**对比文件名称**：2009-08-14_KR1020090087022A_发明公开_KR1020090087022A 굴곡 모드 압전 트랜스듀서를 사용하는 보강된 초음파 촬영 프로브 (增强型超声成像探头，使用弯曲模式压电换能器)
**目标专利名称**：用于2-D波束成形的压电超声换能器的超像素阵列CN106999985B
**本次调用模型名称**：GPT
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（已翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：压电超声换能器元件阵列，所述阵列包含多个超像素区，每一超像素区包含至少两个像素组，所述至少两个像素组中的第一像素组安置于所述超像素区的中心部分中，且至少一第二像素组安置于所述超像素区的外部部分中 | [57] “pMUT 디바이스의 압전 소자(22)의 폭 또는 직경은 약 10 ㎛ 내지 약 500 ㎛의 범위일 수 있고, 약 15 ㎛ 내지 약 1000 ㎛의 중심간 간격을 갖는다. 예로서, 압전 소자(22)의 폭 또는 직경은 약 50 ㎛ 내지 약 300 ㎛의 범위일 수 있고, 1 내지 20 MHz의 범위에서의 초음파 작동을 위해 약 75 ㎛ 내지 450 ㎛의 중심간 간격을 갖는다.” (pMUT器件的压电元件(22)的宽度或直径可以在约10 μm至约500 μm的范围内，并且具有约15 μm至约1000 μm的中心间距。例如，压电元件(22)的宽度或直径可以在约50 μm至约300 μm的范围内，并且对于1至20 MHz范围内的超声波操作，具有约75 μm至约450 μm的中心间距。) | **未直接公开，也未隐含公开**。对比文件公开了压电超声换能器（pMUT）元件可以排列成阵列（例如2D阵列），并且提到了元件的尺寸和间距[2, 4, 57]。然而，对比文件完全没有提及“超像素区”的概念，也未将阵列中的元件按照“中心部分”和“外部部分”进行分组。对比文件中的阵列元件通常被独立或统一寻址[52]，但没有描述将多个像素组织成一个具有特定几何结构（如六边形或正方形）和功能划分（中心组和外部组）的“超像素”单元。本领域技术人员无法从对比文件的内容中，毫无疑义地得出或合理推断出目标专利所定义的“超像素区”及其内部像素组的结构。 |
| **技术特征B**：收发器电子装置 | [52] “반도체 디바이스(44)는 플립-칩 패키지 조립체, 트랜지스터, 커패시터, 마이크로프로세서, 임의 접근 메모리, 다중화기, 전압/전류 증폭기, 고전압 드라이버 등과 같은 광범위한 전자 디바이스를 포함하는 당 기술 분야에 공지되어 있는 임의의 반도체 디바이스일 수 있다.” (半导体设备(44)可以是本领域已知的包含广泛电子设备的任何半导体设备，例如倒装芯片封装组件、晶体管、电容器、微处理器、随机存取存储器、多路复用器、电压/电流放大器、高压驱动器等。) <br> [89] “따라서, 카테터 내의 신호 도선의 수 및 신호 노이즈를 감소시키기 위해, pMUT 디바이스는 카테터 팁 내의 제어 회로와 집적화될 수 있다.” (因此，为了减少导管内的信号导线数量和信号噪声，pMUT器件可以与导管尖端的控制电路集成。) | **《直接公开》**。对比文件多次提及并详细描述了与pMUT阵列协同工作的控制电路、半导体设备、ASIC（专用集成电路）等[2, 44, 52, 89, 91]。这些电子装置用于驱动pMUT发射信号、接收和处理返回的信号，并执行如多路复用、放大、波束形成（提及了“빔 형성기”[91]）等功能。这与目标专利中“收发器电子装置”的功能和作用相同，都是为换能器阵列提供驱动和控制。 |
| **技术特征C**：和所述收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合 | [48] “공기 백킹 캐비티(50)는 정각 절연성 필름(36)과 정각 도전성 필름(42)으로 코팅되어 압전 어레이 소자(22)와 반도체 디바이스(44)의 웨이퍼-관통 비아 상호 접속을 제공한다.” (空气背衬腔体(50)被保形绝缘膜(36)和保形导电膜(42)涂覆，以提供压电阵列元件(22)和半导体设备(44)之间的晶圆通孔互连。) <br> [47] “예로서, 접속은 정각 도전층(42)을 반도체 디바이스(44) 상의 땜납 패드(48)에 접속하는 땝납 범프(46)를 통해 이루어진다.” (例如，连接是通过将保形导电层(42)连接到半导体设备(44)上的焊盘(48)的焊料凸块(46)实现的。) <br> [59] “에폭시 층(56)은, 음향 에너지 감쇠기로서 기능하는데 부가하여, 또한 반도체 디바이스(44)에 pMUT 디바이스 구조체(10)를 접착하기 위한 접착제로서 기능할 수도 있다.” (环氧树脂层(56)除了作为声能衰减器外，还可以作为将pMUT器件结构体(10)粘附到半导体设备(44)的粘合剂。) | **《直接公开》**。对比文件明确公开了pMUT阵列与半导体控制电路（即收发器电子装置）之间的各种电连接方式，包括晶圆通孔互连[48]、焊料凸块连接[47]、环氧树脂连接中的金属触点[59]等。这些连接构成了“电耦合”，其作用是在换能器阵列和控制电子设备之间传输电信号，与目标专利中该特征的作用完全相同。 |
| **技术特征D**：其中所述收发器电子装置经配置以在第一模式和第二模式中的一可选择者中操作所述阵列 | [52] “각각의 압전 소자(22)는 인접한 압전 소자(22)로부터 전기적으로 절연되기 때문에, 개별 소자는 트랜스듀서 전송 모드에서 개별적으로 구동될 수 있다. 부가적으로, 수신 신호는 반도체 디바이스(44)에 의해 독립적으로 각각의 압전 멤브레인으로부터 측정될 수 있다.” (由于每个压电元件(22)与相邻的压电元件(22)电绝缘，因此单个元件可以在传感器发射模式下被单独驱动。此外，接收信号可以由半导体设备(44)独立地从每个压电膜测量。) <br> [91] “따라서, 2D 위상화 어레이 작동이 적절한 타이밍에 구동 신호를 다중화함으로써 달성될 수 있다.” (因此，可以通过在适当时机多路复用驱动信号来实现2D相控阵列操作。) | **未直接公开，也未隐含公开**。对比文件提到了pMUT元件可以被单独驱动，并且可以实现2D相控阵列操作（波束形成）[52, 91]。然而，对比文件完全没有描述目标专利所定义的两种特定操作模式：一种是产生“基本上平面超声波”的模式（第一模式），另一种是从每个“超像素区”产生“经聚焦波束”且声压显著更高的模式（第二模式）。对比文件的重点是通过施加DC偏置或高电压来增强接收信号灵敏度[13-15, 36, 40]，并未将阵列的操作配置为在两种产生不同波前形状和声压水平的发射模式之间进行“可选择”的切换。本领域技术人员无法从中得出目标专利的这种特定的双模式操作配置。 |
| **技术特征E**：在所述第一模式中，所述阵列产生具有第一声压的基本上平面超声波 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。对比文件没有描述任何产生“基本上平面超声波”的操作模式。其讨论的发射操作主要涉及为增强灵敏度而施加特定电压波形[13, 15, 36]，或进行波束形成[91]，但未提及平面波发射。 |
| **技术特征F**：且在所述第二模式中，所述阵列从每一超像素区产生具有第二声压的经聚焦波束，所述第二声压显著高于所述第一声压。 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。对比文件虽然提及了波束形成（“빔 형성”）[91]，但并未将其与“超像素区”的概念相关联，也没有描述从每个这样的区产生聚焦波束，更没有对比该模式下产生的声压与另一种模式（平面波）下的声压。目标专利中“第二声压显著高于第一声压”是两种模式切换的核心效果之一，对比文件完全未涉及此概念。 |
| **技术特征G**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子的第一经固定配置的导电路径，以及连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子的第二经固定配置的导电路径，所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子与所述收发器电子装置耦合。 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。对比文件描述了阵列元件与驱动电路之间的整体电连接（如特征C所述），但没有根据像素在超像素中的位置（中心或外部）将其分组，并分别通过“经固定配置的导电路径”连接到不同的“驱动输入端子”。对比文件的连接更多是基于每个元件或行列的单独寻址[52]，而非按照目标专利所述的超像素内部组别的硬连线连接方式。 |
| **技术特征H**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。由于对比文件未公开“第一模式”、“驱动输入端子”以及像素分组，因此自然也未能公开在该模式下同时向不同端子发射信号的操作。 |
| **技术特征I**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者，使得在将第一发射信号递送到所述第二驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生时间延迟。 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。对比文件未公开基于超像素内像素组的顺序驱动以及为产生聚焦波束而引入的特定时间延迟。虽然提到了通过多路复用驱动信号实现波束形成[91]，但这属于相控阵的一般概念，并未具体化为目标专利中超像素内部不同组像素的顺序激励和时间延迟方案。 |
| **技术特征J**：其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的七个像素 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。对比文件完全没有描述任何具有特定几何形状（如六边形）和特定像素数量（如七个）的“超像素区”结构。 |
| **技术特征K**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。同上，由于未公开超像素区及其六边形结构，因此也未公开其中的中心像素组。 |
| **技术特征L**：且所述第二像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的所述外部部分中。 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。同上，未公开超像素区的外部像素组及其几何布局。 |
| **技术特征M**：其进一步包含第三像素组和第四像素组，其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的十九个像素 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。对比文件未公开任何包含十九个像素的超像素区结构。 |
| **技术特征N**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。同上。 |
| **技术特征O**：所述第二像素组包含以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的外部部分中的六个像素 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。同上。 |
| **技术特征P**：且所述第三像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者安置于与所述第二像素组中的每一像素相比距所述中心像素较大距离处，且与所述第四像素组中的每一像素相比距所述中心像素较小距离处。 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。同上。 |
| **技术特征Q**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含：第一经固定配置的导电路径，其连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。对比文件未公开将像素按超像素内不同组别连接到不同驱动端子的固定导电路径。 |
| **技术特征R**：第二经固定配置的导电路径，其连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。同上。 |
| **技术特征S**：第三经固定配置的导电路径，其连接所述第三像素组中的像素与第三驱动输入端子 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。同上。 |
| **技术特征T**：第四经固定配置的导电路径，其连接所述第四像素组中的像素与第四驱动输入端子 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。同上。 |
| **技术特征U**：且所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入、所述第三驱动输入和所述第四驱动输入中的每一者与所述收发器电子装置耦合。 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。同上。 |
| **技术特征V**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。对比文件未公开所述第一模式及多端子同时发射的操作。 |
| **技术特征W**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者，使得：在将第一发射信号递送到所述第四驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子之间发生第一时间延迟 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。对比文件未公开所述第二模式及多端子顺序发射与特定时间延迟的操作。 |
| **技术特征X**：在将所述第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第三发射信号递送到所述第二驱动输入端子之间发生第二时间延迟 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。同上。 |
| **技术特征Y**：且在将所述第三发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第四发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生第三时间延迟。 | 无相关内容。 | **未直接公开，也未隐含公开**。同上。 |
| **技术特征Z**：其进一步包括安置于所述阵列上方的台板和声学耦合介质，其中所述阵列经配置以经由所述台板和所述耦合介质接收或发射超声信号。 | [85] “카테터(500, 600)는 pMUT(90)와 직접 접촉하는 음향 정합 재료(550, 650)를 각각 포함한다. 음향 정합 재료(550, 650)는 저탄성계수 폴리머, 물 또는 실리콘 겔일 수도 있다.” (导管(500, 600)分别包括与pMUT(90)直接接触的声学匹配材料(550, 650)。声学匹配材料(550, 650)可以是低弹性模量聚合物、水或硅凝胶。) <br> [85] “전방 관찰 촬영 카테터 디바이스(500)는 음향 윈도우(540)를 통해 촬영하기 위해...” (前视成像导管设备(500)用于通过声学窗口(540)进行成像...) | **《隐含公开》**。对比文件在描述超声成像探头（特别是导管探头）时，提到了“声学窗口”（음향 윈도우）[85]和“声学匹配材料”（음향 정합 재료）[85]。在超声换能器领域，声学窗口通常是指覆盖在换能器阵列上方、用于保护并允许声波透过的板状结构（如盖板、透镜），其作用相当于目标专利中的“台板”。声学匹配材料用于改善换能器与台板或组织之间的声学耦合，其作用相当于目标专利中的“声学耦合介质”。虽然对比文件未使用“台板”一词，但“声学窗口”是实现相同功能的常见技术手段。本领域技术人员阅读对比文件后，能够合理推断出，为了通过探头进行成像，换能器阵列需要经由上方的声学窗口（台板）和中间的耦合介质来发射和接收超声信号。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
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