对比文件名称：2004-09-14_US6790757B_发明授权_US06790757B1 Wire bonding method for copper interconnects in semiconductor devices
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：AI
以下是根据目标专利权利要求的技术特征进行的特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译自英文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）<br>**《直接公开》** | 图5a及相关描述：“衬底52可以包括其中形成有器件的半导体衬底。衬底52还可以包括多层互连结构……焊盘50使用金属（例如Cu）互连形成在衬底52上作为键合焊盘。然后，钽的钝化层54沉积在衬底52上，封装铜互连。”（原文：Substrate 52 may comprise a semiconductor substrate having devices formed therein. … Bonding Pad 50 is formed on a Substrate 52 using metal (e.g., Cu) interconnect as the bonding pad. A passivation layer (54) of Ta is then deposited onto Substrate 52, encapsulating the Cu interconnect.） | 对比文件明确公开了衬底（Substrate 52）、至少一个单元（形成在衬底中的器件）、接触区（Bonding Pad 50）以及封装（钝化层54），结构上与目标专利的器件构成相同，本领域技术人员可以毫无疑义地确定该技术特征已被公开。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝<br>**《不公开》** | 对比文件全文记载封装材料为钽（Ta）或钽层，未提及氮化硅、碳化硅或氧化铝。（例如：“A passivation layer (54) of Ta is then deposited onto Substrate 52” “Ta layer is deposited onto the substrate”） | 对比文件中的封装材料为钽，与目标专利要求的氮化硅、碳化硅或氧化铝完全不同，且对比文件未给出任何关于使用这些材料的启示或暗示，本领域技术人员无法从对比文件得出该技术特征。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）<br>**《直接公开》** | 图5a及相关描述：“然后，钽的钝化层54沉积在衬底52上，封装铜互连。”以及步骤404：“对Ta层进行图案化和蚀刻以封装Cu焊盘。”（原文：A passivation layer (54) of Ta is then deposited onto Substrate 52, encapsulating the Cu interconnect. Step 404: “The Ta layer is then patterned and etched to encapsulate the Cu bond pad.”） | 对比文件明确记载钝化层封装了铜互连（即接触区），直接公开了封装至少覆盖接触区。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上<br>**《直接公开》** | 图3b及相关描述：“铝线30与衬底34之间的楔形键合36在负载或超声激励下形成。”以及图5b：“铝线56与钽钝化层54在接触点形成键合58。”（原文：FIGS. 3(b): “a wedge bond 36 between the Al wire 30 and the substrate 34 is formed under load or ultrasonic excitation.” FIG. 5(b): “A bond 58 is formed at the point of contact between Al Wire 56 and Bonding Pad 50 overlaying Substrate 52. … Al Wire 56 and Passivation Layer 54 of Ta forms an TaAl3 intermetallic compound.”） | 对比文件公开了将导体（铝线）设置在封装（钝化层）上，并通过键合实现连接，即导体直接接触封装表面。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连<br>**《直接公开》** | 图3b及相关描述：“楔形键合36不是直接形成在Cu互连31的表面上，而是形成在Ta钝化层32中，该层封装了Cu互连31。”以及发明概述：“根据本发明，钝化层被形成以封装互连材料，使得导线与钝化层键合，而不是与互连材料键合。”（原文：FIGS. 3(b) “the wedge bond 36 is not directly formed on the surface of the Cu interconnect 31. Instead, the wedge bond 36 is formed in the Ta passivation layer 32, which encapsulates the Cu interconnect 31.” Summary: “A passivation layer is formed to encapsulate the interconnect material such that the wire bonds with the passivation layer, not with the interconnect material.”） | 对比文件明确教导导体与接触区互连时，不事先移除它们之间的封装（钝化层），而是直接键合在钝化层上，通过钝化层实现电连接，完全符合该特征。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接<br>**《直接公开》** | 图3b及相关描述：“楔形键合在负载或超声激励下形成。”以及图2d说明：“键合可以通过同时施加垂直负载或超声激励金线来完成。”（原文：FIGS. 3(b) “a wedge bond … is formed under load or ultrasonic excitation.” FIGS. 2(d) “bonding can be accomplished by simultaneously applying a vertical load or ultrasonically exciting the gold wire.”） | 对比文件明确使用超声激励（即超声焊接）来进行导体与接触区的互连，直接公开了该技术特征。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线<br>**《直接公开》** | 全文多处使用“wire”指代导体，例如：“Al wire”（铝线）、“gold wire”（金线）、“Al-coated gold wire”（铝包金线）。（例如：FIG. 3(a) “the wire 30 used in this wedge bonding process is an Al wire.”） | 对比文件中的导体均为金属线（铝线、金线等），直接公开了导体包括金属线。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银<br>**《直接公开》** | 对比文件使用铝线（Al wire）作为键合线，例如：“Al wire”或“aluminum wire”。（例如：FIG. 3(a) “the wire 30 used in this wedge bonding process is an Al wire.”） | 铝线包含铝，满足“包含铜、铝或银”的选项。虽然对比文件未明确提及“扁平”形状，但“和/或”为选择性要件，因此公开了包含铝的金属线，直接公开该技术特征。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极<br>**《直接公开》** | 图5a及相关描述：“焊盘50使用金属（例如Cu）互连形成在衬底52上作为键合焊盘。”以及“该焊盘用于连接形成在衬底中的器件，提供电连接。”（原文：Bonding Pad 50 is formed on a Substrate 52 using metal (e.g., Cu) interconnect as the bonding pad. “Substrate 52 may comprise a semiconductor substrate having devices formed therein.”） | 接触区（焊盘）作为电极用于电连接器件（单元），对比文件明确其作用，直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）<br>**《不公开》** | 对比文件记载钝化层封装铜互连（接触区），但未提及封装单元（器件）。例如：“封装铜互连”或“图案化以封装Cu焊盘”。（Step 404: “The Ta layer is then patterned and etched to encapsulate the Cu bond pad.”） | 对比文件中的钝化层仅明确覆盖接触区，未教导或暗示覆盖单元区域。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出封装同时覆盖接触区和单元，因此不公开。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间<br>**《不公开》** | 对比文件仅提及“超声激励”（ultrasonic excitation），未公开任何具体频率数值。 | 对比文件未记载超声焊接的工作频率范围，本领域技术人员无法得知该特征，不公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间<br>**《不公开》** | 对比文件未公开超声焊接频率。 | 同特征K，无频率信息，不公开。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz<br>**《不公开》** | 对比文件未公开超声焊接频率。 | 同特征K，无频率信息，不公开。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）<br>**《不公开》** | 对比文件涉及半导体器件和集成电路，未提及OLED器件。 | 对比文件的技术领域和产品类型均与OLED不同，且未提供任何关于OLED的教导，因此不公开。 |
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征A、C、D、E、F、G、H、I。
在回答结尾插入对应的大写英文代码。
<<<A>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>>