对比文件名称：2007-03-22_US2007065962A_发明申请_US20070065962A1 MANUFACTURING OF OPTOELECTRONIC DEVICES
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，附段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）《隐含公开》 | [0014]：“在图1A中，分层结构100可以形成有，除其他层外，基板102、底电极层104、一个或多个有源层106和顶电极层108。” [0015]：“附加的可选层，这里未示出，可以存在于器件100中；这些层可以是氧和/或湿气阻挡层、光输入/输出耦合层、通常的表面钝化层等。” | 对比文件公开了器件包括衬底（102）、由有源层和电极构成的单元以及接触区（电极部分）。此外，对比文件指出器件可以包括氧/湿气阻挡层作为可选层，这些阻挡层实质上起到封装作用，防止水汽渗透。因此，本领域技术人员可以合理推断出器件包括封装，从而隐含公开了该特征。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝《隐含公开》 | [0019]：“封装层还可以包括氮化物、氧化物、氮氧化物或其他无机材料。” | 对比文件公开了封装层可包含氮化物（如氮化硅）和氧化物（如氧化铝），这些材料与目标专利的氮化硅、氧化铝对应。虽然未明确提及碳化硅，但“其他无机材料”可包括碳化硅，且本领域技术人员知道碳化硅也用作阻挡层材料。因此，隐含公开了薄膜包含所述材料。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）《隐含公开》 | [0019]：“两个或多个器件段101A、101B可以组装成模块，例如通过将它们层压在封装材料层之间。” | 当器件段组装成模块时，封装材料层覆盖整个器件段，包括接触区（电极部分）。因此，对比文件隐含公开了封装至少封装接触区。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上《未公开》 | [0018]：“各个器件段101A、101B可以串联电连接，例如通过用导电通路112将一个器件段101A的底电极层部分104A电连接到另一个器件段101B的顶电极层部分108B，导电通路例如金属带、线、网格、印刷导电油墨等。” | 对比文件明确教导将导体直接连接在电极部分上，而不是设置在封装上。没有记载将导体设置在封装上的内容，因此该特征未公开。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连。《未公开》 | 同上[0018]及[0016]等，未涉及穿透封装。 | 对比文件中的连接方式要求导体直接与电极接触，没有封装阻隔。所有连接都在电极暴露后进行，不存在不事先移除封装而互连的情况。因此，该特征未公开。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接。《未公开》 | [0018]：“导电通路112通常可以通过例如导电粘合剂、焊接、激光焊接等方式键合到顶电极部分108B和底电极部分104A。” | 对比文件明确列出了多种连接方式，但未包括超声焊接。因此，该特征未公开。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线。《直接公开》 | [0018]：“导电通路112，例如金属带、线、网格、印刷导电油墨等。” | 对比文件明确列举了“线”（wires），因此直接公开了导体包括金属线。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银。《直接公开》 | [0018]：“金属带”（metal tapes）。[0024]：“金属例如钼、铝、铜”用于导电材料。 | 对比文件公开了“金属带”，其截面为扁平状，因此直接公开了金属线是扁平的。由于特征H为“扁平的和/或包含铜、铝或银”，其中的“扁平”已被公开，故特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极。《直接公开》 | [0014]：“底电极层104、顶电极层108”。 | 对比文件中的底电极层和顶电极层即为器件的电极，用于向有源层提供电力，因此接触区（电极部分）用作单元的电极，直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）。《隐含公开》 | [0019]：“两个或多个器件段101A、101B可以组装成模块，例如通过将它们层压在封装材料层之间。” | 在模块组装时，封装材料层覆盖整个器件段，包括单元（有源层和电极）和接触区（电极部分），因此隐含公开了封装封装至少接触区和单元。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间。《未公开》 | 对比文件全文未提及超声焊接。 | 无相关公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间。《未公开》 | 同上。 | 无相关公开。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz。《未公开》 | 同上。 | 无相关公开。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）。《未公开》 | 对比文件[0031]提及OLED，但制造方法不同。 | 对比文件所述方法不包括超声焊接穿透封装等步骤，因此未公开通过所述方法得到的OLED。 |
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