好的，我们开始进行严谨的特征比对分析。
**对比文件名称：** 2016-02-04_US2016033784A_发明申请_US20160033784A1 Optical Components
**目标专利名称：** 1561全息光学元件及其制造方法CN113728257B
**本次调用的模型名称：** 此处省略，按系统默认。
以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征与对比文件的详细比对表。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 所述制造方法包括<br>《直接公开》 | 对比文件说明书[0053]：“基板在其表面的至少一部分上（光栅区域）被图案化以形成光栅，然后可以在适用时转移到其他部件。”<br>（英文原文：The substrate is patterned over at least a portion of its surface (grating area) to form a grating, which may then be transferred to other components where applicable.） | 对比文件的整体内容涉及光学组件（特别是衍射光栅）的微制造方法，其[0053]段落明确公开了“基板被图案化”的制造过程，全文均围绕制造工艺展开。该特征属于方法权利要求的惯用前序，对比文件直接公开了光学组件包含制造步骤的方法。 |
| **技术特征B：** 通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a)<br>《直接公开》 | 对比文件说明书[0076]：“铬线20b本身被光刻胶21覆盖。”（英文原文：The chromium lines 20b are themselves covered by photoresist 21.）<br>对比文件说明书[0116]：“首先在表面S'的全部（或大部分）上涂覆铬层或其他保护掩模层。然后可以用光刻胶覆盖该掩模层。”（英文原文：first coating the whole (or most) of the surface S' in a chromium layer or other protective mask layer. The mask layer can then be covered in a photoresist.） | 对比文件明确公开了在基板表面上涂覆光敏树脂（光刻胶）的步骤。光刻胶是典型的光敏树脂，用于形成光敏层。虽然在对比文件中该光敏层后续用于蚀刻掩模，而非直接用于全息记录，但技术特征B本身仅限定了“用光敏树脂涂覆基底形成光敏基底”的动作和材料，对比文件中的“用光刻胶覆盖基底表面”完全落入了该特征的字面范围。因此，本领域技术人员可以直接得出该技术特征。 |
| **技术特征C：** 通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b)<br>《未公开》 | 对比文件全文未公开相关内容。 | 对比文件的微制造工艺基于离子束刻蚀（IBE）或湿法刻蚀，通过物理溅射或化学腐蚀形成表面浮雕光栅。没有任何段落公开或暗示使用激光从光敏基底的两面进行照射以记录全息光栅。该特征是目标专利区别于对比文件的关键工艺路径。 |
| **技术特征D：** 其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化<br>《未公开》 | 对比文件说明书[0062]：“浸入步骤前，基板具有初始（当前）表面调制…这些表面调制表现出基本上均匀的调制宽度。”（英文原文：Prior to the immersion step, the substrate 5 has initial (current) surface modulations over at least a portion of the substrate's surface S'. These surface modulations exhibit a substantially uniform modulation width over the surface portion.） | 对比文件在步骤(a)（涂覆光敏层）中，仅公开了形成均匀厚度的光刻胶层（例如通过旋涂或喷涂），随后通过后续的浸入刻蚀或离子束刻蚀来改变光栅的线宽或深度，并未公开在涂覆阶段使光敏树脂涂层的高度本身沿方向变化。对比文件中的光刻胶层是作为均匀厚度的掩模存在的。 |
| **技术特征E：** 所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上<br>《未公开》 | 对比文件全文未公开相关内容。 | 对比文件中的光栅是直接形成在基板表面或通过刻蚀掩模转移形成的“表面浮雕光栅”，而非记录在光敏树脂涂层内部的“体全息光栅”。因此没有公开“全息光栅记录在光敏树脂涂层整个高度上”这一结构特征。 |
| **技术特征F：** 所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>《未公开》 | 对比文件说明书[0123]：“刻蚀的光栅其深度可以从300nm变化到150nm，距离为10mm。”（英文原文：an illustrative case would be to etch gratings whose depth could vary from 300 nm to 150 nm in a distance of 10 mm along the surface.）<br>对比文件全文未公开光敏树脂涂层高度逐渐增加。 | 对比文件虽然公开了表面浮雕光栅的沟槽深度（height/depth）可以沿方向逐渐变化，但该深度变化是通过离子束刻蚀时间或角度的变化实现的，而非通过改变光敏树脂涂层的厚度来实现。目标专利中，全息光栅的高度变化是直接由光敏树脂涂层高度变化所决定的（因为记录在全厚度上），两者具有不同的物理实现机制。对比文件既未公开“光敏树脂涂层高度逐渐增加”，也未公开在该涂层中记录的“全息光栅”的高度变化。 |
| **技术特征G：** 所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>《未公开》 | 对比文件说明书[0123]：“刻蚀的光栅其深度可以从300nm变化到150nm，距离为10mm。”（英文原文：an illustrative case would be to etch gratings whose depth could vary from 300 nm to 150 nm in a distance of 10 mm along the surface.） | 尽管对比文件公开了表面浮雕光栅的深度可以逐渐增加（例如[0123]），但该特征明确限定了“全息光栅”。对比文件中既未制造全息光栅，也未揭示全息光栅的高度变化。因此，本领域技术人员不能从对比文件直接且毫无疑义地得出全息光栅高度逐渐增加的技术方案。 |
| **技术特征H：** 所述全息光栅具有相同的宽度<br>《未公开》 | 对比文件说明书[0060]-[0065]等大量篇幅公开了如何通过浸入刻蚀来使线宽（width）变化。例如[0063]：“将初始表面调制改变为新的表面调制，呈现出空间变化的线宽w(x,y)。”（英文原文：the initial surface modulations are changed to new surface modulations exhibiting a spatially varying modulation width w(x,y).） | 对比文件的发明重点之一就是实现线宽的可变（variable width），与目标专利中要求“全息光栅具有相同的宽度”的技术特征完全相反。对比文件全文教导的是如何制造可变线宽的光栅，不存在使全息光栅宽度保持相同的技术启示，因此未公开该特征。 |
| **技术特征I：** 其中在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处<br>《未公开》 | 对比文件全文未公开用喷涂法涂覆光敏树脂的步骤。 | 对比文件在形成光刻胶层时，仅泛泛提及“覆盖”（covered by photoresist）或“涂覆”（coating），并未具体限定其涂覆方式为喷涂。本领域技术人员不能从对比文件中直接或隐含地得出采用喷涂法向基底表面多个位置处施加光敏树脂的方案。 |
| **技术特征J：** 喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化<br>《未公开》 | 对比文件全文未公开相关内容。 | 对比文件完全未涉及“喷涂法”这一涂覆工艺，亦未公开喷涂量随位置变化的技术构思。 |
| **技术特征K：** 其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a-1)<br>《未公开》 | 对比文件说明书[0060]-[0061]：“微制造系统3包括…液体容器44，其容纳流体46…基板5被支撑…使得基板可被降入和/或提出流体44。”<br>（英文原文：The microfabrication system 3 comprises a substrate holder 42 and a liquid container 44 that contains a fluid (liquid) 46. ... the substrate 5 when supported to be lowered into and/or raised out of the fluid 44.）<br>但该流体46是刻蚀剂（如[0067]所述的“第一刻蚀剂46a”），并非光敏树脂。 | 对比文件虽然公开了将基底浸入容器的步骤，但该容器内盛装的是液态刻蚀剂，而非目标专利所述的“光敏树脂”。浸入光敏树脂的目的是为了涂覆，而浸入刻蚀剂的目的是为了去除材料（刻蚀）。两者具有本质区别，浸入对象不同，技术手段和技术效果均不同。因此，对比文件未公开将基底浸入包含光敏树脂的容器这一步骤。 |
| **技术特征L：** 和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a-2)<br>《未公开》 | 对比文件说明书[0060]：“使其可被降入和/或提出流体44。”（英文原文：enables the substrate 5 when supported to be lowered into and/or raised out of the fluid 44.）<br>对比文件说明书[0065]：“基板的运动v基本上是线性的，即基板支架沿重力方向向上或向下移动。”<br>（英文原文：the motion v of substrate is substantially linear i.e. the substrate holder 42 is moved upwards or downwards in substantially the direction of gravity.） | 同特征K的分析，对比文件虽然存在将基底从液体容器中分离的动作（提升基板），但该动作是从刻蚀剂中分离，而非从光敏树脂中分离。由于特征L是依附于特征K的下位步骤，当特征K未被公开时，特征L也无法被单独认定公开。 |
| **技术特征M：** 在所述步骤(a-2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离<br>《未公开》 | 对比文件说明书[0063]：“基板5在流体46中的浸没深度D(t)随时间逐渐改变（即，{dot over (D)}(t)=v是缓慢的）。”（英文原文：the immersion depth D(t) of the substrate 5 in the fluid 46 is gradually changed over time (i.e., {dot over (D)}(t)=v is slow).）<br>对比文件说明书[0093]：“在上述内容中，考虑了基本上线性的基板运动来改变浸没深度D(t)。”（英文原文：In the above, substantially linear substrate motion is considered that changes an immersion depth D(t).） | 对比文件虽在刻蚀工艺中公开了基板移动（提升），但并未明确记载在提升过程中改变移动速度以使涂层厚度变化。实际上，对于对比文件的浸入刻蚀，要获得线性变化的刻蚀量，通常需要恒定速度的提升。改变移动速度是为了实现非线性的刻蚀量分布，但对比文件并未明确指出需要在分离基板时改变移动速度以形成厚度变化的涂层。且由于特征K和L未被公开，该特征亦不能成立。 |
| **技术特征N：** 其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a-1)<br>《未公开》 | 对比文件全文未公开相关内容。 | 对比文件的所有制造实施例均仅针对单块基板进行浸入或离子束加工，不存在“辅助基底”这一概念，也没有在两基底之间提供光敏树脂的工艺描述。 |
| **技术特征O：** 和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a-2)<br>《未公开》 | 对比文件全文未公开相关内容。 | 同特征N，对比文件不存在辅助基底，因此该特征不成立。 |
| **技术特征P：** 在所述步骤(a-2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者<br>《未公开》 | 对比文件全文未公开相关内容。 | 同特征N、O，对比文件不存在基底与辅助基底相对移动的技术构思，该特征不成立。 |
| **技术特征Q：** 其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂<br>《未公开》 | 对比文件说明书[0108]：“离子源6与基板支架14之间的倾斜角θ（称为‘束入射角’）也可以改变以产生变化的倾斜角。”（英文原文：A tilting angle θ between the ion source 6 and the substrate holder 14 (referred to as the “angle of beam incidence”) can also be varied to create changing slanting angles.）<br>该倾斜是用于后续离子束刻蚀，而非用于涂覆光敏树脂。 | 对比文件中的倾斜步骤是在离子束刻蚀工艺中为了实现光栅倾斜角度的变化，而不是在涂覆光敏树脂时使基板相对于基面倾斜以通过重力流平获得厚度梯度。目标专利的“在倾斜状态下提供光敏树脂”是利用重力使树脂形成楔形涂层，与对比文件的离子束倾斜刻蚀具有完全不同的目的和过程。 |
| **技术特征R：** 将所述光敏树脂干燥<br>《隐含公开》 | 对比文件说明书[0116]：“然后用常规技术对光刻胶进行显影…以去除暴露部分或非暴露部分。”（英文原文：The photoresist is then developed to remove either the exposed parts or the non-exposed parts.）<br>对比文件虽未明确写出“干燥”步骤，但在该显影步骤之前，光刻胶涂覆后必须进行软烘（Soft Bake）以去除溶剂并使光刻胶固化，这是本领域公知且必然存在的步骤。 | 尽管对比文件中没有文字直接记载“干燥”步骤，但本领域技术人员基于公知常识（光刻工艺中光刻胶涂覆后必须进行干燥）以及对比文件隐含的光刻胶工艺流程（显影前需要曝光，曝光前必须使光刻胶干燥成膜），能够合理且必然推断出存在干燥步骤。根据隐含公开判断标准（宽松），该特征被对比文件隐含公开。 |
**结论：**
基于上述分析，对比文件直接公开了技术特征A和B，隐含公开了技术特征R。其余技术特征（C至Q）均未被对比文件直接或隐含公开。
<<<A>>><<<B>>><<<r>>>