对比文件的名称：WO2011112622A1_Description_20260304_2029和目标专利的名称：204具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B以及本次调用的模型名称。
根据目标专利说明书，其核心在于一种制造超声波接收器的方法和设备，其中压电层是通过将含有聚合物的溶液涂布到像素电路阵列上，然后使聚合物结晶并成极而形成的，该压电层与像素输入电极直接电接触。以下将依据目标专利权利要求的技术特征划分，逐项与对比文件WO2011112622A1进行比对。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A**：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | [0016]段：“The acoustic detector array 55 may be constructed with standard thin film transistor (TFT) techniques ... Such an assembly may be used as the ultrasonic detector array 55, and may be sensitive to and produce signals in response to pressure waves impinging on the detector array 55.” <br> [0022]段：“Upon contacting the detector 55, the reflected energy may be detected by one of the hydrophones of the hydrophone array 54...” | 对比文件明确公开了超声波检测器阵列55，其用于检测从压板51上的物体（如手指）反射回来的超声波能量（即压力波）。该检测器阵列在系统中起到接收反射超声波信号的作用，与目标专利中超声波接收器用于检测超声波能量的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了该技术特征。 |
| **B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》 | [0017]段：“The acoustic detector array 55 may be constructed with standard thin film transistor (TFT) techniques by applying an array of TFT elements 100 to an insulating substrate 110...” | 对比文件明确教导了检测器阵列55是通过将TFT元件100的阵列应用于绝缘衬底110上来构建的。这里的“array of TFT elements”即对应于像素电路的阵列，且其安置在衬底上。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》 | 对比文件[0017]段描述了“applying an electrode array 90 ... Over the electrode array 90, a piezoelectric film 80 may be applied...”。未明确记载“将含有聚合物的溶液涂布”这一具体制造步骤。 | 对比文件仅提及“应用 (applying)”压电薄膜80，但未具体公开其形成方法。本领域技术人员无法从“applying”一词毫无疑义地、必然地推导出该压电薄膜是通过“涂布含有聚合物的溶液”这一特定工艺形成的。它可能是通过层压预制薄膜、溅射或其他方式形成。因此，该技术特征既未被直接公开，也无法从对比文件的内容中合理推断出来（即未被隐含公开）。 |
| **D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《直接公开》 | [0017]段：“...by applying an array of TFT elements 100 to an insulating substrate 110, then applying an electrode array 90 that is in electrical contact with the inputs of the TFT elements 100.” | 对比文件明确公开了阵列包含TFT元件100，并且应用了与TFT元件100的输入电接触的电极阵列90。该电极阵列90中的每个电极对应于一个像素的输入电极，其作用与目标专利中“像素输入电极”相同，都是将压电层产生的电荷耦合至像素电路。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》 | 对比文件未提及任何关于使聚合物结晶的工艺步骤。 | 对比文件仅提及压电薄膜80可以是聚合物（如PVDF或其共聚物），但完全没有描述其制造过程，更没有涉及“结晶”这一特定步骤。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中合理推断出必然包含使聚合物结晶以形成结晶层的步骤。因此，该技术特征未被公开。 |
| **F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《隐含公开》 | [0007]段：“The piezoelectric film may be a polymeric or ceramic film exhibiting ferroelectric or piezoelectric properties. For example, the piezoelectric film may be PVDF, PVDF-TrFE copolymer...” <br> [0017]段：“Over the electrode array 90, a piezoelectric film 80 may be applied and a continuous electrode 70 may be over-coated on the piezoelectric film 80.” | 对比文件公开了压电薄膜80是铁电/压电聚合物（如PVDF-TrFE），并且位于电极阵列90（即像素输入电极）之上。对于铁电聚合物薄膜（如PVDF-TrFE）而言，要使其表现出压电性，必须经过“成极（poling）”工艺，即施加高电场使其偶极子定向排列，这是本领域的公知常识。对比文件虽未明确描述成极步骤，但既然公开了具有压电性的聚合物薄膜，本领域技术人员为了实现其压电功能，必然会实施成极工艺。同时，压电薄膜80被应用在电极阵列90上，自然与电极阵列90（即像素输入电极）形成电接触。因此，可以合理推断出该技术特征。 |
| **G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《直接公开》 | [0017]段：“...a continuous electrode 70 may be over-coated on the piezoelectric film 80.” <br> [0022]段：“...but is ignored by the computer 120 since this energy has not been reflected by the biological object...” (结合上下文，需要通过偏置来控制接收有效反射信号的时间窗口) | 对比文件明确公开了在压电薄膜80上涂覆了连续电极70。该电极70覆盖整个压电层，其作用相当于接收器偏置电极。从系统工作原理（[0022]段）可知，需要区分直接来自发生器的能量和从物体反射的能量，这通常通过控制偏置电压的时序（即“距离门控”）来实现，从而控制哪些信号被传递和处理。因此，连续电极70被配置用于控制信号传递至TFT元件的作用与目标专利相同。该技术特征被直接公开。 |
| **H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《隐含公开》 | [0017]段：“...then applying an electrode array 90 that is in electrical contact with the inputs of the TFT elements 100.” | 对比文件指出应用了“电极阵列90”，但未明确其具体构成形式。然而，在TFT阵列制造领域，与TFT元件输入电连接的电极通常由沉积的导电薄膜（如ITO、金属等）图案化形成，这是本领域的常规技术手段。本领域技术人员基于公知常识，可以合理推断出该电极阵列90是由导电薄膜形成的。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及在形成压电层之前或过程中使用助粘剂。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中推断出这一具体工艺步骤。 |
| **J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未描述压电薄膜80的具体涂布方法。虽然“applying”一词可以涵盖多种方式，但无法确定具体是旋涂、槽缝式涂布等中的哪一种或哪几种。本领域技术人员无法从对比文件中必然得出这些具体涂布方式。 |
| **K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | [0007]段：“The piezoelectric film may be a polymeric or ceramic film exhibiting ferroelectric or piezoelectric properties. For example, the piezoelectric film may be PVDF, PVDF-TrFE copolymer, or PVDF-TFE copolymer.” | 对比文件明确列举了压电薄膜可以是PVDF、PVDF-TrFE共聚物等，这些材料均是典型的铁电聚合物。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及聚合物的居里温度、熔点，也未提及任何通过焙烤使聚合物结晶的工艺条件。 |
| **M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及在执行成极工艺（虽然该工艺是隐含的）之前，有施加导电材料将像素电路端子短路的步骤。 |
| **N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及任何用于短路的具体导电材料。 |
| **O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | [0017]段仅提及“continuous electrode 70”，未说明其具体材料或层状结构。 | 对比文件未公开接收器偏置电极（连续电极70）具有包含铜和镍子层的多层结构。 |
| **P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开接收器偏置电极的任何具体厚度参数。 |
<<<A>>><<<B>>><<<D>>><<<G>>><<<K>>><<<f>>><<<h>>>