对比文件名称：2015-03-04_CN102687255B_发明授权_CN102687255B 凹陷半导体衬底
目标专利名称：203具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>**《直接公开》** | 第[0018]段：“封装组件100包括半导体衬底102，该半导体衬底是基本上包括半导体材料(如例如硅(Si))的衬底或者中介片。” | 对比文件明确公开了封装组件包含“半导体衬底102”，其作为整个装置的基础结构，对应于目标专利中的“基板”。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：在所述基板的第一表面中的第一凹陷<br>**《直接公开》** | 第[0018]段：“第一表面A1的部分相对于第一表面A1的其它部分被凹陷以形成半导体衬底102的凹陷区域104。” | 对比文件明确记载了在半导体衬底（基板）的第一表面（A1）中形成“凹陷区域104”，该凹陷区域即对应于目标专利的“第一凹陷”。其作用在于形成更薄的区域以便于制作过孔并降低封装厚度，与目标专利中设置凹陷以容纳互连、降低封装高度的作用虽不完全相同，但均涉及在基板表面形成凹陷结构。技术方案本身已被直接公开。 |
| **技术特征C**：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分<br>**《未公开》** | 第[0020]-[0021]段：“一个或者多个过孔108形成于半导体衬底102的凹陷区域104中。一个或者多个过孔108一般提供在半导体衬底102的第一表面A1与第二表面A2之间的电或者热通路。” | 对比文件明确记载过孔（108）是“形成于半导体衬底102的凹陷区域104中”。这意味着过孔是穿过凹陷区域（即厚度T1的减薄部分）的。目标专利明确限定第一穿基板通孔“延伸穿过所述基板的非凹陷部分”，即通孔穿过的是未被凹陷减薄的基板主体部分（厚度T2区域）。对比文件通孔的位置（凹陷区域）与目标专利通孔的位置（非凹陷部分）不同，且对比文件未描述有穿过非凹陷部分的通孔。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征D**：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端<br>**《未公开》** | 第[0020]-[0021]段：“一个或者多个过孔108形成于半导体衬底102的凹陷区域104中。” | 该技术特征依赖于特征C定义的“第一穿基板通孔”。如上所述，对比文件未公开穿过“非凹陷部分”的通孔。其过孔108位于凹陷区域104内部，其第一端（位于第一表面A1）必然位于凹陷区域104内，而非目标专利所限定的“毗邻所述第一凹陷的区域中”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件全文未提及任何“电感器”，也未描述通过基板第二表面上的导体将两个通孔耦合以形成电感结构。其过孔108用于提供电或热通路，连接裸片与封装互连，或用于散热，作用与形成嵌入式电感器完全不同。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征F**：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷<br>**《未公开》** | 第[0033]段：“一个或者多个封装互连结构114(如比如一个或者多个焊球、金属杆或者凸块)可以形成于一个或者多个重新分布层110上”。图3、7、8、12等图示了封装互连结构114。 | 对比文件公开了“封装互连结构114”（如焊球），并可耦合到重新分布层。然而，对比文件并未明确描述该互连结构被“包括在所述第一凹陷内”。在附图中，互连结构114通常显示为位于凹陷区域104上方的表面，而非被容纳在凹陷内部。目标专利的“被包括在凹陷内”旨在使互连部分嵌入以降低整体高度，而对比文件的凹陷区域104主要目的是减薄基板以便于制作过孔，并未强调或图示将互连结构容纳在凹陷的凹坑内。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一<br>**《未公开》** | 第[0024]段：“一个或者多个重新分布层110可以形成于半导体衬底102的第一表面A1和/或第二表面A2上，以路由耦合到半导体衬底102的一个或者多个裸片112的电信号。” | 对比文件公开了在第一表面A1上形成重新分布层（RDL）110，用于路由电信号。其作用是将裸片112电耦合至过孔108。然而，该特征G的成立依赖于特征F（第一互连）和特征C（第一穿基板通孔）的成立。如前所述，特征F和特征C均未被对比文件公开。因此，即使存在重分布层，其配置目的和连接对象也与目标专利不同。该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件全文未提及任何“电容器”结构，也未描述有通孔电耦合至电容器。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 该特征是对特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定。由于特征E（嵌入式电感器）本身未被对比文件公开，因此该从属特征也未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 同特征I，该特征依赖于特征E（嵌入式电感器）的存在，而特征E未被公开，故该特征也未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《未公开》** | 第[0018]段：“半导体衬底102，该半导体衬底是基本上包括半导体材料(如例如硅(Si))的衬底”。第[0033]段：“一个或者多个封装互连结构114(如比如一个或者多个焊球、金属杆或者凸块)”。 | 对比文件明确其基板为“半导体衬底”，材料例如硅，并未提及“玻璃基板”。虽然其互连结构可以是“焊球”，但基板材料的限定（玻璃）未被公开。该特征作为一个整体（玻璃基板+焊球互连）未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱<br>**《未公开》** | 第[0018]段：“半导体衬底102...基本上包括半导体材料(如例如硅(Si))”。第[0033]段：“一个或者多个封装互连结构114(如比如一个或者多个焊球、金属杆或者凸块)”。 | 对比文件公开了基板为半导体材料（如硅），符合“半导体基板”。同时，其封装互连结构114列举了“金属杆”，本领域技术人员可以理解“金属杆”在封装互连语境下与“金属柱”具有相同的实质，都是柱状的金属互连结构，属于等同的公开方式。因此，该特征整体上被直接公开。**判断为直接公开**。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件未提及基板为“有机基板”。其基板明确为半导体材料。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 此特征与特征M重复。同理，对比文件未公开“有机基板”，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷<br>**《直接公开》** | 第[0038]段：“封装组件500具有形成于半导体衬底102的第一表面A1中的凹陷区域104(该区域为第一凹陷区域)和至少另一凹陷区域504(该区域为第二凹陷区域)。” | 对比文件明确公开了在第一表面A1中形成多个凹陷区域，包括“另一凹陷区域504”，这直接对应于目标专利的“第二凹陷”。其作用同样是减薄基板局部区域以便于形成过孔或容纳组件。技术方案被直接公开。 |
| **技术特征P**：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球<br>**《未公开》** | 第[0033]段：“一个或者多个封装互连结构114(如比如一个或者多个焊球、金属杆或者凸块)可以形成于一个或者多个重新分布层110上，以进一步路由一个或者多个裸片112的电信号。” | 对比文件虽然公开了在凹陷区域（如另一凹陷区域504）上设置封装互连结构（如焊球），但其描述的作用是“路由电信号”，即具有电功能。目标专利明确限定了第二互连“仅具有...机械功能”，即不用于电连接。对比文件并未公开这种仅具机械功能的互连。因此，该特征未被公开。 |
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