对比文件名称：2011-04-14_JP2011512041A_发明专利_JP2011512041A Solar cells, the production method of the emitter layer forming method and a solar cell of the solar cell
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：AI语言模型
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层 《直接公开》 | 对比文件段落[0023]：“前記第１エミッタ部と前記第２エミッタ部は前記基板の受光面に形成されることができる。” 段落[0007]：“前記基板にエミッタ層の第１エミッタ部を形成するために前記基板に前記第１導電型と反対の第２導電型の第２不純物を前記基板に拡散させる段階”。 翻译：第一发射部和第二发射部形成在基板的受光面（正面）；通过扩散第二导电型杂质形成第一发射部。 | 对比文件明确公开了在基板正面（受光面）形成第一发射部（低浓度发射层），该第一发射部通过扩散形成，具有较低掺杂浓度，因此具有较高的电阻（第一电阻），本领域技术人员可直接确定。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型 《直接公开》 | 对比文件段落[0007]：“前記基板に前記第１導電型と反対の第２導電型の第２不純物を前記基板に拡散させる”。 翻译：将与该基板的第一导电型相反的第二导电型的第二杂质扩散到该基板中。 | 对比文件明确公开了第一发射部具有与基板导电类型相反的导电类型。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层 《直接公开》 | 对比文件段落[0009]：“不純物ガスに含まれた不純物を前記基板に拡散させ前記第１エミッタ部を形成するために拡散炉に前記第２導電型の不純物ガスを供給する段階”。 翻译：为了将杂质气体中的杂质扩散到基板中形成第一发射部，向扩散炉供应第二导电型杂质气体的步骤。 | 对比文件明确公开了通过扩散炉（热扩散）形成第一发射部，即热扩散工艺。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层 《直接公开》 | 对比文件段落[0018]：“前記第２エミッタ部は前記第１エミッタ部より小さな面抵抗を有することができる”。 翻译：第二发射部可以具有比第一发射部小的面电阻。 | 对比文件明确公开了第二发射部（高浓度发射层）具有比第一发射部（低浓度发射层）更小的面电阻，即第二电阻低于第一电阻。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分 《未公开》 | 对比文件未公开高浓度发射层（第二发射部）内部划分为不同部分。对比文件仅描述第二发射部为均匀高浓度区域。 | 对比文件没有公开第二发射部由不同电阻的第一部分和第二部分构成，本领域技术人员不能从对比文件直接且毫无疑义地得出该特征，且对比文件未暗示该结构。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成 《未公开》 | 对比文件未公开使用不同功率激光形成不同部分。对比文件段落[0013]公开了通过激光照射绝缘膜形成第二发射部，但未区分不同功率。 | 对比文件没有公开使用第一功率激光形成第一部分，且对比文件未公开高浓度层内部有不同部分，因此该特征未公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成 《未公开》 | 对比文件未公开使用不同功率激光形成不同部分。 | 对比文件没有公开使用第二功率激光形成第二部分，未公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间 《未公开》 | 对比文件未公开第一部分与第二部分的相对位置关系。 | 对比文件未公开高浓度层内部有不同部分，更未公开第一部分位于第二部分之间。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻 《未公开》 | 对比文件未公开第一部分与第二部分电阻大小关系。 | 对比文件未公开高浓度层内部有不同电阻的部分，因此未公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层 《直接公开》 | 对比文件段落[0025]：“前記第２エミッタ部形成後、前記絶縁膜をとり除く段階をさらに含む”。 翻译：还包括在形成第二发射部之后，去除所述绝缘膜的步骤。 | 对比文件明确公开了在形成第二发射部（高浓度发射层）后，去除绝缘膜（玻璃组成层）。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层 《直接公开》 | 对比文件段落[0026]：“前記第１エミッタ部と前記第２エミッタ部上に反射防止膜を形成する段階”。 翻译：还包括在第一发射部和第二发射部上形成反射防止膜的步骤。 | 对比文件公开了在发射层（包括低浓度发射层）上形成反射防止膜（绝缘层）。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极 《直接公开》 | 对比文件段落[0027]：“前記反射防止膜の上に第１電極用ペーストを塗布する段階”。 翻译：在反射防止膜上涂布第一电极用浆料的步骤。 | 对比文件公开了在绝缘层（反射防止膜）上形成第一电极（通过涂布浆料并热处理）。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层 《直接公开》 | 对比文件说明书关于图9的制造描述：“表面電極用パターンは反射防止膜３０４を貫いてエミッタ層３０２と接触する。” 翻译：表面电极图案穿透反射防止膜接触发射层。 | 对比文件明确公开了第一电极（表面电极）穿透绝缘层（反射防止膜）接触发射层，具体接触高浓度第二发射部。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层 《直接公开》 | 对比文件段落[0038]：“前記基板と第２電極の間に位置する裏面電界部”。 翻译：位于基板和第二电极之间的背面电场部。 | 对比文件公开了在基板背面处形成背面电场层（背面场层）。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型 《直接公开》 | 对比文件段落[0038]：“基板３０１と同一である導電型の不純物が基板３０１より高濃度ドーピングされた領域”。 翻译：基板301与基板相比，同一导电类型的杂质以更高浓度掺杂的区域。 | 对比文件明确公开了背面电场层具有与基板相同的导电类型。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层 《直接公开》 | 对比文件说明书关于图9的制造描述：“裏面電極用ペーストに含まれたアルミニウム（Ａｌ）が基板３０１にドーピングされて基板３０１より高い不純物濃度を有する裏面電界部３０７が形成される。” 翻译：背面电极浆料中包含的铝被掺杂到基板301中，形成具有比基板更高杂质浓度的背面电场部307。 | 对比文件通过热处理（烧结）使铝扩散形成背面电场层，属于热扩散工艺。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜 《未公开》 | 对比文件未公开在背面场层上形成钝化膜。对比文件公开的背面电极直接形成在背面场层上，无钝化膜。 | 对比文件没有公开在背面场层上形成钝化膜，因此未公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极 《未公开》 | 对比文件未公开钝化膜，故未公开在其上形成第二电极。 | 对比文件未公开钝化膜，因此未公开在钝化膜上形成第二电极。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层 《未公开》 | 对比文件未公开钝化膜，故未公开第二电极穿过钝化膜连接背面场层。 | 对比文件未公开钝化膜，因此未公开该特征。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域 《未公开》 | 对比文件未公开第二部分。 | 对比文件未公开高浓度层内部有第一和第二部分，更未公开第二部分位于第一部分相对侧。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG 《直接公开》 | 对比文件段落[0010]：“前記絶縁膜はＰＳＧ(phosphorus silicate glass)膜であることがある。” 翻译：所述绝缘膜可以是磷硅玻璃（PSG）膜。 | 对比文件公开了绝缘膜（玻璃组成层）包括PSG，满足特征U中的之一。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤 《直接公开》 | 对比文件整体公开了制造方法，包括形成发射层、电极等步骤。例如段落[0007]等。 | 对比文件公开了太阳能电池的制造方法，明确包括多个步骤，因此直接公开了该方法还包括后续步骤。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层 《直接公开》 | 对比文件段落[0027]：“前記反射防止膜の上に第１電極用ペーストを塗布する段階”。 翻译：在反射防止膜上涂布第一电极用浆料的步骤。 | 对比文件明确公开了在绝缘层（反射防止膜）上涂布电极组成层（第一电极用浆料）。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理 《直接公开》 | 对比文件段落[0027]：“前記少なくとも一つのフィンガー電極のパターンを備える基板を熱処理する段階”。 翻译：对具有至少一个指状电极图案的基板进行热处理的步骤。 | 对比文件明确公开了对电极组成层进行热处理。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极 《直接公开》 | 对比文件说明书关于图9的描述：“表面電極用パターンは反射防止膜３０４を貫いてエミッタ層３０２と接触する。” 翻译：表面电极图案穿透反射防止膜接触发射层。 | 对比文件公开了热处理使电极浆料烧穿绝缘层，形成电连接到高浓度发射层的第一电极，即烧穿工艺。 |
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