对比文件名称：2003-11-28_JP2003338514A_发明专利_JP2003338514A Structure and method of ultrasonic bonding, and electronic component using the same and method of manufacturing the electronic component
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：deepseek-reasoning
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）——未公开 | 【0022】“压电基板1上形成交叉指状电极2及配线电极3，……焊盘电极5”；【0021】“压电基板上形成交叉指状电极”。但全文未公开任何封装结构。 | 对比文件公开了压电基板（衬底）、交叉指状电极（单元）和焊盘电极（接触区），但未公开任何形式的封装（如薄膜封装），其保护层11（高熔点金属层）并非用于封装，材料与功能均不同，因此本领域技术人员不能毫无疑义地得出该特征，也不构成隐含公开。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝——未公开 | 【0024】“高熔点金属层11（铬）”；【0037】“铬、镍、钛、铁等”。 | 对比文件中的保护层由高熔点金属或其化合物构成，并非氮化硅、碳化硅或氧化铝，也未提及这些材料，因此未公开该特征。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）——未公开 | 对比文件无封装，仅存在保护层覆盖焊盘和基板（【0024】“高熔点金属层11覆盖基板及配线图案及焊盘电极的露出面”）。 | 保护层用于增强接合和防静电，并非用于封装，也未实现封装功能，因此未公开。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上——未公开 | 【0027】“保护层11（高熔点金属层）上形成凸点电极12”。 | 导体设置在保护层上，而非封装上，且保护层不构成封装，因此未公开。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连——未公开 | 【0027】“通过超声波接合在保护层11上形成凸点电极12，保护层在接合过程中被破碎分散”。 | 对比文件虽在不事先移除保护层的情况下进行接合，但保护层并非封装，且目标专利中封装的特定材料和作用（防水防气）与保护层完全不同，因此未公开。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接——直接公开 | 【0001】“本発明は、超音波接合構造及び方法…”；【0027】“超音波接合ステップ”；【0011】“超音波接合”。 | 对比文件明确公开使用超声焊接将导体（凸点电极）与接触区（焊盘电极）互连，该技术特征与目标专利完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线——未公开 | 【0027】“凸点电极12（金或金合金）”。 | 对比文件中的导体为凸点电极（球状或块状），并非金属线，也未提及线状导体，因此未公开。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银——未公开 | 【0027】“凸点电极12为金或金合金”，未提及扁平形状或铜铝银材料。 | 对比文件的导体材料为金，形状为凸点，不满足扁平金属线或铜铝银的要求，未公开。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极——直接公开 | 【0022】“パッド電極５（第一の導電体又はパッド電極を含む導体層）”；【0023】“パッド電極５…作为电极”。 | 对比文件中的焊盘电极5用于连接单元（交叉指状电极），作为电极使用，因此直接公开了接触区用作单元的电极。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）——未公开 | 对比文件无封装，保护层仅覆盖部分区域，并非封装。 | 同特征C，未公开封装结构，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间——未公开 | 全文未提及超声焊接的具体频率范围。 | 对比文件未公开任何超声焊接频率参数，本领域技术人员不能从中得知该范围，也未隐含公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间——未公开 | 全文未提及该频率范围。 | 对比文件未公开，不构成直接或隐含公开。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz——未公开 | 全文未提及35kHz。 | 对比文件未公开，不构成直接或隐含公开。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）——未公开 | 对比文件涉及弹性表面波（SAW）器件，而非OLED。 | 对比文件未公开任何OLED器件，且其方法步骤与目标专利权利要求1-9的方法存在本质差异（无封装、无特定导体等），因此未公开。 |
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