本次调用的模型名称：DeepSeek-R1。
**对比文件名称**：2014-12-04_US2014359757A_发明申请_US20140359757A1 USER AUTHENTICATION BIOMETRICS IN MOBILE DEVICES
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。 | [0066] “The force-sensing device 30 may include an array of sensor pixel circuits 32 disposed on a substrate 34, which also may be referred to as a backplane, and a piezoelectric film layer 36.”<br>[0088] “As shown in FIG. 8C, in those locations where air contacts the exposed surface 42 of the platen 40, e.g., the valleys 27 between the fingerprint ridges 28, most energy of the ultrasonic waves 21 will be reflected back toward the force-sensing device 30 for detection.”<br>[0088] “The control system 50 may then receive signals from the force-sensing device 30 that are indicative of reflected ultrasonic energy 23.” | 对比文件明确公开了包含压电膜层36和传感器像素电路阵列32的“力传感设备”(force-sensing device) 30（见[0066]），该设备能够检测从压板40表面反射回的超声波能量23（见[0088]），并将其转换为电信号。因此，对比文件中的“力传感设备30”实质上就是用于检测在其第一表面（即压电膜层36靠近压板40的表面）接收到的超声波能量的超声波接收器。该特征被直接公开。 |
| **技术特征B《直接公开》**<br>所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。 | [0066] “The force-sensing device 30 may include an array of sensor pixel circuits 32 disposed on a substrate 34, which also may be referred to as a backplane, and a piezoelectric film layer 36.”<br>[0067] “In the example shown in FIG. 6B, the substrate 34 is a thin film transistor (TFT) substrate. The array of sensor pixels 32 is disposed on the TFT substrate.” | 对比文件明确公开了力传感设备30包含布置在衬底34（具体为TFT衬底）上的传感器像素电路32的阵列（见[0066], [0067]）。这与目标专利中“安置在衬底上的像素电路的阵列”的技术特征完全一致。该特征被直接公开。 |
| **技术特征C《隐含公开》**<br>其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。 | [0066] “The force-sensing device 30 may include ... a piezoelectric film layer 36.”<br>[0166] “Examples of piezoelectric materials that may be used to form the piezoelectric film layer 36 include piezoelectric polymers such as ... polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers.” | 对比文件公开了力传感设备30包含压电膜层36，并且该压电膜层36可以由PVDF、PVDF-TrFE等压电聚合物形成（见[0166]）。虽然对比文件没有明确记载“将含有聚合物的溶液涂布”这一具体制造步骤，但本领域技术人员公知，对于PVDF、PVDF-TrFE这类聚合物压电材料，为了在TFT衬底上形成均匀的薄膜层，常规且成熟的制造方法就是将其溶解在合适的溶剂中形成溶液，然后通过旋涂、刮涂等工艺涂布在衬底上。这是形成聚合物薄膜的惯用技术手段。因此，本领域技术人员能够从对比文件公开的“由PVDF或PVDF-TrFE形成压电膜层36”这一技术信息中，毫无疑义地推理出，为了形成该层，必然涉及将含有该聚合物的溶液涂布到像素电路阵列侧面的步骤。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征D《直接公开》**<br>所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。 | [0067] “In the example shown in FIG. 6B, the substrate 34 is a thin film transistor (TFT) substrate.”<br>[0066] “Each sensor pixel circuit 32 may include a pixel input electrode 38 that electrically couples the piezoelectric film layer 36 to the sensor pixel circuit 32.”<br>图6B中明确示出了每个传感器像素32a包含TFT元件以及将压电层36耦合到像素电路的像素输入电极38。 | 对比文件明确记载了衬底34是TFT衬底（见[0067]），这意味着阵列中的像素电路必然包含TFT元件。同时，对比文件明确记载了每个传感器像素电路32包括将压电膜层36电耦合到传感器像素电路32的像素输入电极38（见[0066]，图6B）。因此，技术特征D被直接公开。 |
| **技术特征E《隐含公开》**<br>使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。 | [0166] “Examples of piezoelectric materials that may be used to form the piezoelectric film layer 36 include piezoelectric polymers such as ... polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers.” | 对比文件公开了压电膜层36由PVDF或PVDF-TrFE等铁电聚合物形成。本领域技术人员公知，PVDF及其共聚物要表现出良好的压电性，必须使其从非晶态转变为具有特定晶型（主要是β相）的结晶态。使涂布后的聚合物溶液结晶是获得功能性压电聚合物薄膜的必要工艺步骤。因此，虽然对比文件未明确记载“结晶”步骤，但基于其公开的“由PVDF/TrFE形成压电层”以及本领域的公知常识，本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出，在制造过程中必须包含使聚合物结晶以形成结晶聚合物层的步骤。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征F《隐含公开》**<br>执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。 | [0066] “a piezoelectric film layer 36.”<br>[0166] “Examples of piezoelectric materials that may be used to form the piezoelectric film layer 36 include ferroelectric polymers such as polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers.” | 对比文件明确将层36称为“压电膜层”(piezoelectric film layer)，且其材料为铁电聚合物（如PVDF，PVDF-TrFE）（见[0166]）。本领域技术人员公知，铁电聚合物本身具有自发极化，但偶极子方向随机，需要通过“极化”（即目标专利中的“成极”）工艺，即施加强电场，使偶极子沿电场方向取向排列，才能使其具有宏观压电效应。因此，对比文件公开的“压电膜层36”必然是通过极化工艺处理后的层。同时，对比文件图6B显示像素输入电极38与压电层36接触，极化过程正是通过电极施加电场来实现的，这自然保证了压电层与像素输入电极的电接触。因此，施加电场进行极化以形成功能性压电层并与电极接触的技术特征，是本领域技术人员能够从对比文件公开的“铁电聚合物压电层”必然推导出的工艺。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征G《直接公开》**<br>以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 | [0066] “In the illustrated implementation, a receiver bias electrode 39 is disposed on a side of the piezoelectric film layer 36 proximal to platen 40. The receiver bias electrode 39 may be a metallized electrode and may be grounded or biased to control which signals may be passed to the array of sensor pixel circuits 32.” | 对比文件明确公开了在压电膜层36靠近压板40的一侧设置有接收器偏置电极39，并且该电极可以接地或偏置，以控制哪些信号被传递到传感器像素电路阵列32（见[0066]）。传感器像素电路32包含TFT元件（见[0067]），因此接收器偏置电极39的作用就是控制信号传递至TFT元件。该特征被直接公开。 |
| **技术特征H《隐含公开》**<br>其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 | [0066] “Each sensor pixel circuit 32 may include a pixel input electrode 38...”<br>图6B中示出了像素输入电极38。 | 对比文件公开了像素输入电极38的存在。在TFT背板制造领域，像素输入电极通常由透明导电薄膜（如ITO）或金属薄膜形成，这是本领域的常规技术选择。虽然对比文件未明确记载其材质，但本领域技术人员为了实现电耦合功能，能够毫无疑义地采用导电薄膜来形成该电极。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I《未公开》**<br>其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 | 对比文件未提及在涂布聚合物溶液前或过程中使用助粘剂。 | 对比文件全文未提及任何关于在像素电路阵列上涂布助粘剂的内容。该技术特征是对制造工艺的一种具体优化，并未被对比文件公开或暗示。 |
| **技术特征J《隐含公开》**<br>其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 | [0166] 公开了压电膜层36由聚合物形成。 | 如特征C的论述，对比文件公开了由聚合物形成压电层。本领域技术人员公知，将聚合物溶液涂布成膜的具体方法包括旋涂、狭缝涂布、浸涂、分配、喷涂等。这些是薄膜制备领域的常用技术手段。因此，为了实现涂布聚合物溶液以形成压电层的目的，本领域技术人员能够从现有技术中合理选择并应用这些具体的涂布方法。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征K《直接公开》**<br>其中所述聚合物包含铁电聚合物。 | [0166] “Examples of piezoelectric materials that may be used to form the piezoelectric film layer 36 include ferroelectric polymers such as polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers.” | 对比文件明确列举了用于形成压电膜层36的材料包括铁电聚合物，例如PVDF和PVDF-TrFE共聚物（见[0166]）。该特征被直接公开。 |
| **技术特征L《未公开》**<br>其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 | 对比文件未提及聚合物的居里温度、熔点，也未提及在特定温度范围内焙烤至少一小时的结晶工艺参数。 | 对比文件仅公开了使用铁电聚合物作为材料，但未披露任何关于该聚合物具体结晶工艺的条件，如温度范围（居里温度与熔点之间）和时间（至少一小时）。这些具体的工艺参数属于目标专利的特定技术细节，未被对比文件公开。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 | 对比文件未提及在极化（成极）工艺前，施加导电材料将像素电路端子短路到接地。 | 对比文件未描述任何在极化工艺前对像素电路进行短路保护的步骤或结构。该特征涉及制造过程中对TFT元件的保护措施，是对比文件未公开的特定技术内容。 |
| **技术特征N《未公开》**<br>其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 | 对比文件未提及导电橡胶或导电墨水。 | 由于技术特征M未被公开，作为其具体实施方式的特征N（导电材料的具体类型）自然也未被公开。 |
| **技术特征O《隐含公开》**<br>其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 | [0066] “The receiver bias electrode 39 may be a metallized electrode...” | 对比文件指出接收器偏置电极39可以是金属化电极。金属化电极通常由一种或多种金属层构成。铜和镍是常用的电极金属材料。虽然对比文件未明确指定铜和镍的子层结构，但本领域技术人员为了实现金属化电极的功能，可以选择使用包括铜层和镍层在内的多层金属结构。因此，该特征可以被认为是隐含公开的。 |
| **技术特征P《未公开》**<br>其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 | 对比文件未提及接收器偏置电极的具体厚度或子层厚度。 | 对比文件完全没有披露接收器偏置电极的任何具体厚度参数。150埃铜层和850埃镍层的特定厚度组合是目标专利的具体设计参数，未被对比文件公开。 |
### 结论
根据上述比对分析：
- 技术特征A、B、D、G、K被对比文件**直接公开**。
- 技术特征C、E、F、H、J、O被对比文件**隐含公开**。
- 技术特征I、L、M、N、P**未被公开**。
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