对比文件名称：WO2012043811A1_Description_20260718_1950
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的具体例”部分记载：“第２半導体層３は０．２～２μｍ程度の厚み、４０～１５０Ω／□程度のシート抵抗に形成される。”以及“第２半導体層３は、半導体基板１における第１面９ａ側にリン等の不純物を拡散させることによって形成できる。” | 对比文件公开了在半导体基板正面形成第二半导体层（即发射层），其薄层电阻为40-150Ω/□，对应于第一电阻。该层通过扩散形成，与目标专利中的低浓度发射层实质相同，且具有较低掺杂浓度较高电阻。因此，直接公开。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的具体例”部分记载：“第１半導体層２は一導電型（例えば、ｐ型）を呈し、第２半導体層３は逆導電型（例えば、ｎ型）を呈する。” | 对比文件明确表明第一半导体层（基板）为p型，第二半导体层（发射层）为n型，导电类型相反。因此，直接公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的具体例”部分记载：“気相熱拡散法（ＰＯＣｌ３）などによって形成される。” | 对比文件明确指出采用气相热扩散法（POCl3）形成第二半导体层，即热扩散工艺。因此，直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层《直接公开》 | 对比文件“変形例”部分记载：“第４半導体層は第２半導体層よりもシート抵抗が低く形成される。”以及“第４半導体層の厚みを厚くする方法の一例としては、塗布熱拡散法または気相熱拡散法によって第２半導体層を形成した後、燐ガラスが残存する状態で第１電極５の電極形状に合わせて半導体基板１にレーザービームを照射することによって、燐ガラスから第２半導体層へリンが再拡散し第４半導体層が形成される。” | 对比文件公开了在第二半导体层（低浓度发射层）上通过激光照射磷玻璃形成第四半导体层，该第四半导体层的薄层电阻低于第二半导体层，即具有更低的电阻。这对应于目标专利中的高浓度发射层，具有第二电阻。因此，直接公开。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分《未公开》 | 无 | 对比文件仅公开了形成单一高浓度层（第四半导体层），未提及该高浓度层包含不同电阻的第一部分和第二部分。因此，未公开。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成《未公开》 | 无 | 对比文件虽然公开了激光照射，但未提及使用不同功率的激光束，也未区分第一功率或第二功率。因此，未公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成《未公开》 | 无 | 同技术特征F，对比文件未公开第二功率激光束。因此，未公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间《未公开》 | 无 | 对比文件未公开高浓度层中不同区域的相对位置关系。因此，未公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻《未公开》 | 无 | 对比文件未公开第一部分和第二部分的电阻差异。因此，未公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层《未公开》 | 无 | 对比文件在形成第二半导体层后去除了磷玻璃，但在形成高浓度层（第四半导体层）后未明确提及去除玻璃组成层。目标专利明确在形成高浓度层后去除玻璃层，对比文件未公开此步骤。因此，未公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的具体例”部分记载：“反射防止層４は、例えば、窒化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化シリコン膜、酸化マグネシウム膜、酸化インジウムスズ膜、酸化スズ膜または酸化亜鉛膜などからなる。” | 对比文件公开了在半导体基板正面（低浓度发射层上）形成反射防止层，即绝缘层。因此，直接公开。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的具体例”部分记载：“第１電極５は、例えば銀粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクル等からなる電極形成用ペーストをスクリーン印刷等によって所望の形状に塗布した後、これを焼成することによって形成することができる。” | 对比文件公开了在反射防止层上涂布并烧成电极形成用糊料以形成第一电极。因此，直接公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的具体例”部分记载：“ファイヤースルー法によって反射防止層４を突き破り半導体基板１の第２領域１ｂ上に第１電極５の下地電極層が形成される。”以及“変形例”中“第４半導体層”形成在电极下方。 | 对比文件公开了通过烧穿法使电极突破反射防止层与半导体基板接触，并且“変形例”中公开了在电极下方形成高浓度层（第四半导体层），因此电极电连接到高浓度发射层。因此，直接公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的具体例”部分记载：“ＢＳＦ領域７は、第２面９ｂの近傍でキャリアの再結合による効率の低下を低減させる役割を有しており、第２面９ｂ側に内部電界を形成するものである。” | 对比文件公开了在半导体基板背面形成BSF区域（背面场层）。因此，直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的具体例”部分记载：“ＢＳＦ領域７は第１半導体層２と同一の導電型を呈しているが、第１半導体層２が含有する多数キャリアの濃度よりも高い多数キャリア濃度を有している。” | 对比文件明确BSF区域与第一半导体层（基板）导电类型相同。因此，直接公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的具体例”部分记载：“三臭化ボロン（ＢＢｒ３）を拡散源とした熱拡散法を用いて温度８００～１１００℃程度で形成する方法” | 对比文件公开了采用热扩散法（三溴化硼扩散）形成BSF区域。因此，直接公开。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜《直接公开》 | 对比文件“変形例”部分记载：“半導体基板１の第２面９ｂ側にパッシベーション膜を設けてもよい。このパッシベーション膜は、半導体基板１の裏面である第２面９ｂにおいて、キャリアの再結合を低減する役割を有するものである。パッシベーション膜としては、窒化シリコン、酸化シリコンまたは酸化チタンなどが使用できる。” | 对比文件公开了可以在半导体基板背面设置钝化膜，该钝化膜可形成在背面场层上。因此，直接公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极《隐含公开》 | 对比文件“太阳电池素子的具体例”部分记载第２電極６的形成，但未明确在钝化膜上形成。然而，“変形例”中公开了设置钝化膜，本领域技术人员必然会将第二电极形成在钝化膜上（通过开口或烧穿）。 | 对比文件公开了第二电极，也公开了可设置钝化膜，但未明确将第二电极形成在钝化膜上。然而，本领域技术人员根据常识可以合理推断，如果设置了钝化膜，则第二电极必然形成在钝化膜上（或通过开口连接）。因此，隐含公开。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层《隐含公开》 | 对比文件“太阳电池素子的具体例”部分记载第２電極６形成在背面，但未明确穿过钝化膜。结合钝化膜的设置，电极需要穿透钝化膜才能接触背面场层。 | 类似技术特征R，本领域技术人员可以合理推断，第二电极必须穿过钝化膜才能电连接到背面场层。因此，隐含公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域《未公开》 | 无 | 对比文件未公开高浓度层中第二部分的具体布置。因此，未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG《直接公开》 | 对比文件“変形例”部分记载：“燐ガラスが残存する状態で第１電極５の電極形状に合わせて半導体基板１にレーザービームを照射することによって、燐ガラスから第２半導体層へリンが再拡散し第４半導体層が形成される。” | 对比文件明确提到使用磷玻璃（PSG）作为激光照射的玻璃组成层。因此，直接公开了PSG。对于BSG，对比文件未明确，但“或”表明公开其中之一即可。所以直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的制造方法”部分记载：“まず、基本的には、シリコン基板等の半導体基板１に電極を形成する場合の工程としては、上述したペーストを半導体基板１上に塗布する塗布工程と、塗布したペーストを焼成して半導体基板１上に電極層を形成する焼成工程とを含む。” | 对比文件明确描述了制造方法包括多个步骤，即包括以下步骤。因此，直接公开。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的制造方法”部分记载：“上述したペーストを半導体基板１上に塗布する塗布工程”以及“第１電極５は、例えば銀粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクル等からなる電極形成用ペーストをスクリーン印刷等によって所望の形状に塗布した後、これを焼成することによって形成することができる。” | 对比文件公开了在反射防止层（绝缘层）上涂布电极形成用糊料。因此，直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的制造方法”部分记载：“塗布したペーストを焼成して半導体基板１上に電極層を形成する焼成工程” | 对比文件公开了烧成（热处理）步骤。因此，直接公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极《直接公开》 | 对比文件“太阳电池素子的具体例”部分记载：“ファイヤースルー法によって反射防止層４を突き破り半導体基板１の第２領域１ｂ上に第１電極５の下地電極層が形成される。”以及“変形例”中第四半导体层形成。 | 对比文件公开了烧穿法（fire-through）形成第一电极，且通过“変形例”中高浓度层的形成，电极电连接到高浓度发射层。因此，直接公开。 |
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