对比文件名称：2003-02-18_US6520821B_发明授权_US06520821B1 Device package and device encapsulation method
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件包括具有至少一个单元、接触区和封装的衬底（直接公开） | “如图1A所示，由ITO膜形成的阳极2和阴极4a、有机EL器件3、以及金属阴极4b依次形成在衬底1上。”（来源于【第一实施例】）；“一个由与衬底1相同材料制成的盒状或圆顶状封装帽5，具有一个开放表面，放置在衬底1上，其端面与衬底1通过超声焊接焊接。”（来源于【第一实施例】） | 对比文件公开了器件包括衬底（1）、有机EL器件（3）作为单元、阳极（2）和阴极（4a）作为接触区、以及封装帽（5）作为封装，因此直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：封装包括薄膜且薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝（未公开） | “衬底1的材料为非晶热塑性树脂，例如AS树脂、ABS树脂、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸、聚碳酸酯、聚甲醛等。”（来源于【第一实施例】）封装帽5与衬底材料相同。 | 对比文件中的封装为树脂帽，非薄膜，且未提及氮化硅、碳化硅或氧化铝等材料，因此未公开。 |
| 技术特征C：封装封装至少接触区（直接公开） | “封装帽5的端面与阳极2和阴极4a的表面接触。”（来源于【第一实施例】对图2的描述） | 对比文件中的封装帽覆盖接触区（阳极、阴极），因此封装封装了至少接触区，直接公开。 |
| 技术特征D：将导体设置在封装上（未公开） | 无相关公开内容。 | 对比文件未记载将导体设置在封装上的步骤。 |
| 技术特征E：在不事先移除封装的情况下将导体与接触区互连（未公开） | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开导体与接触区的互连步骤。 |
| 技术特征F：互连包括超声焊接（未公开） | “其端面与衬底1通过超声焊接焊接。”（来源于【第一实施例】） | 对比文件中的超声焊接用于封装帽与衬底的焊接，而非导体与接触区的互连，因此未公开。 |
| 技术特征G：导体包括金属线（未公开） | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开设置在封装上的金属线导体。 |
| 技术特征H：金属线扁平且/或包含铜铝银（未公开） | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开金属线的形状和材料。 |
| 技术特征I：接触区用作用于单元的电极（直接公开） | “阳极2和阴极4a用作外部连接的电极线。”（来源于【第一实施例】）；“直流恒流电源通过用作电极线的阳极2和阴极4a连接到有机EL器件。”（来源于【第一实施例】） | 对比文件明确公开接触区（阳极、阴极）用作有机EL器件的电极，直接公开。 |
| 技术特征J：封装封装至少接触区和至少一个单元（直接公开） | “一个由与衬底1相同材料制成的盒状或圆顶状封装帽5，具有一个开放表面，放置在衬底1上，其端面与衬底1通过超声焊接焊接。”（来源于【第一实施例】）该封装帽覆盖了有机EL器件和部分电极。 | 对比文件中的封装帽封装了有机EL器件（单元）和部分接触区（电极），因此直接公开。 |
| 技术特征K：超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间（未公开） | “磨削频率设置为15kHz。”（来源于【第一实施例】） | 对比文件中的超声焊接频率15kHz虽在10-80kHz范围内，但该超声焊接用于封装帽焊接，与导体互连的作用不同，且未公开用于导体互连的超声焊接频率，因此未公开。 |
| 技术特征L：超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间（未公开） | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开该频率范围。 |
| 技术特征M：超声焊接工作于35kHz（未公开） | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开35kHz。 |
| 技术特征N：通过权利要求1-9方法得到的OLED（未公开） | 对比文件公开了通过其封装方法得到的有机EL器件。 | 对比文件未公开通过权利要求1-9方法得到的OLED。 |
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