对比文件名称：2003-05-22_US2003094691A_发明申请_US20030094691A1 ENCAPSULATION OF ELECTRONIC DEVICES
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2） **《直接公开》** | [0003]：“OLED器件100包括一个或多个有机功能层110，位于第一和第二电极之间。焊盘150，与第一和第二电极耦合，用于提供到OLED单元的电连接。帽盖160封装该器件。”<br>[0013]：“提供衬底，在其上形成一个或多个OLED单元。” | 对比文件明确公开了OLED器件包括衬底（substrate）、OLED单元（至少一个单元）、焊盘（bond pads，即接触区）以及帽盖（cap，即封装）。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝 **《未公开》** | [0031]：“帽盖层660包括例如金属或玻璃。其他类型的保护有源组件免受环境影响的帽盖，例如陶瓷或金属化箔，也是有用的。” | 对比文件的封装是帽盖（cap），并非薄膜，且帽盖材料为金属、玻璃、陶瓷或金属化箔，未提及氮化硅、碳化硅或氧化铝。既未直接公开也未隐含公开薄膜封装及其特定材料。 |
| **技术特征C**：其中所述封装（5）封装至少接触区（4） **《未公开》** | [0003]：“帽盖160封装该器件。”<br>[0034]：“形成焊盘650以提供到OLED单元的电接入。” | 对比文件虽提及帽盖封装器件，但未明确封装接触区；且根据[0034]焊盘在帽盖安装后形成，暗示焊盘未被封装，以便电连接。因此未公开本特征。 |
| **技术特征D**：将导体（6）设置在封装（5）上 **《未公开》** | 对比文件未描述将导体设置在封装上。所有导体（如焊盘、电极）均设置在衬底上，而非帽盖上。 | 对比文件完全没有公开将导体设置在任何封装上的步骤或结构，故未公开。 |
| **技术特征E**：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连 **《未公开》** | 对比文件未提及通过封装互连导体与接触区，也未提及不事先移除封装。 | 对比文件没有任何关于导体与接触区互连方式的描述，尤其没有不事先移除封装的情况，故未公开。 |
| **技术特征F**：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接 **《未公开》** | [0032]：“其他技术……如超声焊接……也可用于安装帽盖层。” | 对比文件中的超声焊接用于安装帽盖，而非用于连接导体到接触区。用途不同，且未暗示可用于导体互连，故未公开。 |
| **技术特征G**：其中所述导体（6）包括金属线 **《未公开》** | 对比文件提及的导体为焊盘（bond pads），未提及金属线。 | 对比文件未公开将金属线作为导体，导体为焊盘形态，故未公开。 |
| **技术特征H**：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银 **《未公开》** | 对比文件未提及扁平金属线，也未明确导体材料为铜、铝或银。 | 对比文件未公开金属线的形状或具体材料，故未公开。 |
| **技术特征I**：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极 **《未公开》** | [0003]：“焊盘150，与第一和第二电极耦合，用于提供到OLED单元的电连接。” | 对比文件中的焊盘是电连接到电极的端子，而非直接作为电极使用。目标专利的接触区本身是电极（如ITO或金属），作用不完全相同，故未公开。 |
| **技术特征J**：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3） **《未公开》** | 同特征C。 | 对比文件未明确封装同时覆盖接触区和单元，且焊盘可能暴露，故未公开。 |
| **技术特征K**：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间 **《未公开》** | [0032]提到超声焊接，但未公开任何频率。 | 对比文件未公开超声焊接的频率范围，故未公开。 |
| **技术特征L**：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间 **《未公开》** | 同上。 | 未公开。 |
| **技术特征M**：其中所述超声焊接工作于35kHz **《未公开》** | 同上。 | 未公开。 |
| **技术特征N**：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1） **《未公开》** | 对比文件公开了OLED器件，但未公开通过权利要求1-9的方法获得。 | 对比文件未公开该产品由特定方法（包括超声焊接通过薄膜封装互连导体）得到，故未公开。 |
根据上述比对，对比文件仅直接公开了技术特征A，其他技术特征均未被直接公开或隐含公开。
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