**对比文件名称：** 2007-07-05_JP2007173386A_发明专利_JP2007173386A Thin-film capacitor, manufacturing method thereof, electronic equipment, and circuit board
**目标专利名称：** 用于晶片翘曲减小的应力缓解结构 CN106165094B
**本次调用模型名称：** 专利创造性评估模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：支撑第一沉积层间电介质的基板**<br>《直接公开》 | 段落[2]：“支持基板１０上には、絶縁膜１２が形成されている。” <br>翻译：在支持基板10上，形成有绝缘膜12。 | 对比文件明确公开了“支持基板10”，其作用在于支撑其上形成的各种膜层（包括绝缘膜12和导电层等）。目标专利中基板（如基板102）的作用同样是支撑其上形成的层间电介质和导电层等结构。两者均为提供机械支撑的基础结构，作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B：包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处，**<br>《直接公开》 | 段落[2]：“支持基板１０上には、絶縁膜１２が形成されている。... 絶縁膜１２上には、...キャパシタ電極（下部電極）１４が形成されている。... キャパシタ電極１４上には、キャパシタ誘電体膜１６が形成されている。... キャパシタ誘電体膜１６上には、キャパシタ電極（上部電極）１８が形成されている。こうして、キャパシタ電極１４とキャパシタ誘電体膜１６とキャパシタ電極１８とを有するキャパシタ部２０が構成されている。” <br>翻译：在支持基板10上，形成有绝缘膜12。...在绝缘膜12上，形成有...电容器电极（下部电极）14。...在电容器电极14上，形成有电容器介质膜16。...在电容器介质膜16上，形成有电容器电极（上部电极）18。这样，构成了具有电容器电极14、电容器介质膜16和电容器电极18的电容器部20。 | 对比文件中详细描述了在支持基板10上依次形成的绝缘膜12、下部电极14、介质膜16和上部电极18所构成的“电容器部20”。该结构由多个导电层（14， 18）和介质层（16）堆叠而成，位于相对于基板（10）的特定高度（即“标高”）上。在半导体制造领域，这种在基板上形成的多层互连结构属于后端制程（BEOL）的范畴。因此，该“电容器部20”公开了一个包含BEOL导电层（14， 18）、并处于相对于基板的一定标高处的“导电栈”（即第一导电栈）。其作用在于构成电容器，与目标专利中导电栈用于构成器件（如MIM电容）的作用可对应。 |
| **技术特征C：其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层**<br>《未公开》 | 段落[2]：“支持基板１０上には、絶縁膜１２が形成されている。... 絶縁膜１２上には、...キャパシタ電極（下部電極）１４が形成されている。... キャパシタ電極１４上には、キャパシタ誘電体膜１６が形成されている。... キャパシタ誘電体膜１６上には、キャパシタ電極（上部電極）１８が形成されている。” | 对比文件公开了基板（10）、绝缘膜（12）、第一导电层（下部电极14）、第二沉积电介质层（电容器介质膜16）以及第二导电层（上部电极18）。然而，目标专利特征C限定了非常具体的层间关系：1. “第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上”：对比文件中的绝缘膜12是在整个基板10表面上形成的，并非“仅在”第一导电层（14）的表面上。2. “第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层”：对比文件中未描述在绝缘膜12上还有通过通孔连接到下部电极14的“第三导电层”。其上部电极18是通过介质膜16与下部电极14隔离，而非通过通孔连接。因此，对比文件没有公开该特定且复杂的层叠和互连结构。 |
| **技术特征D：以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。**<br>《隐含公开》 | 段落[2]（第二实施例）：“キャパシタ電極１４には、絶縁膜１２に達する開口部１５、１５ａが形成されている。... 外部接続用電極３４ａ、３４ｂが設けられている。” <br>翻译：在电容器电极14上，形成有到达绝缘膜12的开口部15， 15a。...设有外部连接用电极34a， 34b。 <br>（结合图5， 外部连接用电极34b形成在开口部15a内，直接位于绝缘膜12上） | 对比文件第二实施例（图5）公开了在电容器电极14上形成开口部（15a），并在该开口部内形成外部连接用电极（34b）。该外部连接用电极34b通过开口直接形成在基板上的绝缘膜12表面，其标高（距离基板表面的高度）与电容器部20中的电极（14， 18）的标高明显不同。该外部连接电极34b本身是一个导电层，且其形成位置和结构可被视为一个独立的“导电栈”（尽管对比文件未使用该术语），其作用是为电容器提供外部电连接。本领域技术人员能够从对比文件的描述和附图中合理推断出存在一个标高不同、且导电层（34b）直接位于基板表面（绝缘膜12上）的结构，这与特征D的描述相符。 |
| **技术特征E：其特征在于，所述基板的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。**<br>《隐含公开》 | 段落[2]：“キャパシタ電極１４には、絶縁膜１２に達する開口部１５が形成されている。... キャパシタ誘電体膜１６には、...開口部１７が形成されている。... キャパシタ電極１８には、...開口部１９が形成されている。” <br>翻译：在电容器电极14上，形成有到达绝缘膜12的开口部15。...在电容器介质膜16上，形成有...开口部17。...在电容器电极18上，形成有...开口部19。 <br>（结合附图，这些开口部导致基板表面的绝缘膜12在电容器结构区域之外被暴露） | 对比文件为了形成引线电极（26a， 26b）和外部连接，在电容器部20的各个层（14， 16， 18）上刻蚀形成了开口部（15， 17， 19）。这些开口部的存在，使得基板（通过其上的绝缘膜12）的表面在电容器结构（可对应于第一导电栈）的周围或内部区域被暴露出来。这些暴露区域可以位于电容器结构与外部连接结构（可对应于第二导电栈）之间。本领域技术人员能够合理推断，在制造过程中刻意形成的这些开口部，会导致基板表面在某些区域不被上方的导电层或介质层覆盖，即被“暴露”。 |
| **技术特征F：其特征在于，包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。**<br>《未公开》 | 全文未提及“电感器”（インダクタ）。对比文件的核心是“薄膜电容器”（薄膜キャパシタ）。 | 对比文件全篇专注于描述薄膜电容器的结构、制造方法及应用。没有任何段落或附图提及或暗示使用了所述导电层来形成电感器。电感器与电容器是功能完全不同的无源器件，其结构设计原理也不同。因此，对比文件没有公开“电感器”这一技术特征。 |
| **技术特征G：其特征在于，第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。**<br>《直接公开》 | 段落[2]：“キャパシタ電極１４（下部電極）... キャパシタ誘電体膜１６... キャパシタ電極１８（上部電極）...を有するキャパシタ部２０が構成されている。” <br>翻译：构成了具有电容器电极14（下部电极）...电容器介质膜16...电容器电极18（上部电极）...的电容器部20。 | 对比文件明确且反复地公开了其核心器件——薄膜电容器，其结构 precisely 是由下部电极（第一导电层）、电容器介质膜（第二沉积电介质层）和上部电极（第二导电层）组成的“金属-绝缘体-金属（MIM）”电容器。这与目标专利特征G的描述完全一致。该MIM电容器集成在对比文件的“电容器部20”中，而“电容器部20”如前所述对应于第一导电栈。 |
| **技术特征H：其特征在于，所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。**<br>《隐含公开》 | 段落[2]（第5、6、7、8等实施例）：“電子装置（キャパシタ内蔵パッケージ）... 回路基板（キャパシタ内蔵基板）...” <br>翻译：电子装置（电容器内置封装）...电路板（电容器内置基板）... <br>段落[2]：“本発明の更に他の観点によれば、回路基板と、前記回路基板上に実装された薄膜キャパシタ...を有することを特徴とする電子装置が提供される。” <br>翻译：根据本发明的又一其他观点，提供一种电子装置，其特征在于，具有电路板和安装在所述电路板上的薄膜电容器... | 对比文件在第5、6、7、8等多个实施例中，明确描述了将所公开的薄膜电容器应用于“电子装置”和“电路板”中。虽然未具体列举音乐播放器、视频播放器等具体产品名称，但“电子装置”是一个上位概念，涵盖了目标专利所列出的各种具体电子设备。本领域技术人员知晓，薄膜电容器作为一种基础电子元件，可以被纳入到几乎所有类型的电子设备中，包括但不限于通信设备、计算机、娱乐设备等。因此，可以合理推断对比文件公开的器件能够被纳入到特征H所列举的至少一类设备中。 |
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