对比文件名称：1986-10-21_US4618739A_发明授权_US4618739A Plastic chip carrier package
目标专利名称：1323包装、包装载体及其制造方法、诊断设备及其制造方法CN100586253C
本次调用的模型名称：无
以下是根据目标专利权利要求的技术特征（A至Z）与对比文件（US4618739A）进行的特征比对表格。对比文件无明确段落标号，引用内容基于其说明书各部分（如背景技术、发明内容、具体实施方式）。表格中第二栏的引用原文已翻译为中文，并注明所在部分。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述包装载体(55)适于封闭至少一个微电子元件(60、61)并具有用于所述包装载体(55)至另一种设备的电气连接的导电连接衬块(31)。<br>**《直接公开》** | 对比文件发明内容部分：“基本上，该封装结构包括一个平面主体构件……端子引脚从主体构件上表面延伸并突出其下表面，以及金属化层……以实现芯片与端子引脚之间的电气连接。” | 对比文件公开了一种塑料芯片载体封装，其主体构件和金属化层构成包装载体，用于封闭至少一个芯片（微电子元件），并通过端子引脚（导电连接衬块）实现与外部设备的电气连接，作用与目标专利相同。因此，特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：所述方法包括以下步骤。<br>**《直接公开》** | 对比文件发明内容部分：“形成所述优选封装结构的制造步骤顺序包括：模制平面主体构件……” | 对比文件明确描述了制造方法包含多个步骤，因此直接公开了“方法包括步骤”这一前序特征。 |
| **技术特征C**：提供牺牲载体(20)。<br>**不公开** | 对比文件未提及牺牲载体。 | 对比文件的主体构件通过直接模制形成，未使用任何牺牲载体，本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出提供牺牲载体的步骤。 |
| **技术特征D**：所述牺牲载体(20)具有承载表面(24)和在所述承载表面(24)的导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)。<br>**不公开** | 对比文件未提及牺牲载体及其承载表面和导电图案。 | 对比文件的导电图案（金属化迹线）形成在永久性金属化层的下表面，而非临时牺牲载体上，因此特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：将所述牺牲载体(20)弯曲以在所述承载表面(24)中产生升高部分(22)和凹入部分(23)。<br>**不公开** | 对比文件未提及弯曲牺牲载体。 | 对比文件无弯曲步骤，其主体构件为平面结构，凹槽通过模制直接形成，而非通过弯曲载体获得不同水平部分。 |
| **技术特征F**：提供在所述载体(20)上具有至少一个孔(41)的覆盖构件(40)。<br>**不公开** | 对比文件具体实施方式部分：“金属化塑料带或层14包括由第二合成有机聚合物30形成的基底，具有中央开口32……” | 对比文件中的金属化层虽有中央开口，但其为永久性结构，且位于主体构件上，并非在牺牲载体上提供覆盖构件。该开口的作用是让金属化迹线内端伸入凹槽，而非目标专利中覆盖导电图案并形成流体通路的孔。因此特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：以使在所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)和包围所述孔(41)的所述覆盖构件(40)的顶部部分出现在所述载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的一部分上。<br>**不公开** | 对比文件未描述覆盖构件顶部部分出现在升高部分上。 | 对比文件无牺牲载体弯曲形成的升高部分，也无覆盖构件顶部部分的概念，因此无法公开该特征。 |
| **技术特征H**：从而覆盖所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)的至少一部分。<br>**不公开** | 对比文件未描述覆盖构件覆盖导电图案。 | 对比文件的金属化层承载导电图案，而非覆盖图案；导电图案位于金属化层底部，未被覆盖。 |
| **技术特征I**：通过将材料应用于所述承载表面(24)、所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)并应用于所述覆盖构件(40)的一部分来形成体构件(45)。<br>**不公开** | 对比文件未描述将材料应用于承载表面、导电图案和覆盖构件的一部分。 | 对比文件的体构件（主体构件）通过独立模制形成，随后再与金属化层粘合，而非在承载表面、导电图案和覆盖构件上直接应用材料形成。 |
| **技术特征J**：而不将材料应用于所述覆盖构件(40)的顶部部分。<br>**不公开** | 对比文件未描述覆盖构件顶部部分。 | 对比文件无覆盖构件顶部部分的概念，也不涉及避免材料覆盖该部分。 |
| **技术特征K**：将所述牺牲载体(20)的至少一部分除去。<br>**不公开** | 对比文件未提及除去牺牲载体。 | 对比文件无牺牲载体，因此无除去步骤。 |
| **技术特征L**：从而产生凹槽(47)。<br>**《直接公开》** | 对比文件具体实施方式部分：“主体构件12形成有中央设置的芯片连接凹槽20。” | 对比文件通过模制直接产生了芯片连接凹槽（即凹槽），该凹槽用于容纳芯片，功能与目标专利的凹槽类似。虽然形成方式不同，但“产生凹槽”这一结果被直接公开。 |
| **技术特征M**：所述凹槽(47)在所述牺牲载体(20)的除去部分曾经所处的所述体构件(45)的侧面并位于所述牺牲载体(20)的所述升高部分(22)曾经所处的位置。<br>**不公开** | 对比文件未描述凹槽位置与牺牲载体除去部分及升高部分的关系。 | 对比文件无牺牲载体，无升高部分，因此无法公开凹槽与这些特征的位置关系。 |
| **技术特征N**：暴露所述图案(30)的所述导电连接衬块(31)中的至少一个。<br>**《直接公开》** | 对比文件发明内容部分：“金属化迹线图案沉积在金属化层的下表面……包括通孔……与焊盘对准。” | 对比文件的金属化迹线图案包括焊盘（导电连接衬块），这些焊盘位于金属化层下表面，在组装前直接暴露；且通孔进一步暴露焊盘位置。因此，暴露导电连接衬块被直接公开。 |
| **技术特征O**：所述图案(30)的所述至少一个导电连接衬块(31)适于电气耦接到在所述体构件(45)的所述侧面的微电子元件(60)。<br>**《直接公开》** | 对比文件发明内容部分：“实现芯片与端子引脚之间的电气连接。” | 对比文件的导电连接衬块（焊盘/端子引脚）通过金属化迹线或引线键合等方式适于电气耦接到芯片（微电子元件），该特征被直接公开。 |
| **技术特征P**：所述凹槽(47)延伸到所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)。<br>**不公开** | 对比文件未描述凹槽延伸到覆盖构件中的孔。 | 对比文件无覆盖构件，其凹槽（芯片连接凹槽）直接暴露于主体构件表面，未通过覆盖构件中的孔延伸。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，为了形成所述体构件(45)而使用模具(11、15)。<br>**《直接公开》** | 对比文件发明内容部分：“用热塑性材料模制……例如使用常规注塑设备。” | 对比文件明确使用模具（注塑模）来形成主体构件（体构件），因此直接公开了使用模具形成体构件。 |
| **技术特征R**：其中。<br>**不适用** | 无技术内容。 | 该特征仅为连接词，无技术限定，无需对比。 |
| **技术特征S**：通过将所述模具(15)和所述牺牲载体(20)置于相互之间的预定位置产生用于容纳材料的空间(19)。<br>**不公开** | 对比文件未提及将模具与牺牲载体置于预定位置。 | 对比文件无牺牲载体，模具直接形成主体构件，不存在与牺牲载体相对定位产生空间的过程。 |
| **技术特征T**：所述材料用于形成所述体构件(45)。<br>**《直接公开》** | 对比文件发明内容部分：“模制第一热塑性合成有机聚合物的平面主体构件。” | 对比文件直接公开了使用热塑性材料形成主体构件（体构件），因此特征T被直接公开。 |
| **技术特征U**：所述模具(15)包括用于避免所述材料覆盖所述覆盖构件(40)的至少一部分的突出件(17)。<br>**不公开** | 对比文件未描述模具突出件用于避免材料覆盖覆盖构件。 | 对比文件无覆盖构件，其模具的型芯（如形成凹槽的部分）用于形成形状，而非避免材料覆盖特定部分，因此不公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述模具(15)的所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46)。<br>**不公开** | 对比文件未描述模具突出件形成槽形凹槽。 | 对比文件的体构件（主体构件）仅具有一个芯片连接凹槽，无槽形凹槽，因此不公开。 |
| **技术特征W**：所述槽形凹槽(46)从所述体构件(45)的一个侧面延伸到所述体构件(45)的相对侧面。<br>**不公开** | 对比文件未描述槽形凹槽及其延伸方式。 | 对比文件无槽形凹槽，不公开。 |
| **技术特征X**：其特征在于，在将所述模具(15)与所述牺牲载体(20)相对于彼此之间定位的所述步骤期间。<br>**不公开** | 对比文件未提及模具与牺牲载体相对定位。 | 对比文件无牺牲载体，无此步骤。 |
| **技术特征Y**：以相对于所述牺牲载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的纵向轴(221)成直角的方式来放置所述模具(15)的所述突出件(17)的纵向轴(171)。<br>**不公开** | 对比文件未描述纵向轴成直角放置。 | 对比文件无牺牲载体升高部分，无突出件纵向轴概念，不公开。 |
| **技术特征Z**：所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46)。<br>**不公开** | 同特征V，对比文件未描述。 | 同特征V，不公开。 |
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