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对比文件列表
2001-07-12_KR1020010067448A_发明公开_KR1020010067448A 반도체 장치의 구리 상호 접속을 위한 와이어 본딩 방법 및 반도체 장치_+++C_D_E_F_G_H_I_a_j+++.docx
2026-07-22 17:36
2002-12-12_US2002187254A_发明申请_US20020187254A1 Ultrasonically sealing the cover plate to provide a hermetic enclosure for OLED displays_+++A_C_G_I_J_k_l_m+++.docx
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2003-02-12_GB2378564A_发明专利_GB2378564A Flexible light emitting device with incompressible spacers_+++A_I_c_j+++.docx
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2003-02-18_US6520821B_发明授权_US06520821B1 Device package and device encapsulation method_+++A_C_I_J+++.docx
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2005-10-04_US6952078B_发明授权_US06952078B1 Encapsulation for organic LED device_+++A_C_I_J+++.docx
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2006-07-12_JP3796116B_发明专利_JP3796116B2 Wire bonding method and a semiconductor device_+++A_C_D_E_F_G_H_i_j+++.docx
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2006-10-03_US7115994B_发明授权_US07115994B2 Semiconductor substrate and method of fabricating semiconductor device_+++A_B_C_G_H_I_J+++.docx
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2006-12-28_US2006290271A_发明申请_US20060290271A1 OLED device having spacers_+++A_B_C_I_J+++.docx
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2006-12-28_US2006290276A_发明申请_US20060290276A1 OLED device having spacers_+++B_C_I_a_j+++.docx
2026-07-22 17:36
2007-03-22_JP2007073353A_发明专利_JP2007073353A Method for manufacturing organic electroluminescence element_+++A_B_C_I_J_g+++.docx
2026-07-22 17:36
2007-03-22_US2007065962A_发明申请_US20070065962A1 MANUFACTURING OF OPTOELECTRONIC DEVICES_+++G_H_I_a_b_c_j+++.docx
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2007-08-22_EP1763287A_发明公开_EP1763287A2 A method for fabricating organic electroluminescent devices_+++A_B_C_I_J_g+++.docx
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2005-10-04_US6952078B_发明授权_US06952078B1 Encapsulation for organic LED device_+++A_C_I_J+++.docx

对比文件名称:2005-10-04_US6952078B_发明授权_US06952078B1 Encapsulation for organic LED device

目标专利名称:1295利用导体接触器件CN102150294B

本次调用的模型名称:AI模型

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A:该器件(1)包括具有至少一个单元(3)、接触区(4)和封装(5)的衬底(2)**<br>**《直接公开》**段落[0003]:“图1示出了一个OLED器件100。该OLED器件包括在第一电极105和第二电极115之间的一个或多个有机功能层110。电极可以被图案化以形成例如多个OLED单元来产生像素化OLED器件。提供了焊盘150,其耦合到第一和第二电极,用于实现与OLED单元的电连接。为了保护OLED单元免受环境影响,一个盖帽160封装了该器件。”<br>段落[0026]:“准备了一个薄衬底501,其具有有源元件。”对比文件明确公开了OLED器件包括衬底(通过段落[0026]及上下文可知,器件形成于衬底上)、OLED单元(有机功能层与电极形成的单元)、接触区(焊盘150)以及封装(盖帽160)。因此,技术特征A被直接公开。
**技术特征B:所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝**<br>**《未公开》**段落[0032]:“……无机材料如SiO2、Si3N4和Al2O3……”但这些材料是用于密封柱,而非用于封装薄膜。对比文件未公开任何薄膜封装结构,更未公开封装薄膜由氮化硅、碳化硅或氧化铝构成。其提及的Si3N4、Al2O3仅用于密封柱,与目标专利的薄膜封装在结构、功能上均不同。因此,未公开。
**技术特征C:其中所述封装(5)封装至少接触区(4)**<br>**《直接公开》**段落[0003]:“……一个盖帽160封装了该器件。”该器件包括焊盘150(接触区)。由于盖帽封装了整个器件,必然包括接触区(焊盘)。因此,封装覆盖了至少接触区。直接公开。
**技术特征D:将导体(6)设置在封装(5)上**<br>**《未公开》**对比文件未提及在封装上设置导体。对比文件描述了将盖帽安装在衬底上,但未公开将导体(如金属线)设置在封装(盖帽)上的步骤或结构。未公开。
**技术特征E:在不事先移除导体(6)与接触区(4)之间的封装(5)的情况下将导体(6)与接触区(4)互连**<br>**《未公开》**对比文件未公开此互连方法。对比文件中的盖帽封装通常需要开口或移除部分才能接触焊盘,且未涉及导体与接触区通过封装直接互连的步骤。因此,未公开。
**技术特征F:其中将导体(6)与接触区(4)互连包括超声焊接**<br>**《未公开》**段落[0033]:“其他技术,如采用低温焊料、超声焊接或利用电感或激光焊接的焊接技术也是有用的。”该描述针对安装盖帽,而非连接导体到接触区。对比文件仅提到超声焊接用于安装盖帽,未涉及将其用于导体与接触区的互连。因此,未公开。
**技术特征G:其中所述导体(6)包括金属线**<br>**《未公开》**对比文件未提及金属线导体。对比文件未公开导体采用金属线的形式。未公开。
**技术特征H:其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银**<br>**《未公开》**对比文件未公开。对比文件未公开金属线的扁平形状或具体材料(铜、铝、银)。未公开。
**技术特征I:其中所述接触区(4)用作用于所述单元(3)的电极**<br>**《直接公开》**段落[0003]:“焊盘150,其耦合到第一和第二电极,用于实现与OLED单元的电连接。”焊盘(接触区)耦合到电极,用于向OLED单元提供电连接,其功能与电极相同,即用作单元的电极。直接公开。
**技术特征J:其中所述封装(5)封装至少所述接触区(4)和所述至少一个单元(3)**<br>**《直接公开》**段落[0003]:“……盖帽160封装了该器件。”该器件包括OLED单元和焊盘。盖帽封装了器件,即封装了OLED单元和接触区(焊盘)。直接公开。
**技术特征K:其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间**<br>**《未公开》**对比文件未提及超声焊接频率。对比文件未公开任何超声焊接频率参数。未公开。
**技术特征L:其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间**<br>**《未公开》**对比文件未提及。未公开。
**技术特征M:其中所述超声焊接工作于35kHz**<br>**《未公开》**对比文件未提及。未公开。
**技术特征N:一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED(1)**<br>**《未公开》**对比文件未公开通过该方法得到的OLED。由于对比文件未公开方法权利要求1-9中的任何特征,故产品权利要求也未公开。未公开。

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