对比文件名称：2001-12-21_TW469592B_发明专利_TW469592B 半導體裝置中銅內連線之引線接合方法
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：AI模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）《隐含公开》 | 对比文件“发明详细说明”部分记载：“在半導體基底上形成一鈍化層用以封住由內連材料所製成的接墊”以及“基底52包括其上成形有裝置的半導體基底”。 | 对比文件公开了半导体基底（衬底）、铜内连（接触区）和钝化层（封装），但未明确提及“单元”。然而，本领域技术人员公知半导体基底上通常形成有多个有源器件（晶体管等）作为单元，且对比文件提及“裝置”，可以合理推断出基底上具有至少一个单元，因此隐含公开。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝《未公开》 | 无。 | 对比文件中的封装材料为钽，未涉及氮化硅、碳化硅或氧化铝，本领域技术人员也无法从对比文件合理推断出这些材料，因此未公开。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）《直接公开》 | 对比文件“发明详细说明”部分记载：“鈍化層32覆於基底34的表面，包封住銅內連31”。 | 对比文件明确公开了钝化层（封装）包封住铜内连（接触区），作用与目标专利相同，均为保护接触区，因此直接公开。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上《直接公开》 | 对比文件“发明详细说明”部分记载：“此楔形接合製程中使用的引線30是鋁線”以及图3(a)显示铝线设置于钝化层上，并在“在負荷或超音波的激勵下，鋁線30與基底34間形成楔形接合36”。 | 对比文件公开了将铝线（导体）设置在钝化层（封装）上，然后进行焊接，因此直接公开。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连《直接公开》 | 对比文件“发明详细说明”部分记载：“楔形接合36不是直接成形在銅內連31的表面。反之，楔形接合36是成形在包封住銅內連31的鉭鈍化層32中”。 | 对比文件公开了导体（铝线）与接触区（铜内连）之间的钝化层未被移除，而是直接通过超声焊接在钝化层上形成接合，从而实现电连接，作用与目标专利相同，因此直接公开。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接《直接公开》 | 对比文件“发明详细说明”部分记载：“在負荷或超音波的激勵下，鋁線30與基底34間形成楔形接合36”。 | 对比文件明确使用超音波（超声）焊接进行楔形接合，因此直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线《直接公开》 | 对比文件“发明详细说明”部分记载：“此楔形接合製程中使用的引線30是鋁線”。 | 对比文件公开了导体为铝线，属于金属线，因此直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银《直接公开》 | 对比文件“发明详细说明”部分记载：“此楔形接合製程中使用的引線30是鋁線”。 | 对比文件公开了金属线包含铝（铝线），满足“包含铝”的选项，因此直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极《直接公开》 | 对比文件“发明详细说明”部分记载：“銅內連31”作为接垫，用于连接半导体装置。 | 对比文件中的铜内连（接触区）用作连接半导体装置（单元）的电极，提供电连接，作用与目标专利相同，因此直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）《未公开》 | 无。 | 对比文件仅明确公开钝化层包封住铜内连（接触区），未提及封装单元，本领域技术人员不能合理推断出封装也覆盖单元，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开超声焊接的具体频率，本领域技术人员无法从中推断出该频率范围，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间《未公开》 | 无。 | 同特征K，未公开。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz《未公开》 | 无。 | 同特征K，未公开。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）《未公开》 | 无。 | 对比文件涉及半导体装置，未涉及OLED，且方法不同，因此未公开。 |
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