好的，我将以一名资深专利代理师的身份，严格遵循您的指示，对目标专利与对比文件进行特征比对和创造性评估。
**对比文件名称**：2012-05-22_US8183745B_发明授权_US08183745B2 High frequency ultrasound transducers
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器 CN105264545B
**本次调用模型名称**：DeepSeek
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《隐含公开》 | 对比文件涉及超声波换能器，可用于成像，包括发射和接收超声波能量。例如，说明书第[0004]段描述：“An ultrasound beam is reflected from any discontinuities in the acoustic impedance of the sample. The reflected ultrasound waves return to the transducer where pressure variations are converted into an electrical signal.” （超声波束从样品声阻抗的任何不连续处反射。反射的超声波返回到换能器，在那里压力变化被转换成电信号。） | 对比文件公开的换能器（transducer）具备将反射的超声波能量（即“接收到的超声波能量”）转换为电信号的功能，这隐含了其作为接收器使用的功能。尽管对比文件主要描述其作为发射和接收一体的换能器，但本领域技术人员能够毫无疑义地理解，能够实现“接收”功能的换能器部分即可被视为“超声波接收器”。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《未公开》 | 对比文件公开了在衬底上形成的换能器阵列，例如，第[0039]段：“An example apparatus includes a plurality of ultrasound transducers... and a substrate supporting the plurality of ultrasound transducers.” （一种示例设备包括多个超声波换能器……以及支撑所述多个超声波换能器的衬底。）以及第[0077]段描述在衬底上形成的金属柱阵列（图6）。 | 对比文件公开了在衬底上制造换能器“阵列”，例如柱阵列或管阵列。然而，目标专利中的“像素电路的阵列”特指包含TFT等有源开关元件、用于信号读取和处理的电路阵列。对比文件中的换能器阵列是简单的传感单元（电极-压电材料-电极）的重复排列，本身不具备像素电路的信号处理功能。因此，对比文件未公开“像素电路的阵列”。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《隐含公开》 | 对比文件公开了通过溶液法沉积压电薄膜。例如，第[0087]段：“The piezoelectric film deposition was done by spin coating a 0.75M 2-MOE (2-methoxyethanol) based PZT solution at 3000 rpm.” （压电薄膜的沉积是通过以3000转/分钟旋涂基于0.75M 2-甲氧基乙醇的PZT溶液完成的。） 第[0054]段提到了通过“vacuum assisted infiltration”（真空辅助浸润）将溶液填充到模板中。 | 对比文件明确公开了通过旋涂（spin coating）或真空辅助浸润等溶液涂布工艺，将含有压电材料（PZT）的溶液沉积到衬底（或模板）上。虽然对比文件使用的PZT溶液与目标专利的“聚合物”溶液在材料上不同，但“将含有压电材料的溶液涂布到阵列/衬底上”这一核心制造步骤已被直接公开。本领域技术人员可以理解，涂布工艺本身是通用的，不限于特定材料。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《未公开》 | 对比文件未提及任何像素电路、薄膜晶体管（TFT）或像素输入电极。其换能器单元的结构是简单的电极-压电层-电极（如第[0039]段所述），或柱状/管状结构（如图1所示）。 | 对比文件公开的换能器阵列是独立的传感单元，其信号通过外部电极引线直接连接至外部电路（如第[0099]-[0112]段描述的CMOS控制芯片）。在整个说明书中，均未提及将每个换能器单元与一个包含TFT的像素电路集成在一起，也未提及“像素输入电极”这一用于连接压电层和像素电路的结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《隐含公开》 | 对比文件公开了使沉积的压电薄膜结晶的步骤。例如，第[0087]段：“...one crystallization step for one minute in the RTA at 670°C in air.” （……在空气中，在快速热退火炉中以670°C进行一分钟的结晶步骤。）第[0058]段：“After infiltration and pyrolysis, the Si mold was removed... and the films crystallized.” （在浸润和热解之后，移除硅模具……并使薄膜结晶。） | 对比文件明确公开了在沉积压电材料（PZT）溶液后，通过热处理（如高温退火）使材料结晶的步骤，以形成具有压电性能的结晶薄膜。虽然目标专利的“聚合物结晶”与对比文件的“陶瓷材料（PZT）结晶”在具体温度、机理上存在差异，但“使沉积的材料层结晶以获得功能性压电层”这一核心工艺步骤已被公开。本领域技术人员可以从对比文件公开的结晶步骤中，合理推断出对聚合物材料进行结晶的必要性。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《隐含公开》 | 对比文件公开了对压电薄膜进行极化（poling）。例如，第[0083]段：“Piezoelectric thin films may be poled in situ...” （压电薄膜可以原位极化……）极化是使铁电/压电材料内部电畴定向排列以具备压电性的标准工艺，必然涉及施加电场。 | 对比文件明确提到了对压电薄膜进行“极化”（poling），这是形成压电层的必要步骤。本领域技术人员公知，极化工艺必然包含“跨越所述结晶层施加电场”。然而，对比文件未提及极化后的压电层与“像素输入电极”电接触，因为其结构中没有像素输入电极。但“施加电场以形成压电层”这一子步骤已被公开。鉴于技术特征F是一个包含多个步骤的工艺特征，对比文件部分公开了其中的“施加电场”部分。因此，从整体上判断，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《未公开》 | 对比文件公开了在压电层上沉积电极。例如，第[0087]段：“The film was then sputtered with a 500 Å thick Pt top electrode...” （然后在该薄膜上溅射一层500 Å厚的Pt顶部电极……）图1中的“outer electrode 12”也位于压电层上。 | 对比文件公开了在压电层上形成电极（如顶部电极）。然而，目标专利的“接收器偏置电极”具有特定功能：“经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件”。这表明该电极在像素电路的信号读取中起到偏置或选通作用。对比文件中的顶部电极仅仅是用于施加电场或收集电荷的普通电极，其说明书未描述其具有控制信号传递至TFT的功能，因为对比文件中不存在TFT元件。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》 | 未在对比文件中找到对应内容。 | 对比文件未公开“像素输入电极”这一结构，因此其由何种材料（如导电薄膜）形成也无从谈起。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 未在对比文件中找到对应内容。 | 对比文件虽然公开了溶液涂布工艺，但未提及在涂布前先涂布助粘剂（如HMDS）的步骤。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《直接公开》 | 第[0087]段：“The piezoelectric film deposition was done by spin coating...” （压电薄膜的沉积是通过旋涂完成的……）第[0054]段提到了“vacuum assisted infiltration”（真空辅助浸润），这是一种浸渍工艺。第[0096]段：“Thin films may be deposited using spin-coating, mist deposition, vapor deposition, physical deposition, or other deposition technique.” （薄膜可以通过旋涂、雾化沉积、气相沉积、物理沉积或其他沉积技术来沉积。） | 对比文件明确公开了“spin coating”（旋涂）作为沉积压电薄膜的具体方法，并提及了“infiltration”（浸润）和“mist deposition”（雾化沉积，可视为一种喷射）。因此，对比文件直接公开了“旋涂”和“浸渍”（或类似工艺），这属于技术特征J中列举的涂布方式。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《未公开》 | 对比文件使用的压电材料主要是PZT（锆钛酸铅），一种陶瓷铁电材料。第[0130]段提到：“ferroelectric polymers and copolymers (such as PVDF, polyvinyldine fluoride)” （铁电聚合物和共聚物（例如PVDF，聚偏二氟乙烯）），但这仅是在列举可能的压电材料类型，并非其具体实施例中实际使用的材料。 | 对比文件具体实施例中实际制造和使用的压电材料是PZT（一种陶瓷），而非聚合物。虽然在说明书末尾部分广泛列举了包括铁电聚合物在内的多种压电材料，但这属于背景技术或可选方案的描述，并未具体公开如何制造或使用铁电聚合物层。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 对比文件公开了PZT的结晶温度（如670°C，第[0087]段），但PZT作为陶瓷材料，其工艺是“烧结”或“退火”以实现晶化，与聚合物在居里温度和熔点之间的“焙烤”以“结晶”是完全不同的材料体系和工艺条件。 | 对比文件未使用聚合物压电材料，因此自然不会公开针对聚合物特有的“居里温度”、“熔点”以及在该温度区间“焙烤至少一小时”的结晶工艺。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 未在对比文件中找到对应内容。 | 对比文件未公开任何在极化前将电路端子短接到地的保护措施，更未提及针对“像素电路”端子的操作，因为其结构中不存在像素电路。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 未在对比文件中找到对应内容。 | 由于技术特征M未被公开，其进一步限定的具体导电材料（导电橡胶或导电墨水）也未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 未在对比文件中找到对应内容。 | 对比文件公开的顶部电极是单一的Pt层（第[0087]段），或未具体说明层结构。未公开由特定材料（铜、镍）构成的子层堆叠结构。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 未在对比文件中找到对应内容。 | 对比文件未公开技术特征O，因此其进一步限定的具体厚度参数也未被公开。 |
### **创造性评估总结**
根据上述特征比对，可以得出以下结论：
1. **直接公开的技术特征**：C、J。对比文件明确公开了通过旋涂等溶液法沉积压电层。
2. **隐含公开的技术特征**：A、E、F。对比文件公开了换能器的接收功能、压电材料的结晶步骤和极化工艺。
3. **未公开的技术特征**：B、D、G、H、I、K、L、M、N、O、P。这些特征主要涉及目标专利的核心架构——**基于TFT像素电路的超声波接收器**，以及与之相关的具体制造细节（如聚合物材料、特定结晶条件、电极短路保护、特定电极叠层结构及厚度）。对比文件的换能器阵列是简单的传感单元与外部控制电路结合的结构，未集成有源的像素电路（TFT）。
目标专利的核心发明点在于将压电聚合物层直接涂布并集成到包含TFT像素电路的阵列上，从而制造出大面积、可寻址的超声波接收器。对比文件（US08183745B2）主要关注于通过模板复制等微加工技术制造高频（MHz-GHz）超声波换能器阵列，其材料体系（主要为PZT陶瓷）、器件结构（柱状/管状）和电路集成方式（与外部CMOS芯片连接）均与目标专利有本质区别。对比文件未给出将压电层与TFT像素电路阵列直接集成制造的技术启示。
<<<C>>><<<J>>>
<<<a>>><<<e>>><<<f>>>