホール導体),其垂直穿过绝缘基板1。然而,对比文件并未明确描述这些通孔导体是延伸穿过基板的“非凹陷部分”。目标专利明确限定穿基板通孔延伸穿过“非凹陷部分”,以区别于从凹陷延伸的穿基板通孔。对比文件的通孔导体(如附图1中的7)可能连接至凹部3下方的导体层,但未明确其与基板表面(特别是非凹陷区域)的几何位置关系。本领域技术人员无法毫无疑义地从对比文件得出“延伸穿过基板的非凹陷部分”这一具体限定。因此,技术特征C未被直接公开。同时,对比文件通篇未提及或暗示需要区分通孔是否穿过凹陷区域或非凹陷区域,也未涉及不同长度通孔以实现不同功能(如目标专利中的长通孔用于电感、短通孔用于电容),因此也无法通过合理推断得出该特征。故技术特征C未被隐含公开。
技术特征D:所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端【0012】...絶縁性基板1内に垂直に形成されたビアホール導体7と電気的接続される。 (...与在绝缘基板1内垂直形成的通孔导体7电连接。) 图1显示了通孔导体7与金属导体层2连接。对比文件公开了通孔导体7与基板表面的金属导体层2电连接。然而,对比文件并未描述通孔导体在第一表面的端部具体位于何处,更没有描述其端部“在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中”。目标专利强调该端部位置毗邻凹陷,与凹陷结构存在空间关联。对比文件仅公开了通孔导体与导体层连接,但未限定其端部相对于凹部3的具体位置关系。因此,本领域技术人员无法从对比文件得出或合理推断出该具体的位置限定。技术特征D未被直接公开,也未被隐含公开。
技术特征E:其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器无相关内容。对比文件全文均未提及电感器,也未提及通过基板相对第二表面上的导体将两个通孔耦合在一起以形成电感器的结构。目标专利的嵌入式电感器是其核心改进之一,用于在保持基板厚度的同时获得所需电感。对比文件仅涉及防止焊料流出的布线板结构,目的和作用完全不同。因此,技术特征E未被直接公开,也未被隐含公开。
技术特征F:所述器件的第一互连,所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷《直接公开》【0012】この凹部3には、半導体素子などの電子部品4の端子5を半田6等によって接続されるものである。 (在该凹部3中,半导体元件等电子部件4的端子5通过焊料6等连接。)对比文件明确公开了在凹部3内,通过焊料6将电子部件4的端子5连接到金属导体层2。此处的“焊料6”位于凹部3内并与其耦合,相当于目标专利中“被包括在第一凹陷内并且被耦合至第一凹陷”的“第一互连”。两者作用均为实现电连接。因此,技术特征F被直接公开。
技术特征G:以及在所述基板的第一表面上的重分布层,其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一【0012】...絶縁性基板1表面に形成された金属導体層2... (在绝缘基板1的表面上形成的金属导体层2...) 图1显示金属导体层2与通孔导体7连接。对比文件公开了基板第一表面上的“金属导体层2”,其可以起到电连接作用,例如将凹部3内的焊料6与通孔导体7连接起来。这类似于重分布层的部分功能。然而,目标专利的“重分布层”是一个特定术语,通常指在封装中用于重新分布I/O连接的布线层。对比文件的“金属导体层2”是常规的印刷电路布线层,用于形成电路图案,其目的和结构并不必然等同于“重分布层”。尽管如此,从广义的电连接功能来看,对比文件公开了位于基板第一表面的导体层(金属导体层2),其可以将凹部内的互连(焊料6)与穿基板导体(通孔导体7)电连接。基于宽松的隐含公开判断标准,可以认为对比文件隐含公开了具有类似功能的导体层。因此,技术特征G被隐含公开。
技术特征H:其特征在于,进一步包括:电容器,所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面,其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器无相关内容。对比文件全文未提及电容器,也未提及毗邻基板第二表面的电容器,更未提及专门用于电耦合电容器的“第二穿基板通孔”。因此,技术特征H未被直接公开,也未被隐含公开。
技术特征I:其特征在于,所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔无相关内容。由于技术特征E(嵌入式电感器)未被公开,作为其进一步限定的技术特征I自然也未被公开。对比文件未公开任何电感器结构。
技术特征J:其特征在于,所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器无相关内容。同技术特征I,由于技术特征E未被公开,其进一步限定的技术特征J也未被公开。
技术特征K:其特征在于,所述基板包括玻璃基板,并且其中所述第一互连包括焊球【0014】有機樹脂としては例えば、PPE(ポリフェニレンエーテル)、BTレジン(ビスマレイミドトリアジン)、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂が使用が使用できる。また、上記の絶縁性シートには、ガラスクロスに樹脂を含浸させたシート(プリプレグ)を用いても良い。 (作为有机树脂,例如,可以使用PPE(聚苯醚)、BT树脂(双马来酰亚胺三嗪)、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、氟树脂、酚醛树脂等热固性树脂或热塑性树脂。另外,对于上述绝缘片,也可以使用在玻璃布上浸渍树脂的片材(预浸料)。)对比文件公开的基板材料主要是有机树脂或包含有机树脂的复合材料(如预浸料),预浸料虽然使用了玻璃布,但其本质是树脂复合材料,并非目标专利所述的“玻璃基板”。目标专利的“玻璃基板”明确指代由玻璃材料构成的基板。此外,对比文件中的互连是“半田”(焊料),其形态未明确限定为“焊球”,但焊料在连接时通常形成类似焊球的形态。鉴于隐含公开判断标准宽松,可以认为对比文件公开了“焊球”类互连。但基板材料方面,对比文件公开的有机树脂基板与目标专利的“玻璃基板”是不同类型。因此,技术特征K中的“玻璃基板”未被公开,“焊球”可视为隐含公开。但由于技术特征K将两者作为一个整体进行限定,基板类型未被公开,因此该整体技术特征K未被公开。
技术特征L:其特征在于,所述基板包括半导体基板,并且其中所述第一互连包括金属柱无相关内容。对比文件未提及半导体基板,也未提及金属柱作为互连。因此,技术特征L未被直接公开,也未被隐含公开。
技术特征M:其特征在于,所述基板包括有机基板,并且其中所述第一互连包括焊球《直接公开》【0014】有機樹脂としては例えば、PPE(ポリフェニレンエーテル)、BTレジン(ビスマレイミドトリアジン)、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂が使用が使用できる。 (作为有机树脂,例如,可以使用PPE(聚苯醚)、BT树脂(双马来酰亚胺三嗪)、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、氟树脂、酚醛树脂等热固性树脂或热塑性树脂。) 【0012】...半田6等によって接続されるものである。 (...通过焊料6等连接。)对比文件明确公开了基板包含“有机树脂”,即有机基板。同时,也公开了使用“焊料”(半田)作为连接材料,焊料在连接时通常形成类似焊球的形态。因此,技术特征M(基板包括有机基板,第一互连包括焊球)被对比文件直接公开。
技术特征N:其特征在于,所述基板包括有机基板,并且其中所述第一互连包括焊球《直接公开》同技术特征M的引用内容。技术特征N与技术特征M的文字描述完全相同。基于与技术特征M相同的理由,该特征被对比文件直接公开。
技术特征O:其特征在于,进一步包括:在所述基板的第一表面中的第二凹陷【0012】...凹部3を具備するものである。 (具备凹部3。) 对比文件可能形成多个凹部用于安装多个元件。对比文件公开了在基板表面形成“凹部3”,用于防止焊料流出。虽然对比文件没有明确区分“第一凹陷”和“第二凹陷”,但其方法显然可以用于在基板表面形成多个凹部。本领域技术人员可以合理推断,为了安装多个电子部件或进行多点连接,可以在基板第一表面上形成多个凹部。因此,技术特征O(进一步包括第二凹陷)可以被认为被对比文件隐含公开。
技术特征P:以及所述器件的第二互连,所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷,其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球【0012】この凹部3には、半導体素子などの電子部品4の端子5を半田6等によって接続されるものである。 (在该凹部3中,半导体元件等电子部件4的端子5通过焊料6等连接。)对比文件公开的凹部内的焊料(半田6)是用于将电子部件的端子电连接到基板的导体层,其功能是实现电连接,而非“仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能”。目标专利明确区分了具有电功能的互连和仅具机械紧固功能的互连。对比文件没有描述或暗示存在仅用于机械紧固而无电连接功能的焊球。因此,技术特征P未被直接公开,也未被隐含公开。

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