对比文件的名称：2006-04-06_JP2006093743A_发明专利_JP2006093743A Semiconductor device
目标专利的名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）《直接公开》 | 对比文件公开：“基板５２はその上にデバイスが形成された半導体基板を含む。”、“ボンディングパッド５０が基板５２（ＩＣ構造体）の上に金属（Ｃｕ）の相互接続部をボンディングパッドとして用いて形成される。”、“Ｔａ製のパッシベーション層５４が基板５２の上に堆積され、Ｃｕ製の相互接続部を封止する。” | 对比文件公开了半导体器件包括基板（衬底）、IC结构（单元）、铜焊盘（接触区）、Ta钝化层（封装）。目标专利中衬底（2）用于支撑单元和接触区，单元（3）为OLED，接触区（4）提供电连接，封装（5）防止水湿气渗透。对比文件中的基板、IC结构、焊盘、钝化层分别对应相同作用，因此本领域技术人员能毫无疑义地确定技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝《未公开》 | 对比文件中封装材料为钽（Ta），未提及氮化硅、碳化硅或氧化铝。 | 目标专利中封装薄膜明确包含氮化硅、碳化硅或氧化铝（参见说明书[0011]段）。对比文件仅公开Ta作为钝化层，未公开或暗示上述材料，且作用不完全相同（Ta主要防止铜氧化，氮化硅等主要防止水氧渗透）。因此技术特征B未被公开。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）《直接公开》 | 对比文件公开：“Ｔａ製パッシベーション層３２が基板３４の表面上に覆い被さって形成され、Ｃｕ製相互接続部３１を封止する。”、“Ｔａ製のパッシベーション層５４が基板５２の上に堆積され、Ｃｕ製の相互接続部を封止する。” | 目标专利中封装（5）封装至少接触区（4）以防止水氧渗透并允许后续连接（参见说明书[0014]段）。对比文件明确Ta钝化层密封铜焊盘（接触区），作用相同，因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上《直接公开》 | 对比文件公开：“Ａｌ製のワイヤ３０と基板３４との間のウェッジボンド３６に圧力をかけることにより、あるいは超音波の振動により形成する。”以及“ウェッジボンド３６は、Ｃｕ製相互接続部３１を封止している（覆う）Ｔａ製パッシベーション層３２に形成される。” | 目标专利中将导体（6）设置在封装（5）上以便后续互连（参见说明书[0030]段）。对比文件将铝线设置在Ta钝化层上，作用相同，因此技术特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连。《直接公开》 | 对比文件公开：“ウェッジボンド３６は、Ｃｕ製相互接続部３１を封止している（覆う）Ｔａ製パッシベーション層３２に形成される。” | 目标专利强调不事先移除封装即可互连（参见说明书[0008]段）。对比文件直接在钝化层上形成焊点，无移除步骤，且钝化层作为中间层形成冶金结合，作用相同，因此技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接。《直接公开》 | 对比文件公开：“超音波の振動により形成する。”以及“ウェッジボンド３６は、...超音波の振動により形成する。” | 目标专利中超声焊接用于移除封装并实现互连（参见说明书[0009]段）。对比文件明确使用超声波振动（超声焊接）形成楔焊，作用相同，因此技术特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线。《直接公开》 | 对比文件公开：“Ａｌ製のワイヤ３０”（铝线）以及“金製ワイヤ２０”等。 | 目标专利中导体（6）包括金属线（参见说明书[0012]段）。对比文件中的铝线或金线属于金属线，作用相同，因此技术特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银。《直接公开》 | 对比文件公开：“Ａｌ製のワイヤ３０”（铝线）。 | 目标专利中金属线优选扁平且包含铝等（参见说明书[0012]段）。对比文件中的铝线包含铝，满足“包含铝”的条件（“和/或”表示至少满足其一），因此技术特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极。《直接公开》 | 对比文件公开：“ボンディングパッド５０が基板５２（ＩＣ構造体）の上に金属（Ｃｕ）の相互接続部をボンディングパッドとして用いて形成される。” | 目标专利中接触区（4）用作单元（3）的电极以提供电力（参见说明书[0013]段）。对比文件中的铜焊盘用作IC结构的电极，作用相同，因此技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）。《未公开》 | 对比文件公开：“Ｔａ層をその後基板上に堆積し、パターン化し、エッチングしてＣｕ製のボンドパッドを封止する。” | 目标专利中封装（5）封装接触区和单元（参见说明书[0014]段）。对比文件明确将Ta层图案化仅密封铜焊盘，未公开其同时封装IC单元（单元），本领域技术人员不能必然得出封装单元，因此技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间。《未公开》 | 对比文件未提及超声焊接的工作频率。 | 目标专利中超声焊接频率优选10-80kHz（参见说明书[0016]段）。对比文件仅提到超声波振动，未公开具体频率范围，本领域技术人员无法直接得出该范围，因此技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间。《未公开》 | 对比文件未提及超声焊接的工作频率。 | 同技术特征K，对比文件未公开30-40kHz的频率范围，因此技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz。《未公开》 | 对比文件未提及超声焊接的工作频率。 | 同技术特征K，对比文件未公开35kHz的具体频率值，因此技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）。《未公开》 | 对比文件涉及半导体器件，未涉及OLED。 | 目标专利要求保护通过方法得到的OLED（参见说明书[0017]段）。对比文件未公开任何OLED结构或方法，因此技术特征N未被公开。 |
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