**对比文件名称**：2012-06-07_JP2010508888A_发明专利_JP2010508888A5 JP2010508888A5
**目标专利名称**：用于2-D波束成形的压电超声换能器的超像素阵列CN106999985B
**模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：**<br>压电超声换能器元件阵列，所述阵列包含多个超像素区，每一超像素区包含至少两个像素组，所述至少两个像素组中的第一像素组安置于所述超像素区的中心部分中，且至少一第二像素组安置于所述超像素区的外部部分中。<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 目标专利的核心在于将换能器阵列划分为多个“超像素区”，每个超像素区内部又进一步划分为中心和外部的“像素组”，这是实现可切换波束成形模式（平面波与聚焦波束）的物理结构基础。对比文件描述了压电阵列元件（如[0042]段所述“圧電性配列素子２２”），但通篇未提及任何将阵列划分为具有特定几何排布（如六边形、正方形）的“超像素区”的概念，更没有将每个区内的像素进一步分为“中心部分”和“外部部分”的“像素组”。对比文件关注的是单个pMUT元件或一般性阵列的驱动方法（如施加特定电压波形、DC偏置）以增强性能，并未涉及基于像素组空间排布和分组驱动的波束成形架构。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。 |
| **技术特征B：**<br>收发器电子装置<br>**判断：隐含公开 (b)** | [0042]段：“半導体デバイス４４” | **论述：** 目标专利中的“收发器电子装置”用于驱动阵列并处理信号，实现两种操作模式的切换。对比文件[0042]段描述了pMUT器件结构80连接到“半導体デバイス４４”。本领域技术人员可以理解，为了驱动和控制超声换能器阵列进行发射和接收操作，必然需要相应的电子电路，例如产生驱动信号、接收和处理回波信号的电路。虽然对比文件没有明确使用“收发器电子装置”这一术语，但其描述的“半導体デバイス４４”在功能上必然包含用于驱动和/或控制pMUT阵列的电子电路，可以合理推断其具备收发器电子装置的功能。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C：**<br>和所述收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合<br>**判断：直接公开 (C)** | [0042]段：“ｐＭＵＴデバイス構造８０が半導体デバイス４４に接続された”；[0043]段：“コンフォーマルな導体層４２を前記半導体デバイス４４上の半田パッド４８に接続しているハンダバンプ４６を通してなされる” | **论述：** 目标专利中，电耦合是实现收发器电子装置对阵列进行驱动的物理连接。对比文件明确公开了pMUT器件结构80通过凸块46和导体层42连接到半导体设备44（[0042], [0043]段）。这种连接构成了“半导体设备”（相当于收发器电子装置）与“pMUT器件结构”（相当于压电超声换能器元件阵列）之间的“电耦合”。本领域技术人员能够毫无疑义地得出此结论。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D：**<br>其中所述收发器电子装置经配置以在第一模式和第二模式中的一可选择者中操作所述阵列<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 目标专利的关键创新点之一是收发器电子装置可被配置在两种不同的模式（第一模式：平面波；第二模式：聚焦波束）中选择性操作阵列。对比文件仅讨论了通过施加高于抗电压的双极性信号（[0029], [0034]段）或添加DC偏置（[0035]段）来增强pMUT的传输或接收性能，这是一种单一的、旨在优化信号强度的操作方式，并未提及或暗示存在两种可选择的、产生不同波束形状（平面波 vs. 聚焦波束）的操作模式。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征E：**<br>在所述第一模式中，所述阵列产生具有第一声压的基本上平面超声波<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 目标专利的第一模式是产生“基本上平面超声波”的模式。对比文件中完全没有提及“平面波”激励或发射的概念，也没有描述阵列中的所有或分组元件被同时驱动以产生平面波前。其讨论的驱动方法（如特定电压波形）旨在增强单个元件或整体阵列的输出，与波前形状的控制无关。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F：**<br>且在所述第二模式中，所述阵列从每一超像素区产生具有第二声压的经聚焦波束，所述第二声压显著高于所述第一声压。<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 目标专利的第二模式是通过对超像素区内不同像素组施加时序延迟，实现声波聚焦，从而产生高声压的“经聚焦波束”。对比文件完全没有涉及“波束成形”、“聚焦波束”或通过控制阵列内不同部分发射信号的时序来实现声场聚焦的任何内容。其提高声压或信号强度的手段仅限于改变施加到压电材料的电信号（电压幅度、半周期激励、DC偏置），而非通过空间排布和时序控制实现声学聚焦。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G：**<br>其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子的第一经固定配置的导电路径，以及连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子的第二经固定配置的导电路径，所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子与所述收发器电子装置耦合。<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 该特征限定了为实现不同模式操作而设计的特定布线结构：将不同像素组通过“经固定配置的导电路径”（即硬连线）连接到不同的驱动输入端子。对比文件仅描述了pMUT的顶部电极32和底部电极20（[0043]段）以及它们通过导体42与半导体设备44的连接，这是一种常规的、未分组的电极连接方式。没有任何信息表明存在将阵列中的像素按“中心组”和“外部组”进行划分，并通过独立的、固定配置的路径连接到不同输入端子的结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H：**<br>其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 该特征描述了第一模式下的具体驱动方式：同时向不同像素组的驱动端子发射信号。这直接关联于产生平面波的操作。如前述，对比文件未公开“第一模式”、“像素组”、“驱动输入端子”等概念，更未描述基于这些概念的“同时发射”驱动时序。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I：**<br>且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者，使得在将第一发射信号递送到所述第二驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生时间延迟。<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 该特征描述了第二模式（聚焦模式）下的核心驱动时序：对不同像素组“依序发射信号”并引入“时间延迟”，这是实现声波聚焦的关键。对比文件完全没有涉及任何基于像素空间位置差异而施加不同发射时序或时间延迟以进行波束成形的技术内容。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J：**<br>其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的七个像素<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 该特征限定了超像素区的一种具体几何排布：七个像素按六方晶格排列成六边形。这是目标专利中实现波束成形的具体物理实施例。对比文件完全没有描述换能器阵列中像素的任何特定几何排列（如六边形、六方晶格），更没有“超像素区”的概念。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K：**<br>所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 该特征是对特征J中具体超像素结构的进一步限定，定义了中心像素组。由于特征J所述的超像素结构本身未被公开，且对比文件中无任何关于像素分组及中心像素的记载，该特征也未被公开。 |
| **技术特征L：**<br>且所述第二像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的所述外部部分中。<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 该特征是对特征J中具体超像素结构的进一步限定，定义了外部像素组及其排布关系。由于特征J所述的超像素结构本身未被公开，且对比文件中无任何关于像素分组及其空间距离关系的记载，该特征也未被公开。 |
| **技术特征M：**<br>其进一步包含第三像素组和第四像素组，其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的十九个像素<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 该特征限定了另一种更复杂的超像素结构（十九像素六边形）以及额外的像素组。对比文件完全没有涉及任何此类多圈、多组的阵列划分结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N：**<br>所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 同特征K，基于特征M未公开，该子特征也未被公开。 |
| **技术特征O：**<br>所述第二像素组包含以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的外部部分中的六个像素<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 同特征L，基于特征M未公开，该子特征也未被公开。 |
| **技术特征P：**<br>且所述第三像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者安置于与所述第二像素组中的每一像素相比距所述中心像素较大距离处，且与所述第四像素组中的每一像素相比距所述中心像素较小距离处。<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 该特征详细定义了多个像素组之间的相对距离关系，是波束成形中计算延迟时间的基础。对比文件无任何相关记载。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：**<br>其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含：第一经固定配置的导电路径，其连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 该特征是多组连接方案的一部分。对比文件未公开像素分组，因此也不存在连接特定像素组到特定驱动输入端子的“经固定配置的导电路径”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征R：**<br>第二经固定配置的导电路径，其连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 同特征Q。 |
| **技术特征S：**<br>第三经固定配置的导电路径，其连接所述第三像素组中的像素与第三驱动输入端子<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 同特征Q。 |
| **技术特征T：**<br>第四经固定配置的导电路径，其连接所述第四像素组中的像素与第四驱动输入端子<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 同特征Q。 |
| **技术特征U：**<br>且所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入、所述第三驱动输入和所述第四驱动输入中的每一者与所述收发器电子装置耦合。<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 该特征限定了多个驱动输入端子与收发器的连接。由于对比文件未公开“像素组”、“驱动输入端子”等概念，因此该特征也未被公开。 |
| **技术特征V：**<br>其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 该特征描述了多组结构下第一模式（平面波）的驱动方式。由于对比文件未公开“第一模式”、“多个驱动输入端子”等前提特征，该操作方式自然也未被公开。 |
| **技术特征W：**<br>且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者，使得：在将第一发射信号递送到所述第四驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子之间发生第一时间延迟<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 该特征描述了多组结构下第二模式（聚焦波束）的复杂驱动时序。这是目标专利实现聚焦的核心控制逻辑。对比文件完全未涉及任何此类多路、依序、带特定延迟的发射控制方案。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征X：**<br>在将所述第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第三发射信号递送到所述第二驱动输入端子之间发生第二时间延迟<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 同特征W。 |
| **技术特征Y：**<br>且在将所述第三发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第四发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生第三时间延迟。<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 同特征W。 |
| **技术特征Z：**<br>其进一步包括安置于所述阵列上方的台板和声学耦合介质，其中所述阵列经配置以经由所述台板和所述耦合介质接收或发射超声信号。<br>**判断：未公开** | 无 | **论述：** 目标专利中，“台板”和“声学耦合介质”是换能器阵列与外部物体（如手指）之间进行声学信号传递的界面结构（参见说明书[0038]-[0040]段）。对比文件[0043]段提到了“エアーバックキャビティ５０”（空气背腔50）用于提供最佳声学性能，并允许压电薄膜更大振动。但“空气背腔”是位于器件衬底背面的结构，其作用是为薄膜振动提供空腔，优化其谐振性能，这与目标专利中位于阵列上方、用于接触或耦合外部介质的“台板和声学耦合介质”在位置、结构和功能上均不同。对比文件未提及任何位于器件上方的、用于发射/接收超声信号的台板或专门的声学耦合介质。因此，该特征未被公开。 |
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