对比文件名称：2007-03-22_JP2007073353A_发明专利_JP2007073353A Method for manufacturing organic electroluminescence element
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：大语言模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）——《直接公开》 | 对比文件说明书（图1a、1b）：“有机EL元件10包括基板1上形成的第1电极2、第1电极2上形成的包含发光层的有机层3、以及有机层3上形成的第2电极4，并且进一步，以覆盖第1电极2、包含发光层的有机层3、以及第2电极4的整个表面的方式形成有封止膜5。”以及“叠层膜6形成为包括发光部7和端子电极部8。” | 对比文件公开了有机EL元件具有基板（衬底）、包含发光层的有机层（至少一个单元）、端子电极部（接触区）以及封止膜（封装），且封止膜覆盖整个叠层膜，因此直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝——《直接公开》 | 对比文件说明书：“封止膜5使用公知的封止膜材料，例如氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、碳化硅等。优选使用氮化硅。” | 对比文件公开了封止膜包含氮化硅或碳化硅，而目标专利的薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝，对比文件公开了氮化硅和碳化硅，因此直接公开了技术特征B。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）——《直接公开》 | 对比文件说明书：“以覆盖叠层膜6整体的方式形成封止膜5。”以及“叠层膜6包括发光部7和端子电极部8。” | 对比文件公开了封止膜覆盖整个叠层膜，包括端子电极部（接触区），因此直接公开了封装封装至少接触区。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上——《未公开》 | 对比文件没有公开将导体设置在封装上的步骤。对比文件的方法包括在封止膜上放置金属掩模，然后进行干法蚀刻以去除开口部分的封止膜，暴露端子电极部，之后在暴露的端子电极部上连接外部配线（导体），但不是在封装上设置导体。 | 对比文件的方法中，导体（配线）是在封止膜被部分去除后连接在暴露的端子电极部上，而不是设置在封止膜上。因此，对比文件未公开技术特征D。本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得出将导体设置在封装上的步骤。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连——《未公开》 | 对比文件说明书：“通过干法蚀刻，封止膜5中与端子电极部8对应的部分被去除，端子电极部8露出。” | 对比文件明确教导了在连接导体之前先移除封装（通过蚀刻），与目标专利的“在不事先移除导体与接触区之间的封装的情况下将导体与接触区互连”相反。因此，对比文件未公开技术特征E。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接——《未公开》 | 对比文件未提及超声焊接，整个方法中没有超声焊接步骤。 | 对比文件没有公开任何关于超声焊接的内容，本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得出使用超声焊接进行互连。因此，技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线——《隐含公开》 | 对比文件说明书：“端子电极部8是用于连接外部电源的配线的部分。” | 虽然对比文件未明确说明导体包括金属线，但本领域技术人员根据常识可知，外部电源的配线通常由金属线构成。因此，对比文件隐含公开了导体包括金属线这一技术特征。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银——《未公开》 | 对比文件未提及金属线的形状（扁平）或具体材料（铜、铝、银）。 | 对比文件没有公开任何关于金属线扁平形状或包含铜、铝、银的信息，本领域技术人员不能从对比文件合理推断出这些具体特征。因此，技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极——《直接公开》 | 对比文件说明书：“端子电极部8是用于向第1电极2和第2电极4供给直流电压而连接外部电源的配线的部分。” | 对比文件公开了端子电极部（接触区）作为向电极供电的接触部分，相当于用作用于单元的电极的接触区。因此直接公开了技术特征I。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）——《直接公开》 | 对比文件说明书：“以覆盖叠层膜6整体的方式形成封止膜5。”叠层膜6包括发光部7和端子电极部8。 | 对比文件公开了封止膜覆盖叠层膜整体，即同时封装了发光部（单元）和端子电极部（接触区），因此直接公开了技术特征J。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间——《未公开》 | 对比文件未涉及超声焊接，更未提及频率范围。 | 对比文件没有公开任何超声焊接相关信息，因此技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间——《未公开》 | 同上 | 同上 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz——《未公开》 | 同上 | 同上 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）——《未公开》 | 对比文件制造了有机EL元件，但方法不同。 | 对比文件的方法是通过干法蚀刻暴露端子电极部，然后连接配线，并非通过目标专利权利要求1-9的方法（包括将导体设置在封装上并通过超声焊接互连）。因此，对比文件未公开能够通过目标专利方法得到的OLED。技术特征N未被公开。 |
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