对比文件名称：2014-12-04_US2014354905A_发明申请_US20140354905A1 MULTIFUNCTIONAL PIXEL AND DISPLAY
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器 CN105264545B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：《直接公开》<br>超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量， | 第[0024]段：”Ultrasonic sensors are able to capture information about a fingerprint by emitting an ultrasonic pulse towards a finger positioned on a surface of a platen, which may be a cover glass of a display, and detecting ultrasonic energy reflected from the platen surface.”（超声波传感器能够通过向位于压板（可以是显示器的盖板玻璃）表面上的手指发射超声波脉冲，并检测从压板表面反射的超声波能量，来捕获关于指纹的信息。） | 对比文件明确描述了超声波传感器检测从压板表面反射的超声波能量的功能，这与目标专利中超声波接收器用于检测在其第一表面接收到的超声波能量的作用相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：《直接公开》<br>所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列， | 第[0030]段：”...a thin-film transistor (TFT) array 14 on a glass or plastic TFT substrate 16 may be attached.”（……可以附着在玻璃或塑料TFT衬底16上的薄膜晶体管（TFT）阵列14。） | 对比文件明确公开了TFT阵列安置在TFT衬底（即衬底）上。该TFT阵列构成传感器电路的阵列（参见第[0030]段描述传感器电路与TFT阵列的关联），因此公开了“安置在衬底上的像素电路的阵列”这一特征。 |
| **技术特征C**：《隐含公开》<br>其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上， | 第[0030]段：”Sensors 20, including an ultrasonic sensor 20a or an infrared sensor 20c, may be associated with a layer of piezoelectric polymer 22 that is bonded to or otherwise disposed on a conductive pad that serves as a pixel input electrode on the TFT array 14...”（传感器20，包括超声波传感器20a或红外传感器20c，可以与一层压电聚合物22相关联，该层结合到或以其他方式布置在TFT阵列14上用作像素输入电极的导电焊盘上……） | 对比文件公开了在TFT阵列上设置一层压电聚合物层（piezoelectric polymer 22）并与像素输入电极相关联。虽然未明确描述该聚合物层是通过“将含有聚合物的溶液涂布”形成的，但本领域技术人员公知，诸如PVDF或PVDF-TrFE等压电聚合物薄膜常通过旋涂、刮涂等溶液涂布工艺形成在衬底上。对比文件公开了该层的存在和位置，因此隐含公开了通过涂布溶液形成该层。 |
| **技术特征D**：《隐含公开》<br>所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极 | 第[0030]段：”...a thin-film transistor (TFT) array 14...”（……薄膜晶体管（TFT）阵列14……）及”...a conductive pad that serves as a pixel input electrode on the TFT array 14...”（……在TFT阵列14上用作像素输入电极的导电焊盘……） | 对比文件明确提到了“TFT阵列”，这必然意味着阵列中的电路包含TFT元件。同时，对比文件也明确提到了位于TFT阵列上、用作传感器电路输入端的“像素输入电极”（conductive pad that serves as a pixel input electrode）。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地推断出，阵列中的每个像素电路（传感器电路）包含至少一个TFT元件和一个像素输入电极。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征E**：《未公开》<br>使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层 | 无相应内容。 | 对比文件虽然提到了压电聚合物层（piezoelectric polymer 22），但未提及任何使该聚合物结晶以形成结晶聚合物层的工艺步骤。结晶是目标专利中形成压电功能层的关键步骤，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征F**：《隐含公开》<br>执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触 | 第[0027]段：”In the context of this document it is recognized that a piezoelectric material may also exhibit pyroelectric properties. Therefore, when the term ‘piezoelectric’ is used herein, it is implied that the material or device may also exhibit pyroelectric properties.”（在本文档的上下文中，认识到压电材料也可能表现出热电特性。因此，当本文中使用术语“压电”时，意味着该材料或器件也可能表现出热电特性。）<br>第[0030]段：”...a layer of piezoelectric polymer 22 that is bonded to or otherwise disposed on a conductive pad that serves as a pixel input electrode on the TFT array 14...”（……一层压电聚合物22，该层结合到或以其他方式布置在TFT阵列14上用作像素输入电极的导电焊盘上……） | 对比文件明确将所述聚合物层称为“压电聚合物层”（piezoelectric polymer 22），并指出其与像素输入电极电连接（disposed on a conductive pad...）。具有压电性的聚合物（如PVDF）通常需要经过极化（成极）工艺才能获得压电性能。本领域技术人员知晓，要获得对比文件所描述的压电聚合物层，必然需要对其执行成极工艺，这包括施加电场使其偶极取向。因此，虽然对比文件未明确描述成极步骤，但“压电层”的存在及其与电极的电接触关系，隐含公开了执行成极工艺以形成压电层并与像素输入电极电接触的技术特征。 |
| **技术特征G**：《直接公开》<br>沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 | 第[0035]段：”An ITO layer, for example, may be included as part of a color filter array 28 and serve as a TCF electrode 26 for the ultrasonic sensors 20a. TCF electrodes 26 for the ultrasonic sensors 20a may also be referred to as a receiver bias electrode.”（例如，ITO层可以作为彩色滤光片阵列28的一部分，并用作超声波传感器20a的TCF电极26。超声波传感器20a的TCF电极26也可以称为接收器偏置电极。）<br>结合附图1，TCF电极26位于压电聚合物层22上方。第[0035]段还提到：“The TCF electrode 26 may be used as a common electrode for the sensors 20 and the display pixel 18.”（TCF电极26可以用作传感器20和显示像素18的公共电极。）作为公共电极，其功能必然包括偏置和控制信号传递。 | 对比文件明确公开了沉积在压电聚合物层22上的透明导电薄膜（TCF）电极26，并明确指出该电极可称为接收器偏置电极（receiver bias electrode）。同时，说明其作为传感器和显示像素的公共电极，这必然包括控制信号向传感器电路（包含TFT元件）传递的功能。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：《隐含公开》<br>其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 | 第[0035]段：”The TCF electrode may be formed from materials such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), FTO (fluorinated tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), PEDOT or poly(3,4-ethylenedioxythiophene), or other conductive materials that are substantially transparent and can be used as electrically conductive films.”（TCF电极可以由诸如ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）、FTO（氟掺杂氧化锡）、GZO（镓掺杂氧化锌）、PEDOT或聚（3,4-乙撑二氧噻吩）等材料形成，或其他基本透明并可用作导电薄膜的导电材料。）<br>虽然此段描述的是TCF电极（接收器偏置电极），但结合第[0030]段描述的“导电焊盘”（conductive pad），本领域技术人员可以合理推断，在TFT阵列上制造的、用于连接传感器电路的像素输入电极，通常也由类似的导电薄膜材料（如金属或ITO）形成。 | 对比文件详细描述了上方的接收器偏置电极由透明导电薄膜（TCF）材料形成。虽然未明确说明下方的像素输入电极的具体构成，但在TFT阵列制造技术中，像素输入电极通常由沉积的导电薄膜图案化形成。因此，根据对比文件公开的整体技术上下文，可以合理推断像素输入电极是由导电薄膜形成的。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：《未公开》<br>其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 | 无相应内容。 | 对比文件全文未提及在涂布聚合物溶液之前或过程中使用助粘剂（如HMDS）的步骤。该技术特征是对制造工艺的具体优化，未被对比文件公开。 |
| **技术特征J**：《未公开》<br>其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 | 无相应内容。 | 对比文件虽然提到了压电聚合物层的存在，但未具体描述其形成方法，更没有列举旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射等任何具体的涂布工艺。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：《直接公开》<br>其中所述聚合物包含铁电聚合物。 | 第[0032]段：”In some implementations, the PVDF or PVDF-TrFE layer may be included over the LCD or OLED display elements.”（在一些实施方案中，PVDF或PVDF-TrFE层可以设置在LCD或OLED显示元件上方。）<br>第[0030]段提到了“piezoelectric polymer 22”。聚偏二氟乙烯（PVDF）及其共聚物（PVDF-TrFE）是公知的铁电聚合物。 | 对比文件明确公开了压电聚合物层可以由PVDF或PVDF-TrFE形成。PVDF及其共聚物是典型的铁电聚合物。因此，“聚合物包含铁电聚合物”这一技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L**：《未公开》<br>其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 | 无相应内容。 | 对比文件未提及聚合物的居里温度、熔点，也未提及通过在上述温度区间内焙烤至少一小时来进行结晶的任何热处理工艺参数。该具体工艺条件未被公开。 |
| **技术特征M**：《未公开》<br>其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 | 无相应内容。 | 对比文件未提及在执行任何极化工艺之前，采用导电材料将像素电路端子短路到接地的保护措施。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：《未公开》<br>其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 | 无相应内容。 | 由于技术特征M未被公开，其从属特征N（具体导电材料类型）自然也未被公开。 |
| **技术特征O**：《未公开》<br>其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 | 无相应内容。 | 对比文件虽然公开了接收器偏置电极（TCF电极26）的存在，并提到其可由ITO等透明导电材料形成，但未提及该电极具有由铜和镍构成的特定多层结构。该具体结构特征未被公开。 |
| **技术特征P**：《未公开》<br>其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 | 无相应内容。 | 对比文件未提及接收器偏置电极的任何具体厚度参数。该具体尺寸特征未被公开。 |
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