好的，作为资深专利代理师，我将对您提供的对比文件与目标专利进行深入的创造性评估。本次评估严格遵循您提供的目标专利权利要求的技术特征划分。
**对比文件名称**：2015-07-08_CN104769718A_发明公开_CN104769718A 共享扩散标准单元架构
**目标专利名称**：232共享扩散标准单元架构CN104769718B
**模型名称**：深度求索
根据对比文件说明书及附图内容，与目标专利权利要求的技术特征进行比对分析如下：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的N型扩散区域《直接公开》 | [0022] 如图2所示，扩散区域202延伸超出单元边界(边缘)210……下(n型)扩散区域202。 | 对比文件图2及说明书[0022]段明确公开了扩散区域202延伸超出单元边界，并且指出了该扩散区域包括下（n型）扩散区域。该特征在对比文件中的作用与本专利相同，都是为了使扩散区域在单元间共享，以改善边缘器件性能。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了技术特征A。 |
| **技术特征B**：跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的P型扩散区域《直接公开》 | [0022] 如图2所示，扩散区域202延伸超出单元边界(边缘)210……上(p型)扩散区域202。 | 对比文件图2及说明书[0022]段明确公开了扩散区域202延伸超出单元边界，并且指出了该扩散区域包括上（p型）扩散区域。该特征在对比文件中的作用与本专利相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了技术特征B。 |
| **技术特征C**：在每个扩散区域之上的至少一个导电栅极，以创建半导体器件《直接公开》 | [0022] 单元200包括……多晶线栅极206……。 [0006] 该单元还包括在每个扩散区域之上的多晶线，以创建半导体器件。 | 对比文件说明书[0022]段及附图2明确示出了在多晶硅（导电材料）栅极（206），并且[0006]段概述了其作用是在扩散区域之上创建半导体器件。虽然对比文件有时使用“多晶线”而目标专利使用“导电栅极”，但本领域技术人员知晓多晶线是导电栅极的一种常见实现形式。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征D**：虚设栅极对，每个虚设栅极布置在所述N型扩散区域和所述P型扩散区域之上以至少创建虚设器件对，该对虚设栅极布置在所述单元的相对的边缘处《直接公开》 | [0022] 单元200包括……经结扎(tie-off)的虚设栅极208、未结扎的虚设栅极218……。 [0023] 此外，虚设栅极208和218被界定在单元边界210上……。 [0022] 经结扎的虚设栅极208和上(p型)扩散区域202的交叉形成第一虚设器件，而经结扎的虚设栅极208和下(n型)扩散区域202的交叉形成第二虚设器件。 | 对比文件图2明确示出了位于单元左右边缘的两个虚设栅极208和218。说明书[0022]段明确指出虚设栅极（如208）与P型和N型扩散区域交叉形成虚设器件对。因此，对比文件公开了一对布置在单元相对边缘的虚设栅极，每个虚设栅极都位于P型和N型扩散区域之上，并形成虚设器件。该特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：以及至少一个第一导线，所述至少一个第一导线被配置成将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到供电源以禁用所述至少一个虚设器件，《直接公开》 | [0022] 单元200包括……栅极结扎(导线)214。 [0024] …虚设栅极208可以用栅极结扎(导线)214来结扎(例如，截止/停用)。更具体而言，虚设栅极208用一条结扎线214耦合至电源(PWR)……。 | 对比文件明确公开了“栅极结扎（导线）214”，并说明其作用是将虚设栅极208耦合至电源（PWR）以对其进行结扎/停用（截止）。这完全对应于目标专利中“第一导线”耦合至供电源以禁用虚设器件的技术特征。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征F**：其中所述供电源在所述单元的一侧上，《直接公开》 | [0022] 单元200可以被称作一指单元并且通常在单元200一侧上具有供电源。 [0024] 在单元200的一侧上提供电源(PWR)和接地源(GND)。 | 对比文件说明书[0022]和[0024]段明确指出了供电源（PWR）位于单元的一侧上。该描述与目标专利特征F完全相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征G**：其中耦合到所述至少一个第一导线的所述至少一个虚设器件布置在所述单元的仅一个边缘上，《直接公开》 | [0024] …在一指单元架构中(诸如单元200)，因为电源仅在该单元的一侧上可用，因此栅极结扎214被放置在该单元的一个边缘上。例如，如图2所示，栅极结扎214放置在单元200的左边缘上。 | 对比文件结合图2和说明书[0024]段的描述明确指出，在“一指单元”（即电源在单侧）中，被结扎的虚设栅极（即耦合到导线的虚设器件）仅布置在单元的一个边缘（左边缘）上。这与特征G的描述完全一致。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：并且在所述单元的所述边缘的相对边缘上的至少一个虚设器件不耦合至在所述单元的所述一侧上的所述供电源。《直接公开》 | 图2及上下文：图2明确示出单元200右边缘的虚设栅极218未被任何导线结扎。结合[0024]段关于电源仅在左侧的描述，可明确推知右侧虚设栅极218未耦合到该侧的电源。 | 对比文件图2清楚显示了位于与结扎边缘（左）相对边缘（右）的虚设栅极218没有连接结扎导线。结合说明书关于电源单侧提供的上下文，本领域技术人员能够毫无疑义地确定该相对边缘上的虚设器件（218）没有耦合到该侧的供电源。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个第一导线与所述至少一个虚设器件的虚设栅极以及限定在所述至少一个导电栅极与所述至少一个虚设器件的虚设栅极之间的扩散区域部分接触。《直接公开》 | [0022] 栅极结扎214与经结扎的虚设栅极208以及限定在多晶线栅极206与经结扎的虚设栅极208之间的那部分扩散区域202两者接触。 | 对比文件说明书[0022]段的描述与目标专利特征I的文字表述几乎完全一致，明确公开了导线（栅极结扎214）同时接触虚设栅极（208）以及位于有效栅极（206）与该虚设栅极（208）之间的扩散区域部分。该接触结构的作用是确保电连接和结扎。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个导电栅极包括在每个扩散区域之上的多个导电栅极《隐含公开》 | 图2仅示出一个多晶线栅极206。然而，说明书[0006]及权利要求中均提及“在每个扩散区域之上的多晶线（复数）”以创建半导体器件。标准单元通常包含多个晶体管以实现逻辑功能。 | 虽然对比文件实施例图2为简化示意可能只画出了一个有效栅极（206），但其文字部分（[0006]）使用了复数形式的“多晶线”，且本领域技术人员公知，一个功能性的标准单元（如反相器、与非门等）必然需要在P区和N区扩散上分别布置至少一个有效栅极以形成PMOS和NMOS晶体管，这实际上构成了“多个导电栅极”。因此，本领域技术人员从对比文件公开的内容中能够合理推断出技术特征J。 |
| **技术特征K**：并且所述单元进一步包括布置在所述多个导电栅极之间的输出接头。《隐含公开》 | [0022] 单元200包括扩散区域202、输出接头(tab)204、多晶线栅极206……。 图2示出了输出接头204位于多晶线栅极206附近。 | 对比文件图2和[0022]段明确记载了单元包含“输出接头(tab)204”。输出接头是标准单元中用于连接内部器件与外部金属线的常见结构。当单元包含多个有效导电栅极时，输出接头必然需要与这些栅极定义的晶体管连接，其物理位置通常位于这些栅极之间或附近以实现连接。因此，基于对比文件公开的输出接头存在以及标准单元的常规设计，本领域技术人员能够合理推断出该输出接头是布置在多个导电栅极之间的。 |
| **技术特征L**：其特征在于，每个虚设栅极包括经切割的虚设栅极对，每个经切割的虚设栅极或是与所述P型扩散区域相关联或是与所述N型扩散区域相关联。《隐含公开》 | [0024] 因为多晶线切割掩模212把该单元(包括虚设栅极208)分成PMOS区和NMOS区，因此虚设栅极208耦合至电源(PWR)和接地(GND)二者。 | 对比文件明确提到了“多晶线切割掩模212”将单元（包括虚设栅极）分割成PMOS区和NMOS区。这意味着一个连续的虚设栅极材料层被切割成至少两部分，分别位于P型扩散区之上和N型扩散区之上，即形成了与P型扩散区域相关联的部分和与N型扩散区域相关联的部分。这实质上公开了“经切割的虚设栅极对”的技术思想。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，每个经切割的虚设栅极形成P型虚设器件或N型虚设器件的一部分。《直接公开》 | [0022] 经结扎的虚设栅极208和上(p型)扩散区域202的交叉形成第一虚设器件，而经结扎的虚设栅极208和下(n型)扩散区域202的交叉形成第二虚设器件。 | 对比文件[0022]段明确描述了虚设栅极208与P型扩散区域交叉形成（P型）虚设器件，与N型扩散区域交叉形成（N型）虚设器件。这直接公开了经切割的虚设栅极（或虚设栅极的相应部分）分别形成P型或N型虚设器件的一部分。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括至少一个第二导线，所述至少一个第二导线被配置将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到接地，以禁用所述至少一个虚设器件。《直接公开》 | [0024] 更具体而言，虚设栅极208用一条结扎线214耦合至电源(PWR)并且用另一条结扎线214耦合至接地(GND)。 | 对比文件[0024]段明确指出，用于禁用虚设器件的结扎线（即导线）不仅连接到电源(PWR)，还连接到接地(GND)。连接到接地的这条导线即对应于目标专利中的“至少一个第二导线”，其作用同样是耦合到接地以帮助禁用一个虚设器件（具体是其中的NMOS部分）。因此，该特征被直接公开。 |
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